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  1. 2023年11月9日 · 第三類半導體主要材料為碳化矽 (SiC)與 氮化鎵 (GaN)兩種,如果以市場來應用來看,又可分為高頻通訊元件及功率元件兩大類。 資策會MIC於第36屆MIC FORUM...

  2. 第三半導體,不同於第一代半導體材料(矽 Si、鍺 Ge)與第二代半導體材料(砷化鎵 GsAs、磷化銦 InP),第三代半導體的主要材料則為碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩種,由於產品特性的不同,各代半導體也分別有不同領域的應用。

  3. 2023年9月6日 · 第三代半導體過去因特斯拉率先使用碳化矽在電動車上,引發需求與話題;2023/3特斯拉又宣布要大減75%碳化矽用量,讓氮化鎵躍上檯面。 優分析之前文章已提過氮化鎵未來在電動...

  4. 漢民科技為了發展第三代半導體,成立SiC部門專責研發SiC技術,自行設計長晶爐 (6″ SiC Furnace),經過2000 -2500 的長時間長晶 (SiC Boule) 完成,晶錠開始定位加工 (SiC Boule Machining),成為標準圓柱形,接著進行複線切割,移除晶體表面的損傷層

  5. 2021年6月17日 · 為什麼第三代半導體這麼火熱?它的應用與商機在哪裡? 過去30年,台積電、聯電擅長製造的邏輯IC,基本上都是以矽做為材料。但矽也有一些弱點,如果用門做比喻,用矽做的半導體,就像是用木頭做的木門,輕輕一拉就能打開(從絕緣變成導電)。

  6. 2021年12月24日 · 第三代半導體又稱寬能隙半導體(Wide-bandgap Semiconductor,WBG),以 SiC(碳化矽)、GaN(氮化鎵)兩種化合物半導體為代表。 與傳統的 Si 相比,擁有耐高溫高壓、高功率、低耗損等優勢。

  7. 2022年7月18日 · 第三代半導體——碳化矽材料之製程與分析. SiC功率電子是加速電動車時代到來的主要動能。. 以SiC MOSFET取代目前的Si IGBT,不僅能使電力移轉時的能源損耗降低80%以上,同時也可讓晶片模組尺寸微縮至原本的1/10,達到延長電動車續航里程及縮短充電時間的功效 ...