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氮化鎵（GaN、Gallium nitride）是氮和鎵的化合物，是一種III族和V族的直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極體中。 此化合物結構類似 纖鋅礦 ，硬度很高。
- 1/Ga.N/rGaN/c1-2
- LW9640000
- JMASRVWKEDWRBT-MDMVGGKAAI
- [Ga]#N
氮化鎵 （ GaN 、Gallium nitride）是 氮 和 鎵 的 化合物 ，是一種 III族 和 V族 的 直接能隙 （direct bandgap）的 半導體 ，自1990年起常用在 發光二極體 中。 此化合物結構類似 纖鋅礦 ，硬度很高。 氮化鎵的能隙很寬，為3.4 電子伏特 ，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的雷射二極體，可以在不使用非線性 半導體泵浦固體雷射 （Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產生紫光（405 nm）雷射。 如同其他 III族元素 的 氮化物 ，氮化鎵對 游離輻射 的敏感性較低，這使得它適合用於 人造衛星 的 太陽能電池 陣列。
化合物半導體 材料：由兩種或兩種以上 無機物 化合成的半導體，種類繁多，已知的二元化合物就有數百種。 三五半導體 ：由 Ⅲ族元素 （如Al、Ga、In）和 Ⅴ族元素 （如P、As、Sb）組成，比如 砷化鎵 （GaAs）；它們都具有 閃鋅礦 結構，在應用方面僅次於Ge、Si。 二六半導體 ： ⅡB族元素 （如Zn、Cd、Hg）和 Ⅵ族元素 （如S、Se、Te）組成的化合物，是一些重要的光電材料； 硫化鋅 （ZnS）、 碲化鎘 （CdTe）、 碲化汞 （HgTe）具有 閃鋅礦 結構。 四四半導體 ： 碳化矽 （SiC）和 矽鍺 合金都具有閃鋅礦結構。 有機半導體 ：同時是 有機物質 的半導體。 列表 [ 編輯] 合金表 [ 編輯] 參見 [ 編輯] 有機半導體. 參考文獻 [ 編輯]
氮化鎵 （ GaN 、Gallium nitride）是 氮 和 鎵 的 化合物 ，是一種 III族 和 V族 的 直接能隙 （direct bandgap）的 半導體 ，自1990年起常用在 發光二極體 中。 此化合物結構類似 纖鋅礦 ，硬度很高。 氮化鎵的能隙很寬，為3.4 電子伏特 ，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極體，可以在不使用非線性 半導體泵浦固體激光 （Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產生紫光（405 nm）激光。 如同其他 III族元素 的 氮化物 ，氮化鎵對 電離輻射 的敏感性較低，這使得它適合用於 人造衛星 的 太陽能電池 陣列。
氮化镓 （ GaN 、Gallium nitride）是 氮 和 镓 的 化合物 ，是一种 III族 和 V族 的 直接能隙 （direct bandgap）的 半导体 ，自1990年起常用在 发光二极体 中。 此化合物结构类似 纤锌矿 ，硬度很高。 氮化镓的能隙很宽，为3.4 电子伏特 ，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的雷射二极体，可以在不使用非线性 半导体泵浦固体激光 （Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405 nm）雷射。 如同其他 III族元素 的 氮化物 ，氮化镓对 电离辐射 的敏感性较低，这使得它适合用于 人造卫星 的 太阳能电池 阵列。
常見的半導體材料有：第一代（另一種定義/說法：第一「類」）的矽、鍺，第二代（類）的砷化鎵、磷化銦，第三代（類）的氮化鎵、氧化鋅、氮化鋁、碳化矽等；而矽更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。
氮化鋁銦鎵的化學式是In Ga Al N，是以氮化鎵為基礎的半導體，常用磊晶成長的方式製成，像是有機金屬化學氣相沉積法（MOCVD）、分子束外延（MBE）、脈衝雷射沉積（PLD）等方式。此材料用在特別的光電應用中，像是藍光雷射LED及藍光LED等。
