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- 氮化鎵概念股， 是指「 第三代半導體 ─ 氮化鎵 (GaN) 」有關的產品開發、設備製造、技術服務及業務銷售等公司股票，包含半導體材料應用產業的上游、中游、下游廠商合稱的一種股市術語，也是投資人用來挑選 氮化鎵 (GaN)相關股票 的選股方式。
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氮化鎵概念股， 是指「 第三代半導體 ─ 氮化鎵 (GaN) 」有關的產品開發、設備製造、技術服務及業務銷售等公司股票，包含半導體材料應用產業的上游、中游、下游廠商合稱的一種股市術語，也是投資人用來挑選 氮化鎵 (GaN)相關股票 的選股方式。 上游：IC設計、IDM、生產原料製造商、進出口貿易商。 中游：氮化鎵 (GaN)材料晶圓製造、代工、設備廠商。 下游：氮化鎵 (GaN)半導體封裝測試與產品應用，包括：電動車、太陽能、柴油車…等。 基本上，與「氮化鎵 (GaN)開發、生產與應用」有高度相關或佔據一定比例的公司或行業，相關個股價格和產業發展都會有密切關係，例如：半導體材料、碳化矽Sic、封測、電動車、再生能源、IC設計、晶圓代工…等。
2021年9月2日 · 隨第三代半導體材料的寬能隙（WBG）功率元件開始被大量應用在5G基地台、低軌道衛星、電動車、手機快充等市場，台灣 半導體生產鏈近年來在氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）領域布局已有不錯成果，法人看好台積電（2330）、世界先進（5347）、漢磊
2024年2月21日 · 台股和美股加總的氮化鎵概念股共有 7 間公司，包括科沃、環球晶、WOLF、納微半導體、漢磊...等。 其他相關概念股還有 碳化矽 、 砷化鎵基板 、 碳化矽基板 、 晶圓製造 、 氮化鎵功率IC設計 。
- 什麼是第三代半導體?
- 需求引爆點：5G 以及電動車時代
- 台股相關概念股
- 未來前景看好，及早布局搶占先機
半導體材料歷經 3 個發展階段：
第一代半導體材料以矽 (Si) 為主，是目前最大宗的半導體材料，成本相對便宜，製程技術發展最成熟，應用領域也最廣泛，目前熟知的 CPU、GPU、記憶體都是矽晶圓產品。第二代半導體材料以砷化鎵 (GaAs) 以及磷化銦 (InP) 為主，具高頻率、低雜訊、高效率及低耗電等特性，多用於光電和通訊元件，以智慧型手機搭載的 3D 感測器 (VCSEL) 與功率放大器 (PA) 為代表性產品；第三代半導體以碳化矽 (SiC) 及氮化鎵 (GaN) 為代表，特性為導通電阻小、切換頻率高，適合用於高頻率、高電壓且耐高溫的應用場域，因而成為發展5G、超高壓產品如電動車以及功率半導體的新選項。雖然第一代的矽材料原料上取得方便，製程技術又相對成熟，但在高頻高壓的應用領域上，材料特性已達物理極限，無法再提升產品效能，隨著 5G、電動車等高頻高壓應用領域擴大，越來越多公司朝下世代寬能隙半導體元件尋求突破。
快速充電
隨著智慧型手機的性能持續升級，所需的功耗相應增加，以致於電池容量越來越大，然而另一方面為了兼顧輕薄短小，電池容量能增加空間有限，因此藉由提高充電速度、節省充電所需時間，快充技術近年來已蔚為趨勢，相比傳統矽電晶體，氮化鎵可以使電源效率更高、溫度更低、尺寸更小，實現大功率電源無散熱片設計，因而成為氮化鎵在消費產品的突破口。手機大廠 Oppo 2019 年在 Reno Ace 旗艦手機所配的 65W 原裝快充導入氮化鎵技術，是氮化鎵首次進入大規模的智慧型手機市場，2020年小米推出更輕巧便宜的氮化鎵快充，可望帶動氮化鎵在消費性產品的普及率。
5G 通訊元件
5G 所使用的毫米波具備高頻短波長的物理特性，因此訊號傳遞所面臨的路徑損耗 (Path Loss) 劇增，是發展 5G 通訊毫米波 (mmWave) 頻段所需面對的一個關鍵挑戰，為了克服這項問題，建置 5G 的基礎設施必須使用大型的天線陣列，然而大型的天線陣列不可避免地將大幅提升基地台的功耗和散熱，此時借助氮化鎵具有更高的功率密度的特性，可以實現小尺寸、高效率、高功率密度的功率放大器 (PA) 。
電動車
碳化矽及氮化鎵的耐高電壓、散熱性佳與適合高頻運作的優勢，可以讓車載元件相較於傳統元件輕量化，其低導通電阻及低切換損失的特性，還能提升車輛的節能效益，有效提升電動車的續航力。
整體來看，目前台灣業者布局第三代半導體，仍延續第一代半導體，主要以晶圓代工的商業模式切入，少部分的業者除了晶圓代工外，也往上游發展磊晶的研發製造能力。由於第三代半導體目前位於發展初期，市調機構 Yole Development 預估 2020 年整體市場規模約在 5-6 億美元之譜，2021 年達 10 億美元。因此對於大型晶圓代工廠，如：台積電聯電等晶圓雙雄來說，對其營運成長幅度助益相對較小，但對於專攻化合物半導體的小型晶圓代工業者或是磊晶業者來說，十億美元的市場規模已能提供相當幅度的成長，因此針對第三代半導體的概念股，本文從成長空間相對較大的小型的晶圓代工業者漢磊 (3707) 以及環宇-KY (4991) 切入分析評價。
第三代半導體具備耐高電壓、低阻抗與切換速度快等特性，適合應用在功率半導體、射頻開關元件等領域，快充成為進入消費市場的突破口，未來兩三年將步入快速成長階段，對於中小型晶圓代工業者說，將是下一波成長動能，題材發酵前，可伺機提早佈局相關概念股。
2021年4月6日 · 國際氮化鎵元件供應商除 Cree 和 ROHM 等外，主要集中在上游 IC 設計及 IDM 廠，可歸類為三五族公司，如 Skyworks、Qorvo、Broadcom、MURATA，以及生產設計功率元件公司如英飛凌、STM、NXP、TI 等。 此外，碳化矽供應鏈則可分為長晶／晶錠、晶圓加工、磊晶、IC 設計及晶圓製造等。 台灣相關業務主要集中在晶圓代工廠，包括台積電、穩懋、世界先進、漢磊，以及磊晶廠全新、嘉晶、環球晶。 另外，太極能源子公司盛新材料布局長晶，生產碳化矽基板，目前也已進入產品送樣階段。
2023年3月15日 · 華冠投顧分析師劉烱德表示，第三類半導體碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）的特性是在高功率及耐高溫耐高壓，剛好就是全球發展電動車、充電樁、低軌衛星、5G 通訊、ESG 企業永續經營、綠能及儲能，所必須用到的新材料。 劉烱德指出，台廠在第三類半導體目前是晶圓代工的製造強，但是上游基板及 IC 設計的兩端弱，而製造晶圓的成本，基板占 50%、磊晶占 25%、元件晶圓占 20%，主要廠商都在國外，台廠又缺全方位 IC 設計人才，像是第三類半導體晶片 IC 設計需要結合數學、物理、電磁波、電子、電機、機械多面向專業。
2021年10月30日 · 國內第三代半導體題材炒得火熱，碳化矽（SiC）概念股漲翻天，但在第三代半導體扮演更關鍵角色的氮化鎵（GaN）族群，一直是全球科技論壇上被探討最多的技術商機，但今年在台股市場上，卻未受到太多的關注。 隨著全球GaN快充IC龍頭大廠納微半導體（Navitas）日前正式在那斯達克掛牌上市，國內首檔跨足低軌道衛星及5G毫米波基地台GaN...
