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换句话说， 短波长光源、大数值孔径透镜是提高光刻机曝光分辨力的最有效方法！. 这也是芯片制作者为什么要使用短波长光源技术：EUV （极紫外光刻）的原因。. 2. 深紫外技术到极紫外技术的过渡. 早期光学曝光采用的光源是汞灯，汞灯是一种宽频光源，它在 ...
EUV光刻机主要技术优势如下：1）更高的光刻分辨率；2）生产效率高，光刻工艺简单。. 但同时EUV光刻机也存在着许多问题：1）耗能巨大，能量利用率低；2）光学系统设计与制造复杂；3）光罩掩模版表面缺陷。. 扫描下图二维码了解行业图鉴1.0. 手机访问“行行 ...
EUV（极紫外）光刻机使用的13.5纳米光源是通过一种称为极紫外辐射（EUV radiation）的技术来实现的。. EUV光源的产生涉及到多个复杂的步骤。. 首先，EUV光源使用的是一种称为锡蒸气光源（tin vapor source）的装置。. 这个装置中含有微小的锡滴，通过激光或者电子束 ...
再往后的到EUV的光源应该也是类似原因，本身可选的波长就少，能有技术经济可用性的更少，所以就直接一步到位13.5nm EUV了。. 不过别看这两次光源波长相差很大，但实际上精度提升没有想象的大，13.5nm的EUV很难伺候，各种容易被吸收，无法靠透镜折射，得在 ...
又因为EUV波长与晶格参数接近，很容易发生衍射，反射率也很低，最终的反射方案是采用多层镀膜的Mo-Si布拉格反射器，研究表明其对13.5nm波长的反射率最高，达到了70%，因此下一代光刻机最终采用波长13.5nn附近0.27nn带宽的EUV光源。. 选择13.5nm这个数字，从1981年 ...
再次，EUV光刻必须在超高真空环境下工作，气浮显然对系统不够友好。. 永磁同步型平面电机可以看作是直线电机的一种演变，由永磁阵列、线圈阵列和支撑结构组成。. 在支撑部件的限制和电磁力的作用下，平面电机的线圈阵列能够带动负载产生两维的平面运动 ...
2024年4月18日 · EUV (极紫外光)：狭长的10纳米至121纳米区间，尤其在光刻技术中，EUV 光刻波长惊人的13.5纳米，是制造微电子器件的关键技术。. VUV (真空紫外光)：略宽一些，100纳米至200纳米，这个波段在科学研究和工业处理中也有其独特作用。. 而DUV (深紫外光) 和 XUV (X射线紫外 ...
EUV光刻中的反射镜的作用是收集、调制极紫外光，最终使光照射到晶圆上与光刻胶发生作用。. EUV所使用的极紫外光波长仅有13.5 nm，大部分材料对该波长的光都有很强的吸收，所以透射镜是不适用的，只能使用反射镜。. ASML所使用的反射镜由蔡司协助制造，表面 ...
EUV光刻机内部揭秘！. - 知乎. EUV光刻机内部揭秘！. 来源：内容由半导体行业观察（ID：icbank）编译自MIT科技评论，谢谢。. PatrickWhelan正在透过他的洁净室服面板凝视着事情的进展。. 在他面前是一块闪闪发光的玻璃，大约有一个烤箱那么大，上面刻有许多挖出的 ...
2022年2月17日 · 如果我查看英特尔当前和计划中的 Fab 产品组合，我们会看到有一些具有EUV能力的晶圆厂和不太可能用于EUV的较旧的晶圆厂，实际上EUV光刻机需要天车，而且英特尔的许多较旧的晶圆厂可能需要进行重大的结构修改适应这一点，再加上英特尔正在建设 9 个
