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  1. 人體靜電消除設備 相關

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  1. 在電導率高於50pS/m的流體中靜電積累的速率和電荷中和的速率相等或比它更低所以靜電難以累積起來化學工業中50pS/m是判斷是否需要為設備添加除靜電裝置的標準煤油的電導率從少於1pS/m到20pS/m不等相比之下去離子水的電導率pS/m

  2. (英語: Electrostatic-sensitive device ,通常縮寫為 )是可能由人員、工具和其他 非導體 或 半導體 上形成的常見 靜電 損壞的任何組件(主要是電氣)。 隨著計算機中央處理器(CPU)等電子部件越來越密集地包裝著 電晶體 ,電晶體逐漸縮小,變得越來越容易受到ESD的影響。 常見的靜電敏感裝置包括: MOSFET 電晶體,用於製造集成電路(IC) CMOS IC(晶片),用MOSFET構建的集成電路。 例如電腦的 CPU 、 GPU 。 TTL 晶片. 雷射二極體. 藍色 發光二極體 (LED) 高精度電阻. ESD保護設備符號的概念是為了回應計算機系統製造商Sperry Univac對靜電敏感組件的使用和故障的增加。

  3. 靜電放電材料 (ESD 材料, ESD 為 Electrostatic Discharge 的通用簡寫),或稱防靜電材料,是能夠減少 靜電 ,以保護 靜電敏感設備 與 易燃 氣體或液體的材料,通常為一種特殊的塑膠、矽膠、或橡膠材質。 材料分類 [ 編輯] 靜電放電材料通常依照相關特性分為以下幾類抗靜電或稱防靜電 (Anti-static)、導電 (Conductive)、靜電消散 (Dissipative) [1] [2] 導電 [ 編輯] 導電材料的電阻低,因此電子可以容易的流過這些材料的表面或內部。 電荷會流向大地或與材料接觸的另一個導電物體。 靜電消散 [ 編輯] 與導電材料相比,靜電消散材料可以使電荷以更受控的較慢方式流到大地或其他導體。 防靜電 [ 編輯]

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  5. 人體模型HBM 靜電放電ESD模型的一種是分析電子元件對 靜電放電 耐受性特性時,最常使用的模型。 此模型是模擬帶有靜電的人碰到電子元件時,在幾百 奈秒 (ns)的時間內產生數安培的瞬間放電電流。 對2千伏的ESD放電電壓而言,其瞬間放電電流的尖峰值大約是1.33 安培。 [1] 法規 [ 編輯] 十九世紀時,人們曾用這種模型來調查礦坑中的氣體混合物爆炸事件。 美國軍用標準 MIL-STD-883的第3015.8號方法建立了一個簡化的等效 電路 ,以及模擬人體模型需要的測試程序。 [2] 另一個國際廣為使用的法規是ANSI/ESDA-JEDEC JS-001:靜電放電敏感度測試 [3] 。

  6. 靜電放電模型 [ 編輯] JEDEC 標準定義了三種靜電放電模型ESD Model)以及對應的測試方法,分別是 人體模型Human Body Model,簡稱HBM),機器模型(Machine Model,簡稱MM),充電器件模型(Charged-Device Model,簡稱CDM)。. 其中最廣泛使用的是人體模型,以一個100pF的 ...

  7. 人體模型HBM 靜電放電ESD模型的一種是分析電子元件對 靜電放電 耐受性特性時,最常使用的模型。 此模型是模擬帶有靜電的人碰到電子元件時,在幾百 納秒 (ns)的時間內產生數安培的瞬間放電電流。 對2千伏的ESD放電電壓而言,其瞬間放電電流的尖峰值大約是1.33 安培。 [1] 法規 [ 編輯] 十九世紀時,人們曾用這種模型來調查礦坑中的氣體混合物爆炸事件。 美國軍用標準 MIL-STD-883的第3015.8號方法建立了一個簡化的等效 電路 ,以及模擬人體模型需要的測試程序。 [2] 另一個國際廣為使用的法規是ANSI/ESDA-JEDEC JS-001:靜電放電敏感度測試 [3] 。

  8. 靜電屏蔽 現象是指對於一個接地的空腔導體外接電場不會影響腔內的物體腔內帶電體的電場也不會影響腔外的物體靜電屏蔽的應用很廣泛例如電子儀器外的金屬網罩電纜外層包裹的金屬皮等都是用於防止外部電場對內部的影響需要注意如果外部的電場是交變電場則靜電屏蔽的條件不再成立另見 電磁屏蔽 。 放電現象 [ 編輯] 主條目: 靜電放電. 人體放電 [ 編輯] 主條目: 人體模型 (靜電放電) 靜電放電 指 靜電 的 正電荷 或是 負電荷 逐漸累積,與周圍環境產生 電位差 ,經由放電路徑而產生的電荷在不同電位之間移轉的現象。 西元三世紀, 晉朝 的 張華 在《 博物志 》中記載:「今人梳頭,解著衣,有隨梳解結,有光者,亦有吒聲」。