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2007年5月27日 · 和内存相关的名词和术语有很多，为了便于大家理解对照特将一些常用的名词汇总介绍。 ROM：只读存储器. Cache：高速缓存. Clock：时钟信号. Register：缓存器. PLL： 为锁相回路. Self-Refresh：自我充电. Refresh：内存的充电. CL (CAS Latency)：预充电时间. Memory Module：内存模块. RAM（Random Access Memory）：随机存储器. DRAM（Dynamic RAM）：动态随机存储器. PM RAM（Page Mode RAM）：页模式随机存储器（即普通内存） FPM RAM（Fast Page Mode RAM）：快速页模式随机存储器.
2009年6月15日 · 为了保证所保存的数据不丢失，DRAM必须定时进行刷新，DDR3也不例外。. 为了最大的节省电力，DDR3采用了一种新型的自动自刷新设计（ASR，Automatic Self-Refresh）。. 当开始ASR之后，将通过一个内置于DRAM芯片的温度传感器来控制刷新的频率，因为刷新频率高 ...
2013年8月9日 · NGFF (Next Generation Form Factor)或称M.2，是英特尔主导，结合多家电子业者为固态硬盘量身订作的新标准规范，可支持SATA和PCIe接口，用来取代轻薄型行动装置惯用的mSATA接口。. 作为新一代接口，相比mSATA，它有以下优势：. 1、尺寸更小。. mSATA接口的SSD体积为 ...
2009年4月25日 · PRAM（Parallel Random Access Machine）模型是单指令流多数据流（SIMD）并行机中的一种具有共享存储的模型。 它假设有一个无限大容量的共享存储器，并且有多个
2009年2月8日 · 内存持续工作，它就得不断刷新数据，这也是内存最重要的操作。. 刷新分为两种，一种是自动刷新（Auto Refresh，简称AR），一种则是自刷新（Self Refresh，简称SR）。. Auto refresh 自动刷新 通常指的是RAS（行地址选择）刷新前的CAS（列地址选择），或者是RE ...
2017年11月28日 · 一片晶圆到底可以切割出多少的晶片数目？. 这个要根据die的大小和wafer的大小以及良率来决定的。. 目前业界所谓的6寸，12寸还是18寸晶圆其实就是晶圆直径的简称，只不过这个吋是估算值。. 实际上的晶圆直径是分为150mm，300mm以及450mm这三种，而12吋约 ...
2008年8月1日 · DR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预 ...
