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5 天前 · 根據《工商時報》報導，業界人士指出「原子層沉積檢測」（ALD）為實現晶背供電技術重要一環，去年12月掛牌上市的設備廠天虹，便有提供ALD機台解決方案。 延伸閱讀： 白話科技｜AI PC用途、定義是什麼？ AI PC概念股有哪些？ 一次看懂. 責任編輯：李先泰.
2024年6月11日 · 為製作出更強大的晶片，半導體業界的想法是，只要讓電子訊號更早轉成光子訊號，傳輸自然會更快。從這個觀點來看，現有的光通訊技術能大致分為3階段，重點都在減少電子的傳輸，增加光子走的距離。
2023年9月11日 · 在官網建置與B2B電子商務面，伊創克以全球最大開源電子商務平台Magento為核心架構，並結合母集團伊布克在Magento的人才與技術能量，客製化開發出B2B電商模組，滿足企業透過官網觸及海外客戶、透過電商銷售全球市場的需求。
- 積體電路（Ic：Integrated Circuit）是什麼？
- 場效電晶體（Fet：Field Effect Transistor）是什麼？
- 閘極長度：半導體製程進步的關鍵
- 鰭式場效電晶體(Finfet)：將半導體製程帶入新境界
- 環繞閘極場效電晶體(Gaafet)：未來先進製程的發展方向
- 台積電與三星仍將決戰鰭式場效電晶體
- 未來三年台積電3奈米製程仍然領先全球
將電的主動元件(二極體、電晶體)與被動元件(電阻、電容、電感)縮小以後，製作在矽晶圓或砷化鎵晶圓上，稱為「積體電路(IC：Integrated Circuit)」，其中「堆積(Integrated)」與「電路(Circuit)」是指將許多電子元件堆積起來的意思。 將電子產品打開以後可以看到印刷電路板(PCB：Printed Circuit Board)如圖一所示，上面有許多長得很像「蜈蚣」的積體電路(IC)，積體電路的尺寸有大有小，我們以處理器為例邊長大約20毫米(mm)，上面一小塊正方形稱為「晶片(Chip)」或「晶粒(Die)」，晶片邊長大約10毫米(mm)，晶片上面密密麻麻的元件稱為「電晶體(Transistor)」，電晶體邊長大約100奈米(nm)，而電晶體上面尺寸最小的結構稱為「閘...
電晶體的種類很多，先從大家耳熟能詳的「MOS」來說明。MOS的全名是「金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)」， 構造如圖二所示，左邊灰色的區域叫做「源極(Source)」，右邊灰色的區域叫做「汲極(Drain)」，中間有塊金屬(紅色)突出來叫做「閘極(Gate)」，閘極下方有一層厚度很薄的氧化物(黄色)，因為中間由上而下依序為金屬(Metal)、氧化物(Oxide)、半導體(Semiconductor)，因此稱為「MOS」。 MOSFET的工作原理很簡單，電子由左邊的源極流入，經過閘極下方的電子通道，由右邊的汲極流出，中間的閘極則可以決定是否讓電子由下方通過，有點像是水龍頭的開關一樣，因...
在圖二的MOSFET 中，「閘極長度(Gate length)」大約10奈米，是所有構造中最細小也最難製作的，因此我們常常以閘極長度來代表半導體製程的進步程度，這就是所謂的「製程節點(Node)」。 閘極長度會隨製程技術的進步而變小，從早期的0.18、0.13微米，進步到90、65、45、22、14奈米，到目前最新的製程10、7、5、3奈米，甚至未來的2奈米。當閘極長度愈小，則整個MOSFET就愈小，而同樣含有數十億個MOSFET的晶片就愈小，封裝以後的積體電路(IC)就愈小，最後做出來的手機就愈小囉！ 但是要特別留意，並不是所有的電晶體都必須便用先進製程，而是要看不同元件需要的特性來決定，目前積體電路(IC)依照特性主要分為三大類： ➩數位積體電路(Digital IC)：可以進行運算或儲...
MOSFET的結構發明以來到現在已使用超過四十年，當閘極長度縮小到20奈米以下的時候遇到了許多問題，其中最麻煩的就是當閘極長度愈小，源極和汲極的距離就愈近，閘極下方的氧化物也愈薄，電子有可能偷偷溜過去產生「漏電(Leakage)」；另外一個更麻煩的問題，原本電子是否能由源極流到汲極是由閘極電壓來控制的，但是閘極長度愈小，則閘極與通道之間的接觸面積愈小，如圖三(a)綠色箭頭所示，也就是閘極對通道的影響力愈小，要如何才能保持閘極對通道的影響力(接觸面積)呢？ 因此美國加州大學伯克萊分校胡正明、Tsu-Jae King-Liu、Jeffrey Bokor等三位教授發明了「鰭式場效電晶體(FinFET：Fin Field Effect Transistor)」，把原本2D構造的MOSFET改為3D的...
大家猜猜，當閘極長度縮小到3奈米以下的時候，還有什麼辦法可以增加閘極與通道之間的接觸面積？就是閘極把電子通道完全包圍起來，如圖三(c)所示，稱為「環繞閘極場效電晶體(GAAFET：Gate All Around Field Effect Transistor)」，原理其實很簡單，就是增加閘極與電子通道的接觸面積，可以增加閘極控制效果。 由圖四可以看出，台積電與三星同時在2018年量產7奈米，英特爾在2021年量產落後三年；台積電與三星同時在2020年量產4奈米，英特爾在2022年量產落後二年；台積電與三星同時在2022年量產3奈米，英特爾計畫在2023年量產落後一年，因此英特爾並沒有大家想像的落後很多，當然宣布量產是一回事，良率多高又是另一回事，目前進度與良率都領先的只有台積電一家，這也是台...
環繞閘極場效電晶體(GAAFET)的製程非常複雜，比鰭式場效電晶體(FinFET)困難許多，因此國外媒體報導三星 3 奈米 GAAFET製程良率僅 20%3，這個其實並不令人驚訝，但是三星高層指出，三星3奈米製程良率已達「完美水準」且毫不遲疑開發第二代3奈米製程4，事實如何就讓我們拭目以待吧！ 其實GAAFET良率根本很難提高，因此三星未來可能的做法就是回頭使用FinFET製做3奈米，反正廠商說這個是幾奈米它就是幾奈米，因此我大膽預言：台積電與三星仍將決戰FinFET。為什麼GAAFET良率根本很難提高，這個用文章說不清楚，有興趣的人可以參考《曲博科技教室》的課程影片：三星宣布量產3奈米！是真的超車台積電？還是真正的苦難才剛開始？ 根據國外媒體的報導，高通(Qualcomm)與聯發科(Med...
台積電3奈米製程(N3)改良後的 N3B已經順利在2022Q4量產，但是未來還有下面幾個衍生的製程節點，如圖六所示： ➩N3E：犧牲尺寸成全良率、效能、功耗，2023Q2或Q3量產。 ➩N3P：製造工藝的性能增強版本，量產時間未定。 ➩N3S：縮小尺寸的密度增加版本，量產時間未定。 ➩N3X：超高性能的超頻版本，量產時間未定。 由於GAAFET困難度高，成本更高，大家是否能順利在2025年量產還是未知數，因此可以預期3奈米製程仍然是未來三年各家廠商競爭的主要標的，會使用很長一段時間，台積電利用3奈米衍生的製程節點，仍然能夠領先全球，比較令人憂心的還是美國補助英特爾、台積電、三星到美國設廠，大約都是在2024或2025年量產，可能對先進製程產生供過於求的問題，這是比較有風險的地方，值得大家留意...
2024年8月13日 · 研究公司集邦科技指出，B200、GB200等產品單一GPU功率就超過1,000W，HGX型號一組就有8塊GPU，而NVL型號則每個機櫃有著高達36或72塊GPU，傳統的風冷已經漸漸難以負荷。 NVL36預計還會採用風冷、液冷結合的作法，而NVL72則會以液冷為主。 《華爾街日報》指出，AI伺服器供應商美超微（Super Micro Computer）就強調，液冷系統可將資料中心的耗能降低30%到40%；輝達也提到， 液冷技術可以省下風扇空間，使得資料中心內可以容納倍於風冷的運算能力 。 另外，風扇揚起的灰塵還可能影響硬體效能。 延伸閱讀： 液冷散熱是什麼？ 跟水冷有何不同？ 解析下一個明星技術. 液冷散熱普及兩大難題：漏水、供應不穩定.
2023年10月26日 · 環球晶董事長徐秀蘭於今出席國際光電大展，宣布將於2025年量產8吋碳化矽晶圓，為國內首家量產廠商，力拼擴大全球市占。 ＃第3類半導體. 邱品蓉. 分享. 收藏. 環球晶董事長徐秀蘭於今（26日）現身台灣國際光電大展，表示日月光將會在明年完成8吋碳化矽（SiC）的客戶驗證，良率已突破50%，預定在2025年量產。 徐秀蘭在今日推翻先前預期，表示8吋需求比原本想像得更早到來，預估於2026年時，8吋碳化矽出貨量將超越6吋，兩者合計年出貨量達100萬片。 8吋碳化矽有望降低設備壁壘！ 8吋碳化矽主導大廠為Wolfspeed，目前已率先步入量產。 徐秀蘭指出，從6吋跳到8吋，當中最高的門檻就是設備。
2024年5月29日 · 簡略解析晶圓製作程序，當工程師規劃好晶圓上各區域的功能後，會將電路圖刻在石英片上面製作成「光罩」，當光束從光罩上方照下來，經過由透鏡組成的光學系統照射到晶圓後，再進行顯影、蝕刻和清洗等程序，就可以將電路圖從光罩轉移到晶圓上。 以上程序中的關鍵，即那道微影「光束」，就是EUV曝光機的價值所在，有了這門技術，我們日常生活中使用的3C裝置，例如智慧型手機、智慧型手錶，甚至是遊戲機，才能以更小的晶片、更強悍的性能，為人類的生活服務。 具體來說，現階段High-NA EUV機台將數值孔徑從0.33 增加至0.55（例如 TWINSCAN EXE: 5000），更具高解析度圖像化能力，能夠使精準度提高、成像更加清晰且，每小時可列印超過 185個晶圓，將大大提高先進製成的產能。
