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  1. 2020年12月15日 · 主因是碳化矽氮化鎵這兩款新材料的生產不易嘉晶電子董事長徐建華從兩方面來解釋其一製造碳化矽晶圓的原料大多需要從國外少數供應商進口且製造成本偏高其二技術難度也是一大挑戰以氮化鎵為例在製程上必須將氮化鎵磊晶長在矽晶圓基板上由於兩者的晶格不同製作過程中容易翹曲破片矽晶圓基板也有規格要求導致整體量產難度高。 在半導體產業中,磊晶屬於材料部分,有耐高溫、耐高壓的特性,晶圓(Wafer)在製作過程中,有些IC設計公司及IDM(垂直整合製造)廠商的產品,需要用到有磊晶的晶圓,就會希望有業者協助備妥基板(substrate)和磊晶,嘉晶就是瞄準這些客群。 嘉晶董事長徐建華分析,磊晶有其特殊性,不容易用標準化方式生產,正因為嘉晶握有磊晶專利技術,得以創造與同業差異。

  2. 2024年1月2日 · 鴻鎵科技攜手日本電信集團子公司NTT-AT將氮化鎵快充導入日本市場販售為台灣第一家GaN廠商與日本大廠合作雙方持續擴大合作領域開發新款100W氮化鎵快充估計2024年問世。 未來將會與手機大廠一同開發,將GaN功率元件導入旗下品牌快充、積極跨進國際市場。 在半導體技術部分,鴻鎵亦積極搶進。 隨著AI、電動車、低軌衛星應用,半導體元件全面導入10奈米以下先進製程,然而在封裝過程中,將遇到嚴重靜電效應,生產良率降低等問題。 鴻鎵科技推出全新領先全球耐高溫300℃、具高耐磨特性的抗靜電技術,不僅可應用於GaN封裝製程良率提升,同時為先進半導體產業市場提供高效率、高可靠度的抗靜電解決方案。 鴻鎵科技指出,公司研發團隊長期致力半導體等級新材料研發。

  3. 2023年9月6日 · 而MOSFET全球市場規模2022-2023年約已達百億美元也就是說氮化鎵未來能取代的中低壓市場價值也有高達數十億美元。 接下來我們來了解: 1. 什麼是MOFEST與氮化鎵? 2. EPC(宜普)是誰?說話有份量嗎? 3. 全球氮化鎵大廠市占情況台廠與大廠的合作

  4. 2023年2月20日 · 撰文: 數位時代/邱品蓉 分類: G公司治理 圖檔來源: 數位時代/蔡仁譯攝影 日期: 2023-02-20. 「我們是全世界把氮化鎵GaN帶入車用上唯一有實績proven record)的公司。. 」GaN Systems全球業務發展副總裁莊淵棋在談到氮化鎵的未來時信心滿滿 ...

  5. 鴻鎵科技股份有限公司 – GaN Power Tech 氮化鎵. GaN 專業供應商. GaN EPI Wafer|GaN Process Wafer|GaN FET|Applications. GaN 領先科技. Leading the Technology by GaN Power Tech. (GPT) 產品介紹. 我們是全球唯一授權來自 NTT-AT 優秀氮化鎵磊晶技術. GaN EPI Wafer. GaN Process Wafer. GaN FET. 代理產品. 公司新聞 產品新聞. 2023 年 12 月 29 日. 公司新聞 產品新聞. 2022 年 10 月 21 日. 產品新聞. 2022 年 10 月 21 日. 公司新聞. 2020 年 7 月 15 日.

  6. 2020年5月26日 · 搶佔第三代半導體商機台廠積極投入氮化鎵製程開發! | TechOrange 科技報橘. AI 政府轉型賽,全球起跑! 當 AI 撞擊資安,企業如何重新整裝待發? 全新一週 Podcast. Apple Podcast. Spotify. Google Podcasts. 主題特展. 2024 AI 智慧大工廠系列論壇工具機產業特別場. 2024 AI 智慧大工廠北中南系列論壇-台北場. 2024H1 資安實戰演練大會. 2024 趨勢創新科技. 2024 AI 創新日. 2024 網紅行銷全攻略. 2023 資安創新高峰會-線上特展. 2023 智慧大工廠北中南系列論壇-線上特展. 2023 雲端超進化特展. 每週特企. AI 人工智慧. 電動車. 半導體. 智慧製造. 零售 / 金融.

  7. 2024年1月4日 · 2024-01-04. 記者/周子寧. 台廠首家! 氮化鎵 廠商鴻鎵科技正式啟動日系 供應鏈 。 鴻鎵科技致力於氮化鎵GaN相關研發專注提供節能省電的功率 半導體 元件及終端產品近年與日本電信集團子公司NTT-AT合作將氮化鎵快充導入日本市場今年鴻鎵科技預計除了與手機大廠進行共同開發將GaN功率元件積極推進國際市場鴻鎵科技與日本NTT-AT深化合作預計新款100W氮化鎵快充今年可問世。 圖/123RF. 鴻鎵科技與日本電信集團子公司NTT-AT合作,將氮化鎵快充導入日本市場,成為台灣第一家與日本大廠合作的GaN廠商,鴻鎵科技提供65W氮化鎵快充,並通過日本PSE認證;雙方也將持續擴大合作領域,開發新款100W氮化鎵快充,估計今年便可問世。

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