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  1. 2024年4月2日 · 身為目前最強的AI加速運算單元,Blackwell GPU不但具有強悍的效能,還可透過串接多組GPU方式構建「超大型GPU」,帶來更的總體效能與吞吐量。 Menu 電腦王

  2. 2024年3月7日 · 高頻記憶體(High Bandwidth Memory,HBM)是三星電子、AMD和SK海力士發起的一種基於3D堆疊工藝的高效能DRAM,適用於高記憶體頻寬需求的應用場合,像是圖形處理器、網路交換及轉發裝置(如路由器、交換器)等。

  3. 2015年7月19日 · 純化分成兩個階段,第一步是冶金級純化,此一過程主要是加入碳,以氧化還原的方式,將氧化矽轉換成 98% 以上純度的矽。 大部份的金屬提煉,像是鐵或銅等金屬,皆是採用這樣的方式獲得足夠純度的金屬。 但是,98% 對於晶片製造來說依舊不夠,仍需要進一步提升。 因此,將再進一步採用西門子製程(Siemens process)作純化,如此,將獲得半導體製程所需的純度多晶矽。 矽柱製造流程(Source: Wikipedia ) 接著,就是拉晶的步驟。 首先,將前面所獲得的純度多晶矽融化,形成液態的矽。 之後,以單晶的矽種(seed)和液體表面接觸,一邊旋轉一邊緩慢的向上拉起。

    • 揮發性記憶體分 2 種,Sram 和 Dram
    • 主記憶體子系統
    • Channel 和 DIMM
    • Rank 和 Chip
    • Bank、Row、Column

    RAM(Ramdom Access Memory)隨機存取記憶體,之所以稱作「隨機存取」,是因為相較於早期的線性儲存媒體(磁帶)而言,因為磁帶的存取是線性的,存取時間會依目前磁帶位置和欲存取位置的距離而定,需轉動磁帶至應有的位置,距離越長、轉得越久、存取時間也就越久。而 RAM 沒有這種煩惱,存取時間為固定值,不會因為資料在記憶體的位置而影響存取時間。 而 RAM 在電腦裡又可大致上分為 2 種:SRAM 和 DRAM,兩者的基礎原理差不多,都是將電荷儲存至內部,藉由改變不同的電荷儲存 0 或是 1。SRAM(Static Random Access Memory)靜態隨機存取記憶體和 DRAM(Dynamic Random Access Memory)有著幾點不同,SRAM 的結構較複雜、...

    DRAM 由於製造簡單、高密度,作為電腦內部的主記憶體再適合不過了。但是由於主記憶體擺放在 CPU 之外,從工廠出來的晶粒需要封裝和組合之後才可和 CPU 連結,因此從 CPU 至 DRAM 晶粒之間依據層級由大至小為 channel>DIMM>rank>chip>bank>row/column,接下來就一一說明這些部分。 ▲主記憶體由大至小,由上往下可做這樣的拆分。 ▲主記憶體從 channel 至 chip 的相對應關係。 ▲chip 往下拆分為 bank。 ▲bank 往下拆就是 1 個個的儲存單元,橫向 1 排稱之為 row,直向 1 排稱之為 column,每排 column 的下方都有個 row buffer,用以暫存讀出來的 row 排資料。 ▲單一 DRAM 晶片的內部功能區...

    從記憶體控制器出來之後,最先遇到的就是 channel,每個 channel 需要配有 1 組記憶體控制器、2 個 channel 配置 2 組……以此類推。而每個 channel 中能夠擁有許多組 DIMM(Dual In-line Memory Module),DIMM 也就是目前消費者能夠在市場上買到的記憶體模組,因為多年前的主機板必須購買記憶體顆粒(chip)直接插在主機板上,而後發展出 SIMM(Single In-line Memory Module),將多組記憶體顆粒焊在 1 片電路板上,成為記憶體模組,再將此電路板插在主機板上。接著為了增加資料吞吐量,將 1 條記憶體模組的頻寬從 SIMM 的 32bit 改換成 DIMM 的 64bit,這設計依然沿用至今。 從記憶體顆粒過...

    rank 指的是連結到同 1 個CS(Chip Select)的記憶體顆粒 chip,記憶體控制器能夠對同 1 rank 的 chip 進行讀寫操作,而在同 1 rank 的 chip 也分享同樣的控制訊號。以目前的電腦來說,因為 1 組 channel 的寬度為 64bit,所以能夠同時讀寫 8byte 的資料,如果是具有 ECC 功能的記憶體控制器和 ECC 記憶體模組,那麼 1 組 channel 的寬度就是 72bit。 ▲rank 1 和 rank 2 共享同組 address/comand 訊號線,利用 chip select 線選擇欲讀取或是寫入的那一組,之後將資料經由 MUX 多工器送出。 有些人會有錯誤觀念,以 chip 的數量或是以記憶體模組的單、雙面進行 rank 的判...

    bank 再往下分拆就是實際儲存位元的電路,一般來說橫向選擇排數的線路稱為 row(row enable、row select、word line),直向負責傳遞訊號的線路為column(bitline),每組 bank 的下方還會有個 row buffer(sense amplifier),負責將獨出的 row 資料暫存,等待 column 位址送到後輸出正確的位元,以及判斷儲存的資料是 0 還是 1。 ▲1 個 bank 的讀取操作。 ▲1 個 bank 的寫入操作。 下一頁:記憶體的讀寫方式

  4. 2012年3月6日 · 由於多數使用者需求不,所以品牌電腦、筆電廠商,出貨配備的「系統開機碟」普遍不超過1TB。 其中3.5吋以500GB和1TB為主流,2.5吋主流已漸漸轉向750GB。

  5. 2017年6月12日 · 看到平均成績的數據,可以發現啟用Optane之後讀取速度差距很大。(圖表單位為MB/s) 持續寫入部分差異不大,但是在4K小檔寫入部分Optane還是有很大的幫助。(圖表單位為MB/s)

  6. 2019年9月6日 · 根據 Toshiba Memory 自行公布的 BG4 規格書與白皮書,BG4 運作耗電量相較 BG3 同樣容量等級,約高出 0.2W~0.4W 左右不等,倘若加進 BG4 效能提升幅度,BG4 每傳輸單位的耗電量反而下降許多。

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