第三代半導體 碳化矽 相關
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第三代半導體是什麼?
碳化矽在高功率應用時有哪些基本限制?
SiC 電晶體與碳化矽基 GaN電晶体の年複合成長率有何不同?
半導體是什麼?
第三代半導體，不同於第一代半導體材料（矽 Si、鍺 Ge）與第二代半導體材料（砷化鎵 GsAs、磷化銦 InP），第三代半導體的主要材料則為碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）兩種，由於產品特性的不同，各代半導體也分別有不同領域的應用。
2021年9月22日 · 第三代半導體是目前高科技領域最熱門的話題，在 5G、電動車、再生能源、工業 4.0 發展中扮演不可或缺的角色，即使常聽到這些消息，相信許多人對它仍一知半解，好比第三代半導體到底是什麼？ 為何台積電、鴻海積極布局？ 台灣為什麼必須跟上這一波商機？ 對此，本系列專題將用最淺顯易懂、最全方位的角度，帶你了解這個足以影響科技產業未來的關鍵技術。 從這裡可透過《Google 新聞》追蹤 TechNews. 科技新知，時時更新. 科技新報粉絲團 加入好友 訂閱免費電子報. 關鍵字: 5G , GaN , SiC , 第三代半導體 , 電動車. Post navigation.
2021年12月24日 · 第三代半導體又稱寬能隙半導體（Wide-bandgap Semiconductor，WBG），以 SiC（碳化矽）、GaN（氮化鎵）兩種化合物半導體為代表。 與傳統的 Si 相比，擁有耐高溫高壓、高功率、低耗損等優勢。 以 SiC 為例，其能隙為 Si 的 3 倍，使其可承受電壓為 Si 的 10 倍，可承受溫度為 3 倍，因此非常適合用在電動車、5G 等要求高壓、大電流且須高溫運行的應用。 Source：engineering.com. 而 GaN 則通常以磊晶方式長在 Si 或 SiC 上（關於磊晶，可參考 <第三代半導體發展近況？
2022年12月14日 · 邱品蓉. 隨著電動車商機持續發酵，第三類半導體的發展也持續受到關注。 資策會今（14日）表示，自2023年開始，隨著8吋矽晶圓的成本效益提升，第三類半導體相關台廠表現將會更加活躍。 碳化矽晶圓開始往8吋轉進，帶動台廠供應鏈. 由於當前諸如第三類半導體材料大廠Wolfspeed、II-VI（貳陸）等企業開始啟動8吋晶圓量產，顯示碳化矽（SiC）正逐漸從過去常見的6吋往8吋轉進，資策會指出，這對於台廠在2023年8吋碳化矽的量產開發上，將產生四項影響。 延伸閱讀： 無懼對手虎視電動車大餅，Wolfspeed如何穩居碳化矽基板之王？ 首先，是部分台廠將會跟進8吋碳化矽晶圓的開發。
2021年8月22日 · 電動車、5G基建帶動功率元件需求使第3代半導體地位竄升，但碳化矽基板是關鍵，由於掌握基板過半供應量，且先投資第3代半導體發展，IDM廠比代工廠具優勢， ＃特斯拉. 中央社. 半導體產業高度分工，連半導體巨擘英特爾（Intel）也擴大與晶圓代工廠台積電合作。 但新興熱門的第3代半導體發展情況可能不同，產業分析師預期3至5年內仍是IDM廠主導，代工生存空間小。 半導體產業發展超過60年，產業高度垂直分工，台積電創辦人張忠謀開創晶圓代工商業模式，帶動IC設計業蓬勃發展。 近年整合元件製造（IDM）廠也逐步擴大委外代工，英特爾新繪圖晶片將採用台積電5奈米、6奈米及7奈米三大先進製程。 第3代半導體由科瑞及英飛凌等外商把持天下。 圖／ 取自英飛凌官方圖庫.
2022年4月12日 · 近年來有關第三代半導體的市場題材相當多，其中最令人矚目者，當屬碳化矽 (SiC)功率元件在電動車的應用商機了。 SiC元件在電動車的系統應用主要是逆變器、車載充電器 (OBC)以及直流變壓器等。 相較於傳統矽基模組效能，其可減少約50%電能轉換損耗、降低20%的電源轉換系統成本，並能提升電動車4%左右的續航能力。 目前電動車技術在世界各國淨零碳排政策強力帶動下，已成為未來10年全球汽車產業的發展重點，許多大廠爭相投入此領域布局。 例如鴻海集團在2021年斥資37億元進駐竹科，藉由併購旺宏6吋廠成立全資子公司「鴻揚半導體」，作為其SiC研發中心，打造完整的電動車供應鏈。
2021年8月21日 · 第一是美國電動車大廠特斯拉（Tesla）搶先採用第三代半導體碳化矽（SiC），讓 SiC 元件得以實際發揮散熱性佳，及提高電動車續航力等特色。 第二是全球環保意識抬頭，各國政府為達到碳中和、淨零碳排，紛紛訂定淘汰燃油車的時間表，促使車廠加速轉進電動車。 第三是中國為記取矽基半導體受制於美國的教訓，政策大力支持發展第三代半導體。 有別於中國砸錢補貼的作法，楊瑞臨表示，美國政府推動的基建計畫中將大舉建置充電樁，這將為第三代半導體 SiC 創造市場。 第三代半導體是以SiC及氮化鎵（GaN）為主要材料，有別於第一代半導體以矽（Si）、鍺（Ge）為主要材料，及第二代半導體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、鋁砷化鎵（AlGaAs）為主要材料。
