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正常值. IgG 7.6-166g/L；IgA 0.71-3.35g/L；IgM 0.48-2.12g/L；IgD 0.01-0.04g/L；IgE 0.001-0.009g/L。 臨床意義. Ig顯著減低： ①見於先天性低丙種球蛋白血症，如 IgG、IgA、IgM三種全缺的Bruton病（僅限於男性），三種Ig缺某一或二種（減少或無能）的丙種球蛋白異常血症，後者最多見的是IgA缺乏症（隱性遺傳）。 ②見於獲得性低丙種球蛋白血症（如腎病綜合徵、蛋白質丟失性腸病、先天性風疹病等）以及瑞（Swiss）氏胸腺發育不全伴無丙種球蛋白血症。 lg明顯增高 ①見於免疫性疾病，如系統性紅斑狼瘡急性期、慢性活動性肝炎、類風濕性關節炎活動期等。
- 概觀
- 基本介紹
- 結構
- 工作特性
- 原理
- 發展歷史
- 研發進展
- 對比
- 檢測
- 模組介紹
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型電晶體，是由BJT(雙極型三極體)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合套用於直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
IGBT模組是由IGBT（絕緣柵雙極型電晶體晶片）與FWD（續流二極體晶片）通過特定的電路橋接封裝而成的模組化半導體產品；封裝後的IGBT模組直接套用於變頻器、UPS不間斷電源等設備上；
IGBT模組具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點；當前市場上銷售的多為此類模組化產品，一般所說的IGBT也指IGBT模組；隨著節能環保等理念的推進，此類產品在市場上將越來越多見；
IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰略性新興產業，在軌道交通、智慧型電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域套用極廣。
•中文名：絕緣柵雙極型電晶體
•外文名：Insulated Gate Bipolar Transistor
•簡稱：IGBT
•特點：高耐壓、導通壓降低、開關速度快
左邊所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極電晶體結構， N+區稱為源區，附於其上的電極稱為源極（即發射極E）。N基極稱為漏區。器件的控制區為柵區，附於其上的電極稱為柵極（即門極G）。溝道在緊靠柵區邊界形成。在C、E兩極之間的P型區（包括P+和P-區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（Subchannel region）。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區（Drain injector），它是IGBT特有的功能區，與漏區和亞溝道區一起形成PNP雙極電晶體，起發射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調製，以降低器件的通態電壓。附於漏注入區上的電極稱為漏極（即集電極C）。
IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP(原來為NPN)電晶體提供基極電流，使IGBT導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關斷。IGBT的驅動方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N-溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成後，從P+基極注入到N-層的空穴（少子），對N-層進行電導調製，減小N-層的電阻，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態電壓。
靜態特性
IGBT 的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性。 IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變數時，漏極電流與柵極電壓之間的關係曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區1 、放大區2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態下的IGBT ，正向電壓由J2 結承擔，反向電壓由J1結承擔。如果無N+緩衝區，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入N+緩衝區後，反向關斷電壓只能達到幾十伏水平，因此限制了IGBT 的某些套用範圍。 IGBT 的轉移特性是指輸出漏極電流Id 與柵源電壓Ugs 之間的關係曲線。它與MOSFET 的轉移特性相同，當柵源電壓小於開啟電壓Ugs(th) 時，IGBT 處於關斷狀態。在IGBT 導通後的大部分漏極電流範圍內， Id 與Ugs呈線性關係。最高柵源電壓受最大漏極電流限制，其最佳值一般取為15V左右。
動態特性
動態特性又稱開關特性，IGBT的開關特性分為兩大部分：一是開關速度，主要指標是開關過程中各部分時間；另一個是開關過程中的損耗。 IGBT 的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關係。IGBT 處於導通態時，由於它的PNP 電晶體為寬基區電晶體，所以其B 值極低。儘管等效電路為達林頓結構，但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分。此時，通態電壓Uds(on) 可用下式表示：： Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh 式中Uj1 —— JI 結的正向電壓，其值為0.7 ～1V ；Udr ——擴展電阻Rdr 上的壓降；Roh ——溝道電阻。 通態電流Ids 可用下式表示： Ids=(1+Bpnp)Imos 式中Imos ——流過MOSFET 的電流。 由於N+ 區存在電導調製效應，所以IGBT 的通態壓降小，耐壓1000V的IGBT 通態壓降為2 ～ 3V 。IGBT 處於斷態時，只有很小的泄漏電流存在。 IGBT 在開通過程中，大部分時間是作為MOSFET 來運行的，只是在漏源電壓Uds 下降過程後期， PNP 電晶體由放大區至飽和，又增加了一段延遲時間。td(on) 為開通延遲時間，tri 為電流上升時間。實際套用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和，漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成。 IGBT的觸發和關斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負向電壓，柵極電壓可由不同的驅動電路產生。當選擇這些驅動電路時，必須基於以下的參數來進行：器件關斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。因為IGBT柵極- 發射極阻抗大，故可使用MOSFET驅動技術進行觸發，不過由於IGBT的輸入電容較MOSFET為大，故IGBT的關斷偏壓應該比許多MOSFET驅動電路提供的偏壓更高。 IGBT在關斷過程中，漏極電流的波形變為兩段。因為MOSFET關斷後，PNP電晶體的存儲電荷難以迅速消除，造成漏極電流較長的尾部時間，td(off)為關斷延遲時間，trv為電壓Uds(f)的上升時間。實際套用中常常給出的漏極電流的下降時間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成，而漏極電流的關斷時間 t(off)=td(off)+trv十t(f) 式中：td(off)與trv之和又稱為存儲時間。 IGBT的開關速度低於MOSFET，但明顯高於GTR。IGBT在關斷時不需要負柵壓來減少關斷時間，但關斷時間隨柵極和發射極並聯電阻的增加而增加。IGBT的開啟電壓約3～4V，和MOSFET相當。IGBT導通時的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近，飽和壓降隨柵極電壓的增加而降低。 正式商用的IGBT器件的電壓和電流容量還很有限，遠遠不能滿足電力電子套用技術發展的需求；高壓領域的許多套用中，要求器件的電壓等級達到10KV以上，目前只能通過IGBT高壓串聯等技術來實現高壓套用。國外的一些廠家如瑞士ABB公司採用軟穿通原則研製出了8KV的IGBT器件，德國的EUPEC生產的6500V/600A高壓大功率IGBT器件已經獲得實際套用，日本東芝也已涉足該領域。與此同時，各大半導體生產廠商不斷開發IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠性、低成本技術，主要採用1um以下製作工藝，研製開發取得一些新進展。2013年9月12日 我國自主研發的高壓大功率3300V/50A IGBT（絕緣柵雙極型電晶體）晶片及由此晶片封裝的大功率1200A/3300V IGBT模組通過專家鑑定，中國自此有了完全自主的IGBT“中國芯”。
方法
IGBT是將強電流、高壓套用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由於實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特徵，IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。較低的壓降，轉換成一個低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結構，同一個標準雙極器件相比，可支持更高電流密度，並簡化IGBT驅動器的原理圖。
導通
IGBT矽片的結構與功率MOSFET 的結構十分相似，主要差異是IGBT增加了P+ 基片和一個N+ 緩衝層(NPT-非穿通-IGBT技術沒有增加這個部分)。如等效電路圖所示(圖1)，其中一個MOSFET驅動兩個雙極器件。基片的套用在管體的P+和 N+ 區之間創建了一個J1結。 當正柵偏壓使柵極下面反演P基區時，一個N溝道形成，同時出現一個電子流，並完全按照功率 MOSFET的方式產生一股電流。如果這個電子流產生的電壓在0.7V範圍內，那么，J1將處於正向偏壓，一些空穴注入N-區內，並調整陰陽極之間的電阻率，這種方式降低了功率導通的總損耗，並啟動了第二個電荷流。最後的結果是，在半導體層次內臨時出現兩種不同的電流拓撲：一個電子流(MOSFET 電流)； 一個空穴電流(雙極)。
關斷
當在柵極施加一個負偏壓或柵壓低於門限值時，溝道被禁止，沒有空穴注入N-區內。在任何情況下，如果MOSFET電流在開關階段迅速下降，集電極電流則逐漸降低，這是因為換向開始後，在N層內還存在少數的載流子(少子)。這種殘餘電流值(尾流)的降低，完全取決於關斷時電荷的密度，而密度又與幾種因素有關，如摻雜質的數量和拓撲，層次厚度和溫度。少子的衰減使集電極電流具有特徵尾流波形，集電極電流引起以下問題：功耗升高；交叉導通問題，特別是在使用續流二極體的設備上，問題更加明顯。 鑒於尾流與少子的重組有關，尾流的電流值應與晶片的溫度、IC 和VCE密切相關的空穴移動性有密切的關係。因此，根據所達到的溫度，降低這種作用在終端設備設計上的電流的不理想效應是可行的。
1979年，MOS柵功率開關器件作為IGBT概念的先驅即已被介紹到世間。這種器件表現為一個類晶閘管的結構（P-N-P-N四層組成），其特點是通過強鹼濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。
80年代初期，用於功率MOSFET製造技術的DMOS（雙擴散形成的金屬-氧化物-半導體）工藝被採用到IGBT中來。[2]在那個時候，矽晶片的結構是一種較厚的NPT（非穿通）型設計。後來，通過採用PT（穿通）型結構的方法得到了在參數折衷方面的一個顯著改進，這是隨著矽片上外延的技術進步，以及採用對應給定阻斷電壓所設計的n+緩衝層而進展的[3]。幾年當中，這種在採用PT設計的外延片上製備的DMOS平面柵結構，其設計規則從5微米先進到3微米。
90年代中期，溝槽柵結構又返回到一種新概念的IGBT，它是採用從大規模集成（LSI）工藝借鑑來的矽乾法刻蝕技術實現的新刻蝕工藝，但仍然是穿通（PT）型晶片結構。[4]在這種溝槽結構中，實現了在通態電壓和關斷時間之間折衷的更重要的改進。
矽晶片的重直結構也得到了急劇的轉變，先是採用非穿通（NPT）結構，繼而變化成弱穿通（LPT）結構，這就使安全工作區（SOA）得到同表面柵結構演變類似的改善。
這次從穿通（PT）型技術先進到非穿通（NPT）型技術，是最基本的，也是很重大的概念變化。這就是：穿通（PT）技術會有比較高的載流子注入係數，而由於它要求對少數載流子壽命進行控制致使其輸運效率變壞。另一方面，非穿通（NPT）技術則是基於不對少子壽命進行殺傷而有很好的輸運效率，不過其載流子注入係數卻比較低。進而言之，非穿通（NPT）技術又被軟穿通（LPT）技術所代替，它類似於某些人所謂的“軟穿通”（SPT）或“電場截止”（FS）型技術，這使得“成本—性能”的綜合效果得到進一步改善。
1996年，CSTBT（載流子儲存的溝槽柵雙極電晶體）使第5代IGBT模組得以實現[6]，它採用了弱穿通（LPT）晶片結構，又採用了更先進的寬元胞間距的設計。目前，包括一種“反向阻斷型”（逆阻型）功能或一種“反嚮導通型”（逆導型）功能的IGBT器件的新概念正在進行研究，以求得進一步最佳化。
IGBT（絕緣柵雙極電晶體）作為新型電力半導體場控自關斷器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極性器件的低電阻於一體，具有輸進阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電力變換中獲得極廣泛的套用。與此同時，各大半導體生產廠商不斷開發IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠、低本錢技術，主要採用1um以下製作工藝，研製開發取得一些新進展。
1、低功率IGBT
IGBT套用範圍一般都在600V、1KA、1KHz以上區域，為滿足家電行業的發展需求，摩托羅拉、ST半導體、三菱等公司推出低功率IGBT產品，實用於家電行業的微波爐、洗衣機、電磁灶、電子整流器、照相機等產品的套用。
2、U-IGBT
U（溝槽結構）--IGBT是在管芯上刻槽，晶片元胞內部形成溝槽式柵極。採用溝道結構後，可進一步縮小元胞尺寸，減少溝道電阻，進步電流密度，製造相同額定電流而晶片尺寸最少的產品。現有多家公司生產各種U—IGBT產品，適用低電壓驅動、表面貼裝的要求。
3、NPT-IGBT
輸出特性與轉移特性：
IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變數時，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關係曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區I、放大區II和擊穿區III三部分。IGBT作為開關器件穩態時主要工作在飽和導通區。IGBT的轉移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關係曲線。它與MOSFET的轉移特性相同，當柵極電壓VGE小於開啟電壓VGE(th)時，IGBT處於關斷狀態。在IGBT導通後的大部分集電極電流範圍內，IC與VGE呈線性關係。
IGBT與MOSFET的對比：
MOSFET全稱功率場效應電晶體。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。
主要優點：熱穩定性好、安全工作區大。
缺點：擊穿電壓低，工作電流小。
判斷極性
首先將萬用表撥在R×1KΩ擋，用萬用表測量時，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調換表筆後該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極(G )其餘兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆後測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為發射極(E)。
判斷好壞
將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT 的集電極(C)，紅表筆接IGBT 的發射極(E)，此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極(G)和集電極(C)，這時IGBT 被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，並能站住指示在某一位置。然後再用手指同時觸及一下柵極(G)和發射極(E)，這時IGBT 被阻斷，萬用表的指針回零。此時即可判斷IGBT 是好的。
檢測注意事項
任何指針式萬用表皆可用於檢測IGBT。注意判斷IGBT 好壞時，一定要將萬用 表撥在R×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT 導通，而無法判斷IGBT 的好壞。此方法同樣也可以用於檢測功率場效應電晶體(P-MOSFET)的好壞。
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型電晶體)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型電晶體複合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP電晶體，它融合了這兩種器件的優點，既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優點，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優點，其頻率特性介於MOSFET與功率電晶體之間，可正常工作於幾十kHz頻率範圍內，在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的套用，在較高頻率的大、中功率套用中占據了主導地位。
若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP電晶體的集電極與基極之間成低阻狀態而使得電晶體導通；若IGBT的柵極和發射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP電晶體基極電流的供給，使得電晶體截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發射極間施加十幾V的直流電壓，只有在uA級的漏電流流過，基本上不消耗功率。
檢測方法概述. 在正常情況下，血清中的lgE含量極小，用常規測定IgG或lgM的方法，是不能夠檢測出IgE的。 因此，必須採用高度敏感的放射免疫測定法，以及酶聯免疫測定法，才能進行對血清IgE的檢測。 1、放射免疫吸附劑試驗：是將抗IgE抗體吸附到固相載體上，用以檢測血清IgE的方法，故又稱固相放射免疫測定。 臨床常用雙抗體夾心法，而且多以濾紙作為載體來進行。 2、酶聯免疫測定法：測定血清IgE時，常用雙抗體夾心 ELISA法，操作方便，敏感性也很高，在臨床上經常套用。 3、間接血凝試驗：用抗IgE致敏 紅細胞 ，將標本血清做系列稀釋之後，與致敏紅細胞發生反應。 這種方法更加簡便易行，便於普及，但敏感性比前兩種方法稍低。 血清免疫球蛋白E (IgE)
np和p圖適用的基本情況相同，通常在製程中有以下幾種狀況使用不良數管制圖比較多： (1) 自動化程度高. 在自動化程度較高，人為因素相對較少，對不良分析是以計時為主時 (此時也可以用不良率管制圖)。 (2) 不良數低. 當不良相對較低時，用PPM不良率分析又較難時。 (3) 批量低. 當批量相對較低，用不良率難以分析。 (4) 各批檢驗數相同. 各批檢驗數相同，也可用不良數管制圖。 (5) 不合格品實際數量比不合格品率更有意義或更容易報告。 建立np控制圖的步驟. (1) 選擇控制項目. 選擇適合使用不良數控制圖的控制項目，如原材料不良數、某工序加工不良數、半成品不良數、成品不良數等。 (2) 收集數據. 1) 選擇子組的容量，頻率及數量.
【基本 解釋 】 [peak;peep;steal a glance] 從縫隙中窺測。 從隱蔽的位置窺測。 主觀上不想被人發現，而去看別人不讓看的，或不許看，或不能看的東西或事情。 如：在幕後偷看。 【 示例 】 明·馮夢龍 《 喻世明言 》第一卷：“王三巧兒聽得對門 喧嚷 ，不覺移步前樓，推窗偷看。 ”《 東周列國志 》第九十七回：“看看天晚，范雎命不該絕，死而復甦，從葦薄中張目偷看，只有一卒在旁看守。 范雎微嘆一聲。 英文翻譯. topeep at;to peek; to steal a glance at. peak;peep;steal a glance. 相關詞條. 偷看(詞語釋義) 偷看 是指從隱蔽的位置窺測。 ......
基本介紹. 中文名 ：革蘭氏染色. 外文名 ：Gram stain. 所屬學科 ：細菌學. 發明時間 ：1884年. 發明人 ：漢斯·克里斯蒂安·革蘭. 結果 ：呈紫色，呈紅色. 是否有誤差 ：是. 方法簡介. 革蘭氏染色法 是細菌學中廣泛使用的一種鑑別染色法，這種染色法是由一位丹麥醫生 漢斯·克里斯蒂安·革蘭 （Hans Christian Gram，1853年－1938年）於1884年所發明，最初是用來鑑別肺炎球菌與克雷白氏肺炎菌之間的關係。 未經染色之細菌，由於其與周圍環境折光率差別甚小，故在顯微鏡下極難觀察。 染色後細菌與環境形成鮮明對比，可以清楚地觀察到細菌的形態、排列及某些結構特徵，而用以分類鑑定。 陽性紫色陰性紅色. 相關. 致病菌與抗菌藥選擇.
基本介紹. 中文名 ：失神性癲癇. 外文名 ：absence epilepsy. 一、病因及相關疾病. 近來以腦電圖同步功能MRI (functional MRI，fMRI)定位研究發現，丘腦結構可能與失神性癲癇GSWD的發放有關，而以大腦額葉、頂葉等默認網路腦區的功能抑制可能與失神發作時意識喪失有關。 二、鑑別診斷. 失神性癲癇的臨床症狀：發作時意識混濁，精神錯亂，輕度意識障礙時，只有思維及反應變慢，不易被發現，當有嚴重意識混濁時，則緘默不語或語言單調、少動、定向力喪失，也可發展成木僵昏睡狀態，所有的精神活動都喪失，患者僅對強烈的刺激有反應，部分患者發作時有面、瞼及手的自動症，發作可持續30min～12h或更長。 失神性癲癇狀態以兒童多見，但有相當一部分出現於成人。
