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极紫外光刻 （英语：extreme ultraviolet lithography，台湾称为 极紫外光微影 ，简称“EUV”或“EUVL”）又称作 超紫外线平版印刷术, 是一种使用 极紫外光 波长的 光刻 技术，目前用于7 纳米 以下的先进制程，于2020年得到广泛应用 [1] [2] [3] [4] 。 DUV微影制程 [ 编辑] 晶圆制造过程里有一道程序是将设计好的电路图案 (Pattern)缩小转印到晶圆上，此道制程便称之为 光刻, 7奈米以前的制程使用248或193奈米波长的光做为光源来进行微影。
極紫外光微影 （英語：extreme ultraviolet lithography，中國大陸稱為 極紫外光刻 ，簡稱「EUV」或「EUVL」）又稱作 超紫外線平版印刷術, 是一種使用 極紫外光 波長的 微影 技術，目前用於7 奈米 以下的先進製程，於2020年得到廣泛應用 [1] [2] [3] [4] 。 DUV微影製程 [ 編輯] 晶圓製造過程裡有一道程序是將設計好的電路圖案 (Pattern)縮小轉印到晶圓上，此道製程便稱之為 微影, 7奈米以前的製程使用248或193奈米波長的光做為光源來進行微影。
极紫外光刻 （英语：extreme ultraviolet lithography，台湾称为 极紫外光微影 ，简称“EUV”或“EUVL”）又稱作 超紫外線平版印刷術, 是一种使用 極紫外光 波長的 光刻 技術，目前用于7 納米 以下的先進製程，于2020年得到廣泛應用 [1] [2] [3] [4] 。 DUV微影製程. 晶圓製造過程裡有一道程序是將設計好的電路圖案 (Pattern)縮小轉印到晶圓上，此道製程便稱之為 光刻, 7奈米以前的製程使用248或193奈米波長的光做為光源來進行微影。 早期市面上DUV微影製程機台的供應商以 Canon 以及 Nikon 為主, 浸润式光刻 （英语：Immersion lithography） 出現後DUV微影製程機台改由 艾司摩爾 所獨霸。
极紫外光刻 （英语：extreme ultraviolet lithography，中国大陆称为 极紫外光刻 ，台湾称为 极紫外光微影 ，简称“EUV”或“EUVL”）又称作 超紫外线平版印刷术, 是一种使用 极紫外光 波长的 光刻 技术，目前用于7 纳米 以下的先进制程，于2020年得到广泛应用 [1] [2] [3] [4] 。 DUV光刻制程 [ 编辑] 晶圆制造过程里有一道程序是将设计好的电路图案 (Pattern)缩小转印到晶圆上，此道制程便称之为 光刻, 7纳米以前的制程使用248或193纳米波长的光做为光源来进行光刻。
- 概要
- 歷史發展
- 業績
1984年從荷蘭著名電子製造商飛利浦獨立，當時辦公室尙在母公司的空地一旁的木屋內，僅有百餘人陸續加入，此後致力於當時正在發展的大規模積體電路設備的研究和製造市場。阿斯麦公司為半導體生產商提供曝光機及相關服務，根據摩爾定律不斷為提高單位面積集成度作貢獻。2007年已經能夠提供製造37nm線寬積體電路的曝光機。 製造大規模積體電路時要對半導體晶圓曝光三四十次。為在不降低品質的情況下減少曝光次數，艾司摩爾公司在曝光機上使用德國蔡司公司的光路系統，鏡頭使用螢石和石英製造，其反射鏡更是人類史上最平滑的光學鏡面。曝光機是高附加值產品，一台當時龍頭尼康的新的曝光機動輒上億美元。而研發週期長，投入資金也相當巨大，使得單一家公司獨立研發開始出現困難。 艾司摩爾的成功轉變在於整合，當年眼前有這樣級別的業界對手，...
2008年，艾司摩爾公司已超過日商東京威力科創成為世界第二大半導體設備商。 2010年，以銷售額計算艾司摩爾公司高階曝光機市占率已達到將近90%。 2011年，艾司摩爾公司已超過美商應用材料公司(Applied Materials, Inc)成為世界第一大半導體設備商。 2012年7月10日英特爾斥資41億美元收購荷蘭晶片設備製造商阿斯麦公司的15%股權，另出資10億美元，支持阿斯麦公司加快開發成本高昂的晶片製造科技。先以21億美元，收購阿斯麦公司10%股權，待股東批准後，再以10億美元收購5%股權，投注金額將以發展450mm機台以及EUV研發製造10nm技術為兩大主軸。 2012年8月5日台積電宣佈加入荷蘭艾司摩爾公司所提出的「客戶聯合投資專案」（Customer Co-Investmen...
2005年銷售額25億2900萬歐元，利潤3億1100萬歐元。2006年销售額35億9700萬欧元，利潤6億2500萬歐元。生產台數266，簽约機台數334，待生產機台數163。2007年銷售額38億900萬歐元，利潤6億8800萬歐元。生產台數196，簽约機台數160，待生產機台數95。2008年銷售額29億5000萬歐元，利潤3億2000萬歐元。香港繁體. 工具. 極紫外光微影的成像機制. 極紫外光微影 （英語：extreme ultraviolet lithography，中國大陸稱為 極紫外光刻 ，台灣稱為 極紫外光微影 ，簡稱「EUV」或「EUVL」）又稱作 超紫外線平版印刷術, 是一種使用 極紫外光 波長的 微影 技術，目前用於7 納米 以下的先進製程，於2020年得到廣泛應用 [1] [2] [3] [4] 。 DUV微影製程 [ 編輯] 晶圓製造過程裏有一道程序是將設計好的電路圖案 (Pattern)縮小轉印到晶圓上，此道製程便稱之為 微影, 7奈米以前的製程使用248或193奈米波長的光做為光源來進行微影。
極紫外輻射 （英語： Extreme ultraviolet radiation ）又稱 極紫外光 或 高能紫外線輻射 ，簡稱 EUV 、 XUV ，是 波長 在124 nm 到10nm之間的 電磁輻射 ，對應 光子 能量為10 eV 到124eV。. 自然界中， 日冕 會產生EUV。. 人工EUV可由 電漿 源和 同步輻射 源得到。. 主要用途包括 ...
