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  1. 2021年5月14日 · 半導體研發再突破! 台灣大學、台積電與麻省理工學院(MIT)共同發表研究,首度提出利用「半金屬鉍」(Bi)作為二維材料的接觸電極,可大幅降低電阻並提高電流,使其效能幾與矽一致,有助實現未來半導體1奈米的挑戰。 這項研究已於《Nature》 期刊公開發表。 台大今(14日)指出,目前矽基半導體主流製程,已進展至五奈米及三奈米節點,晶片單位面積能容納的電晶體數目,也將逼近半導體主流材料「矽」的物理極限,晶片效能無法再逐年顯著提升。 一直以來科學界對二維材料寄予厚望,卻苦於無法解決二維材料高電阻、及低電流等問題,以至於取代矽成為新興半導體材料一事,始終是「只聞樓梯響」。 台大攜手台積電、美國麻省理工學院跨國研究登Nature (圖為研究團隊成員,由左至右為沈品均博士、吳志毅教授、周昂昇博士)

  2. 2015年7月20日 · 晶圓(wafer),是製造各式電腦晶片的基礎。. 我們可以將晶片製造比擬成用樂高積木蓋房子,藉由一層又一層的堆疊,完成自己期望的造型(也就是各式晶片)。. 然而,如果沒有良好的地基,蓋出來的房子就會歪來歪去,不合自己所意,為了做出完美的房子 ...

  3. 2022年1月3日 · 就難度來講碳化矽磊晶的挑戰相對較小因為碳化矽採用的磊晶材料與基板相同晶格匹配度較高主要用途是優化晶圓的晶體結構和品質相較之下第3類半導體的另一個關鍵材料——氮化鎵GaN),磊晶技術的好壞就是非常關鍵的要素

  4. 2024年1月12日 · 藍氫是透過天然氣製氫,所產生的二氧化碳,再搭配碳捕捉技術,降低碳排量;綠氫則是透過太陽能、風能等再生能源,把水電解產生氫與氧,是真正的零碳排氫能。 因此藍綠氫的碳排比藍氫低,但比綠氫高。 根據歐盟對低碳氫的認定為,每生產1公斤氫氣,產生的二氧化碳低於3.4公斤。 對台電來說,只要是低碳氫都可以使用,主要仍視價格成本來採購,藍氫、藍綠氫、綠氫都屬低碳氫。 台電綜合研究所能源研究室組長周儷芬表示,「綠氫是目前公認最環保的氫能發電方式,但綠氫生產成本高,國內再生能源也不足;因此在取得綠氫前,各種氫氣來源台電都會評估。 」不過,去碳燃氫要走到大規模商轉部署,首先得克服規模化的問題。 圖/ 數位時代.

    • 積體電路(Ic:Integrated Circuit)是什麼?
    • 場效電晶體(Fet:Field Effect Transistor)是什麼?
    • 閘極長度:半導體製程進步的關鍵
    • 鰭式場效電晶體(Finfet):將半導體製程帶入新境界
    • 環繞閘極場效電晶體(Gaafet):未來先進製程的發展方向
    • 台積電與三星仍將決戰鰭式場效電晶體
    • 未來三年台積電3奈米製程仍然領先全球

    將電的主動元件(二極體、電晶體)與被動元件(電阻、電容、電感)縮小以後,製作在矽晶圓或砷化鎵晶圓上,稱為「積體電路(IC:Integrated Circuit)」,其中「堆積(Integrated)」與「電路(Circuit)」是指將許多電子元件堆積起來的意思。 將電子產品打開以後可以看到印刷電路板(PCB:Printed Circuit Board)如圖一所示,上面有許多長得很像「蜈蚣」的積體電路(IC),積體電路的尺寸有大有小,我們以處理器為例邊長大約20毫米(mm),上面一小塊正方形稱為「晶片(Chip)」或「晶粒(Die)」,晶片邊長大約10毫米(mm),晶片上面密密麻麻的元件稱為「電晶體(Transistor)」,電晶體邊長大約100奈米(nm),而電晶體上面尺寸最小的結構稱為「閘...

    電晶體的種類很多,先從大家耳熟能詳的「MOS」來說明。MOS的全名是「金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET:Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)」, 構造如圖二所示,左邊灰色的區域叫做「源極(Source)」,右邊灰色的區域叫做「汲極(Drain)」,中間有塊金屬(紅色)突出來叫做「閘極(Gate)」,閘極下方有一層厚度很薄的氧化物(黄色),因為中間由上而下依序為金屬(Metal)、氧化物(Oxide)、半導體(Semiconductor),因此稱為「MOS」。 MOSFET的工作原理很簡單,電子由左邊的源極流入,經過閘極下方的電子通道,由右邊的汲極流出,中間的閘極則可以決定是否讓電子由下方通過,有點像是水龍頭的開關一樣,因...

    在圖二的MOSFET 中,「閘極長度(Gate length)」大約10奈米,是所有構造中最細小也最難製作的,因此我們常常以閘極長度來代表半導體製程的進步程度,這就是所謂的「製程節點(Node)」。 閘極長度會隨製程技術的進步而變小,從早期的0.18、0.13微米,進步到90、65、45、22、14奈米,到目前最新的製程10、7、5、3奈米,甚至未來的2奈米。當閘極長度愈小,則整個MOSFET就愈小,而同樣含有數十億個MOSFET的晶片就愈小,封裝以後的積體電路(IC)就愈小,最後做出來的手機就愈小囉! 但是要特別留意,並不是所有的電晶體都必須便用先進製程,而是要看不同元件需要的特性來決定,目前積體電路(IC)依照特性主要分為三大類: ➩數位積體電路(Digital IC):可以進行運算或儲...

    MOSFET的結構發明以來到現在已使用超過四十年,當閘極長度縮小到20奈米以下的時候遇到了許多問題,其中最麻煩的就是當閘極長度愈小,源極和汲極的距離就愈近,閘極下方的氧化物也愈薄,電子有可能偷偷溜過去產生「漏電(Leakage)」;另外一個更麻煩的問題,原本電子是否能由源極流到汲極是由閘極電壓來控制的,但是閘極長度愈小,則閘極與通道之間的接觸面積愈小,如圖三(a)綠色箭頭所示,也就是閘極對通道的影響力愈小,要如何才能保持閘極對通道的影響力(接觸面積)呢? 因此美國加州大學伯克萊分校胡正明、Tsu-Jae King-Liu、Jeffrey Bokor等三位教授發明了「鰭式場效電晶體(FinFET:Fin Field Effect Transistor)」,把原本2D構造的MOSFET改為3D的...

    大家猜猜,當閘極長度縮小到3奈米以下的時候,還有什麼辦法可以增加閘極與通道之間的接觸面積?就是閘極把電子通道完全包圍起來,如圖三(c)所示,稱為「環繞閘極場效電晶體(GAAFET:Gate All Around Field Effect Transistor)」,原理其實很簡單,就是增加閘極與電子通道的接觸面積,可以增加閘極控制效果。 由圖四可以看出,台積電與三星同時在2018年量產7奈米,英特爾在2021年量產落後三年;台積電與三星同時在2020年量產4奈米,英特爾在2022年量產落後二年;台積電與三星同時在2022年量產3奈米,英特爾計畫在2023年量產落後一年,因此英特爾並沒有大家想像的落後很多,當然宣布量產是一回事,良率多高又是另一回事,目前進度與良率都領先的只有台積電一家,這也是台...

    環繞閘極場效電晶體(GAAFET)的製程非常複雜,比鰭式場效電晶體(FinFET)困難許多,因此國外媒體報導三星 3 奈米 GAAFET製程良率僅 20%3,這個其實並不令人驚訝,但是三星高層指出,三星3奈米製程良率已達「完美水準」且毫不遲疑開發第二代3奈米製程4,事實如何就讓我們拭目以待吧! 其實GAAFET良率根本很難提高,因此三星未來可能的做法就是回頭使用FinFET製做3奈米,反正廠商說這個是幾奈米它就是幾奈米,因此我大膽預言:台積電與三星仍將決戰FinFET。為什麼GAAFET良率根本很難提高,這個用文章說不清楚,有興趣的人可以參考《曲博科技教室》的課程影片:三星宣布量產3奈米!是真的超車台積電?還是真正的苦難才剛開始? 根據國外媒體的報導,高通(Qualcomm)與聯發科(Med...

    台積電3奈米製程(N3)改良後的 N3B已經順利在2022Q4量產,但是未來還有下面幾個衍生的製程節點,如圖六所示: ➩N3E:犧牲尺寸成全良率、效能、功耗,2023Q2或Q3量產。 ➩N3P:製造工藝的性能增強版本,量產時間未定。 ➩N3S:縮小尺寸的密度增加版本,量產時間未定。 ➩N3X:超高性能的超頻版本,量產時間未定。 由於GAAFET困難度高,成本更高,大家是否能順利在2025年量產還是未知數,因此可以預期3奈米製程仍然是未來三年各家廠商競爭的主要標的,會使用很長一段時間,台積電利用3奈米衍生的製程節點,仍然能夠領先全球,比較令人憂心的還是美國補助英特爾、台積電、三星到美國設廠,大約都是在2024或2025年量產,可能對先進製程產生供過於求的問題,這是比較有風險的地方,值得大家留意...

  5. 2022年1月3日 · 由於砷化鎵具有高頻、高效率、低耗電和低雜訊等特性,可用於製造無線通訊的關鍵元件,廣泛應用在手機、平板或Wi-Fi 6等產品。 根據研調機構Strategy Analytics的報告,截至2020年,穩懋於砷化鎵射頻晶片(RF)代工的市占高達79.2%。 拆分射頻晶片模組,其中一個砷化鎵做的重要元件「功率放大器」(PA),主要功能是放大推送訊號。 以穩懋在射頻晶片代工市場的高市占率,加上每一支手機裡都有PA,而且愈高階的手機PA用量更高,可望更加提升穩懋在手機PA的地位。 相較於砷化鎵做的功率放大器,適合用於手機或平板等低電壓產品;要做出可支援大電壓及高頻的射頻元件,用於基地台或衛星通訊,則必須使用能承受高電壓的第3類半導體材料。

  6. 2023年5月10日 · 日本、韓國晶圓廠都靠台灣. Loy指出,至年底之前,英特格將在該廠區投資5億美元,提升先進液體過濾器、高潔淨度化學桶與先進沉積材料的產能。 廠區也具備多項技術與製程,可減少廢棄物、降低用水與耗能,並擴大採用再生能源。 英特格高雄全新廠區具備自動化與先進製造能力,提供最高品質的解決方案並減少廢棄物產生。 圖/ 英特格. 問起營運目標,Loy表示,英特格希望能在2025年達成廠區滿載。 而在滿載後,該廠於全球的銷售額期望達到5億美元,「這個廠不僅只供應台灣廠商,包含日本、韓國和新加坡的客戶,也會從這個廠來出貨。 目前英特格在台灣約有720名全職員工,任職於高雄廠區者約160名,預計至年底前增加至200名。