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2015年11月27日 · 现在国外一些芯片厂商已经开始在芯片的侧面做保护层了。. 但是,现在的保护层一般是采用二氧化硅材料,而且厚度很薄,保护能力是有限的。. 在洁净度很差的封装厂,仍然会由于沾污造成漏电现象。. 下面我们来做分析。. 1.1 芯片侧面没有做钝化. 很多芯片 ...
医路诺贝尔系列:挖掘历届诺贝尔生理及医学奖得主的经历,为大家展示1901年至今医学界绚丽多姿、波澜起伏的科学画卷,见证现代医学每一次改变人类历史的进步。. 作为1948年诺贝尔生理学或医学奖的获奖者,保罗·赫尔曼·穆勒(Paul Hermann Müller)当年曾拥有 ...
2019年10月17日 · 本文主要介绍LED不同波段的特殊用途。 1.UVLED (紫外LED): (1) 低紫外:250nm-265nm-285nm-365nm,现在已经能够做到250nm-410nm。 这些都是INGaN/GaN材料碳化物。 这些紫外可杀死水中所有细菌,其杀伤力可达98%,特别是285nm。 (2)中紫外光:365nm-370nm去照都是国际通用,紫外光有杀伤力,一般医生手术时要求确保不带细菌。 365nm-390nm一般用这个紫外来补牙医,其特点是:功能强、时间短。 同时,国际上用365nm-370nm的波长用于辨别纸币的真伪。 (3)高紫外光:405nm-410nm,其晶片最大不超过2寸 (也称紫外晶片)。 从345-410nm的可以用于植物种子的培植。
2023年6月5日 · 2、连接硬件:将Si5351芯片连接到您的开发板或电路中。确保硬件连接正确,并且Si5351的电源和通信接口正常工作。 本次实验采用的是ESP32-C3,可以使用Arduino来完成测试工作,这里我采用的是Arduino默认的ESP32-C3的默认I2C接口,你也可以在程序里指定使用哪些IO作为I2C。
2022年7月7日 · 老化测试提高了 SiC 和 GaN 的可靠性. [导读] 新型宽带隙半导体 (如碳化硅和氮化镓)在市场上的扩散对传统的老化和测试系统提出了挑战,因为裸片尺寸越来越小,并且组件可以承受更高的电压和温度。. 新型宽带隙半导体 (如 碳化硅 和 氮化镓 )在市场上的扩散对 ...
2010年5月4日 · MOSFET的雪崩能量与器件的热性能和工作状态相关,其最终的表现就是温度的上升,而温度上升与功率水平和硅片封装的热性能相关。. 功率半导体对快速功率脉冲(时间为100~200μs)的热响应可以由式1说明:. (1) 其中,A是硅片面积,K常数与硅片的热性能相关 ...
2019年7月30日 · 在前面的文章里,小编对RTX 2080 Super进行过理论性能测评、不同模式下的游戏性能测评和超频性能测评。此次,小编将对它的烤机温度和功耗加以测评,一起来了解下吧。 1、温度测试 我们在这里只对RTX 2080 Super进行测试,测试时室温27度。