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碳化矽 （英語： silicon carbide，carborundum ），化學式SiC，俗稱 金剛砂 ，寶石名稱 鑽髓 ，為 矽 與 碳 相鍵結而成的 陶瓷 狀 化合物 ，碳化矽在大自然以 莫桑石 這種稀有的 礦物 的形式存在。. 自1893年起碳化矽粉末被大量用作磨料。. 將碳化矽粉末燒結可得到 ...
2023年11月3日 · 隨著科技的飛速發展，碳化矽（SiC）和第三代半導體材料，正逐漸成為投資界的焦點，同時碳化矽（SiC）也代表新一代功率半導體的崛起，投資者應 ...
碳化矽 （英語： silicon carbide，carborundum ），化學式SiC，俗称 金刚砂 ，宝石名称 钻髓 ，为 硅 与 碳 相键结而成的 陶瓷 状 化合物 ，碳化矽在大自然以 莫桑石 这种稀有的 矿物 的形式存在。
碳化矽、SiC﹙Silicon Carbide﹚是比較新的半導體材料。. 一開始. SiC的物性和特徴. SiC是由矽﹙Si﹚和碳﹙C﹚所構成的化合物半導體材料。. 結合力非常強，在熱量上、化學上、機械上皆很安定。. SiC存在各種晶型（polytype），其物性値各有不同。. 功率元件方面，以4H ...
SiC的寬能隙 (Band Gap) 比現有Si (矽) 的能隙寬度寬3倍以上，可承受10倍以上的電壓，SiC的低損耗、高功率特性適用在高電壓與大電流的應用場域，包含電動車、電動車充電基礎設施、太陽能以及離岸風電等綠能發電設備。
SiC (碳化矽)係由矽 (Si)與碳©所組成之化合物半導體材料。 絕緣破壞電場強度為Si的10倍、能隙為Si的3倍，不僅優異，從製作元件需要之p型, n型控制可在廣泛的範圍內進行等特色來看，做為超越Si極限的功率元件用材料備受期待。 SiC存在著各種同質多形體 (結晶多形)，各有不同的物性值。 針對功率元件4H-SiC最為合適。 2. 做為功率元件所具備的特徴. 從SiC的絕緣破壞電場強度與Si相比約10倍高而言， 600V～數千V的高耐壓功率元件相較於Si元件，可製作高不純物濃度且薄膜厚的漂移層。 因為高耐壓功率元件的電阻抵抗成分幾乎都是此漂移層的電阻，SiC則每單位面積的導通電阻非常低，可實現高耐壓元件。 理論上相同的耐壓相較於Si，可減低1/300面積的漂移層電阻。
2018年6月25日 · Touch-Down碳化矽的特性相關說明。. 達陣科技公司為一專業的精密陶瓷製造公司，通過ISO9001認證，我們依據客戶的圖面或需要，製作產品以滿足客戶的需求。. 20多年來為半導體製程、LED製程、TFT / LCD製程、太陽能晶片製程、機械傳統產業、生醫製藥產業 ...
