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非易失闪存技术
- NOR Flash是一种非易失闪存技术，是Intel在1988年创建。 是市场上两种主要的非易失闪存技术之一。
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NOR Flash需要很長的時間進行抹寫，但是它提供完整的定址與資料匯流排，並允許隨機存取記憶體上的任何區域，這使的它非常適合取代老式的ROM晶片。 當時ROM晶片主要用來儲存幾乎不需更新的程式碼，例如電腦的 BIOS 或 機上盒 （Set-top Box）的 韌體 。
2018年10月8日 · NOR Flash架構提供足夠的地址線來映射整個存儲器範圍。 這提供了隨機訪問和短讀取時間的優勢，這使其成為代碼執行的理想選擇。 另一個優點是100％已知的零件壽命。 缺點包括較大的單元尺寸導致每比特的較高成本和較慢的寫入和擦除速度。 相比之下，與NOR快閃記憶體相比，NAND快閃記憶體具有更小的單元尺寸和更高的寫入和擦除速度。 缺點包括較慢的讀取速度和I / O映射類型或間接接口，這更複雜並且不允許隨機訪問。 值得注意的是，NAND Flash中的代碼執行是通過將內容映射到RAM來實現的，這與直接從NOR Flash執行代碼不同。 另一個主要缺點是存在壞塊。 NAND快閃記憶體通常在部件的整個生命周期內出現額外的位故障時具有98％的良好位，因此，器件內需要ECC功能。 存儲容量.
基本介紹. 中文名 ：NOR Flash. 屬性 ：非易失快閃記憶體技術. 時間 ：1988年. 所屬 ：Intel. 快閃記憶體技術. 是現在市場上兩種主要的非易失快閃記憶體技術之一。 Intel於1988年首先開發出NOR Flash 技術，徹底改變了原先由EPROM (Erasable Programmable Read-Only-Memory電可程式序 唯讀存儲器 )和EEPROM (電可擦唯讀存儲器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)一統天下的局面。 緊接著，1989年， 東芝公司 發表了NAND Flash 結構，強調降低每比特的成本，有更高的性能，並且像磁碟一樣可以通過接口輕鬆升級。
NOR Flash需要很長的時間進行抹寫，但是它提供完整的定址與資料匯流排，並允許隨機存取記憶體上的任何區域，這使的它非常適合取代老式的ROM晶片。 當時ROM晶片主要用來儲存幾乎不需更新的程式碼，例如電腦的 BIOS 或 機上盒 （Set-top Box）的 韌體 。
2023年12月1日 · NOR-flash在5G無限基礎設施中 為何如此的重要. 關鍵字 : NOR Flash 5G Wi-Fi. 第五代無線技術5G已成為繼4G之後的未來。 憑藉快速的速度、高頻寬（高達10Gb/s）和超低延遲，5G技術可以實現更多以前無法想像的應用。 本文將討論5G無線基礎架構應用中NOR Flash 記憶體的重要選擇標準. 為了在壓縮的上市時間內響應不斷變化的市場標準，現場可程式閘陣列（FPGA）以及互補式系統（SoC）在各種無線基礎設施應用中得到了廣泛的應用。 FPGA和SoC需要在每次系統啟動時進行配置。 FPGA和SoC可以透過各種類型的記憶體進行配置，例如Flash、eMMC、非託管型NAND和SD卡。
2022年9月20日 · NOR flash記憶體在汽車和工業應用中的常見用途包括： 永久儲存程式碼、資料和影像以供啟動期間使用. EEPROM 模擬 (即安全關鍵資料的儲存) 在運行期間連續讀取，以及. 直接從快閃記憶體執行程式碼. 根據應用不同，這些工作負載的要求各不相同。 如要系統滿足高功能安全標準，需要採用新方法。 Semper NOR Flash記憶體架構結合ARM Cortex-M0 與多種安全功能。 (圖表來源：英飛凌科技) 不僅是常規記憶體. 英飛凌科技 (Infineon Technologies)專門針對功能安全需求開發了Semper NOR Flash快閃記憶體，包括一個嵌入式 ARM Cortex-M0以及用於診斷、資料完整性和可靠性的功能區塊。
NOR Flash 的特点是芯片内执行（XIP ，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。. NOR 的 传输效率 很高，在1~4MB的小容量时具有很高的 成本效益 ，但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。. NAND的结构能提供极 ...
