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2024年4月28日 · 请教前辈们，为啥snapback时，器件两端电压随着电流的增大反而减小呢？一直不太能理解这个现象，网上是这么描写的：三极管导通，不需要太大的电压就能维持电流，所以呈现负 ... 请教下如何理解snapback现象？ ,EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)
2011年12月16日 · 大家好： 小弟初学半导体，初学sentaurus。. 现在使用sentaurus仿真ggnmos的snapback现象。. 可是出现了如图所示的问题，只有雪崩击穿，没有二次击穿。. 模型部分Thermodynamic和Thermodynamic均已添加，求解部分也是包含热仿真。. 半导体, 模型, 如图所示.
2022年10月27日 · Snap-Back和Latch-up应该是CMOS寄生特性里面最经典的理论了，其实他两个是同一个东西，都是NMOS和PMOS的寄生三极管等效电路开启进入正反馈状态下的回路导通状态，叫做Snap ... （别的论坛转过来的）CMOS寄生特性之SnapBack/Latchup ,EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)
2008年8月28日 · 我们在用带工厂提供的SNAPBACK曲线计算过2K时需要的总宽度和总面积时遇到这样的问题: 他们给出的数据是10u的PMOS管可以放10mA的电流,这里选的是高压PMOS管,因为高压NMOS管 给出的数据10u的NMOS管仅放2mA的电流,且他们也推荐使用PMOS管
PMOS也是有snapback的 只是特性弱。. 应该说是snapback 电压太高了，在PMOS breakdown 之前，内部电路早已被ESD 毁坏了。. 寄生PNP不行。. 空穴迁移率太低。. PMOS没有snapback特性吗？. 为什么？. ESD电路；PMOS ,EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)
2013年11月28日 · 不需要加一些很特别的模型，加上有关载流子的Mobility，Recombination模型，Auger模型，Avalanche模型，BandBand模型，EffectiveIntrinsicDensity模型等等就够了，主要是在器件上加激励的时候注意用扫电流的方式，才能仿真出snap-back现象。. 扫电压是仿不出snap-back的。.
2012年11月30日 · 回到标题的问题，nmos的sab以及dcp距离一是保证寄生的ballast res能够辅助均匀导通，二是sab防止了esd直接打到gate上。. pmos因为没有snapback，所以多叉指均匀没有问题。. 距离可以缩小，至于有没有sab我要去查一下（记性差了）. 在做ESD的layout时，因为面积要求，会偷 ...
2012年9月24日 · 同样的NMOS尺寸和layout情况下，GC能比GG有更低的trigger voltage Vt1，但二者最终的snapback voltage 是一样的。 但GC要增加cap，所以整个clamp的面积要增加。 一种是利用NMOS自身的寄生drain-gate cap，这样不用增加面积，但cap值有限，不能及时响应更快的transient。
2023年7月25日 · 没有经过ESD设计，发生snapback器件一般就坏了。 单纯的HCI，是指的器件的退化，是可靠性问题，是不会马上坏的。LDMOS的HCI和CMOS的HCI基本原理是一样的，不过LDMOS有时候Isub是单峰，更多的时候是双峰。MOS只有单峰。 snapback来说LDMOS
2010年10月23日 · snapback是什么意思？谢谢大家啦 请教几个问题哈 snapback是什么意思？谢谢大家啦 ,EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开 马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。
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