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什麼是EUv光罩?
什麼是EUV?
EUV 技術有哪些困難點需要突破?
euv微影是什麼?
極紫外光微影 （英語：extreme ultraviolet lithography，中國大陸稱為 極紫外光刻 ，簡稱「EUV」或「EUVL」）又稱作 超紫外線平版印刷術, 是一種使用 極紫外光 波長的 微影 技術，目前用於7 奈米 以下的先進製程，於2020年得到廣泛應用 [1] [2] [3] [4] 。 DUV微影製程 [ 編輯] 晶圓製造過程裡有一道程序是將設計好的電路圖案 (Pattern)縮小轉印到晶圓上，此道製程便稱之為 微影, 7奈米以前的製程使用248或193奈米波長的光做為光源來進行微影。
2020年4月22日 · 台積電連續10年營收創高，率先全球採用極紫外光（EUV）微影技術推動7奈米技術前進是關鍵因素之一，而事實上，獨家EUV設備供應商ASML（艾司摩爾科技）客戶包括眾多半導體巨頭，包括三星、英特爾、中國半導體業者等。 在台積電法說會上，EUV是近年不斷提到的微影製程名稱，也是現今能在晶片上畫出最精密線路的光罩技術，究竟微影技術是什麼？ 在神秘的半導體無塵室如何進行？ 這家全球最大微影設備供應商ASML用影像視覺揭露微影技術的真實樣貌。 ASML的EUV設備內部運作. ASML是荷蘭半導體微影設備供應巨頭，台積電也是客戶之一。 圖／ ASML. ASML指出，在半導體製程中微影（Lithography）是驅使晶片效能更高、成本更低的關鍵技術。
极紫外光刻 （英语：extreme ultraviolet lithography，台湾称为 极紫外光微影 ，简称“EUV”或“EUVL”）又稱作 超紫外線平版印刷術, 是一种使用 極紫外光 波長的 光刻 技術，目前用于7 納米 以下的先進製程，于2020年得到廣泛應用 [1] [2] [3] [4] 。 DUV微影製程. 晶圓製造過程裡有一道程序是將設計好的電路圖案 (Pattern)縮小轉印到晶圓上，此道製程便稱之為 光刻, 7奈米以前的製程使用248或193奈米波長的光做為光源來進行微影。 早期市面上DUV微影製程機台的供應商以 Canon 以及 Nikon 為主, 浸润式光刻 （英语：Immersion lithography） 出現後DUV微影製程機台改由 艾司摩爾 所獨霸。
- 看！就是那道光
- 原來都是「繞射」惹的禍
- 困難重重、機會無窮
EUV，全名為Extreme Ultraviolet，中文叫做「極紫外光」，是一種波長極短的紫外光，一般生活中要塗乳液防曬的紫外線波長約在100~400奈米，而極紫外光才13.5 奈米而已，可說是頻率更高、能量更強的光，不過因為這個波段的光很容易被空氣等介質吸收，反而不如紫外光對人體有那麼多影響哦！ 在上一篇《打造IC裡的樂高世界 — 微影製程》裡我們提到微影製程(Lithography) 就是用光在晶圓上面刻出我們想要的圖案，而因為電晶體的尺寸不斷在微縮，到了近幾年10奈米以下的製程，就需要使用EUV來當作光的來源。但是，為什麼要是EUV？為什麼不能用其他的可見光？那蠟筆小新的動感光波可以嗎？
是的以上那些光都不行，只有波長夠短的EUV才行，但這是為什麼呢？這就要聊聊光的基本特性-繞射。繞射是指「當波在行進過程中遇到障礙物或是孔洞時，不再直線前進，而是像漣漪擴散到四周的現象」，例如平常你站在街角還是可以聽到另外一頭人講話的聲音，就是因為原本只會直線前進的聲波，遇到轉角或縫隙後產生繞射，讓聲波「轉彎」了，才能進入你的耳朵讓你聽見。 光本身也是一種波，那為什麼日常生活中我們幾乎沒看過轉彎的光呢？那是因為光的波長相對於聲波來說是非常小的，聲波的波長約在幾十公分左右，但可見光的波長只有300到800 奈米，因此原本那些孔洞都顯得不那麼小了，而是像康莊大道一樣，讓光可以直接穿透過去。若要說哪裡觀察得到光的繞射，大概就是以前國高中物理課的「單狹縫實驗」和「雙狹縫實驗」，讓光穿過很小的縫隙，進而...
顯而易見的，EUV 已成為未來10奈米以下先進製程的解答之一，然而，EUV 技術仍有許多困難點需要突破，除了EUV 容易被空氣吸收因此機器必須維持在高真空狀態外，由於EUV需要透過多個反射鏡來收集和提高功率，反射鏡必須非常光滑，否則會讓好不容易產生的EUV又消散掉。此外，進行多次反射也非常耗能，能源轉換效率只有2%不到，這又讓剛加入全球再生能源倡議組織（RE100）的台積電面臨更嚴峻的考驗，因此，全世界都在看台積電如何完善 EUV 技術，引領全球半導體業持續維持摩爾定律的神話。
2021年2月15日 · EUV 微影技術採用錫的電漿來產生波長為 13.5 奈米的光源，以及用鉬矽多層反射薄膜來把光傳遞到晶片上。 不同於一般的紫外光微影技術，EUV 微影技術得在低真空中運作，技術難度更高。 EUV 微影技術以實驗室形式的研發（日本，美國，歐洲，包括 ASML 和 Cymer）已經走過了二十多年卻仍達不到量產的技術要求，但也沒有被放棄。 理由只有一個：因為沒有 showstopper（明顯的重大問題）。 當時業界普遍認為如果 EUV 能用於量產就可以讓摩爾定律延續生命。 這是個巨大的誘惑。 台積電是全球最大的半導體代工廠，在先進製程獨占鰲頭，其開發所有新技術的目的只有一個：最終用於量產。 而開發用於量產的 EUV 微影技術就落到了我的肩上。
EUV光有兩種常見的產生方式：同步輻射和高能電漿。 前者的設備體積太大且太昂貴，所以後者被採用。 高強度的雷射 (通常是CO 2 雷射)打在材料上的瞬間，材料被蒸發並產生高能電漿，同時放出頻段在X光和EUV之間的光波。 起初，氙是電漿材料的最佳選擇。 將氙氣冷卻液化，透過噴流或液滴的型態注射到高強度雷射之中，產生氙電漿。 氙電漿會釋放11奈米的EUV，是半導體製程的理想選擇。 然而，在實際製程中氙電漿產生的EUV強度不夠。 光源強度越高代表製造速度越快，每小時若要製造超過100片晶圓，光強度必須要超過200W。 氙很難達到這個標準，半導體界因而轉向第二個選擇：錫金屬。 錫金屬受雷射照射產生的電漿會放出13.5奈米的EUV，也算是半導體製程的理想選擇。
維基百科，自由的百科全書. 極紫外輻射 （英語： Extreme ultraviolet radiation ）又稱 極紫外光 或 高能紫外線輻射 ，簡稱 EUV 、 XUV ，是 波長 在124 nm 到10nm之間的 電磁輻射 ，對應 光子 能量為10 eV 到124eV。. 自然界中， 日冕 會產生EUV。. 人工EUV可由 電漿 源和 同步 ...
