碳化矽在高功率應用時有哪些基本限制? 相關
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2022年4月12日 · 碳化矽功率元件的應用. 高功率元件在應用時，功率元件的額定電壓 (rating voltage)必須大於系統電壓。 以電動車為例，目前主要的電動車電池電壓是400V，但是考慮功率模組的可靠度後，實際使用650V等級的功率元件。 圖2 顯示FIT=100的系統電壓和額定電壓的比例，系統電壓愈高，系統電壓和額定電壓的比例愈低，表示需要更高崩潰電壓的功率元件。 當電動車電池電壓提高到800V時，需要使用1.2kV等級的功率元件。 圖2：故障率FIT=100的應用電壓和額定電壓的比例。
2021年11月24日 · 2021-11-24. 作者 張家瑞、黃正斌、張哲睿，英飛凌科技 (Infineon)應用工程師. 採用超接面技術的高電壓功率晶體，其最大耐壓都在1,000V以下，如果要能夠耐更高的電壓，就必須採用碳化矽 (SiC)材料來製作功率晶體… 傳統上在高電壓功率晶體的設計中，採用矽材料的功率晶體要達到低導通電阻，必須採用超接面技術 (superjunction)。
2021年4月14日 · 李教授的團隊開發的碳化矽超功率金氧半場效電晶體可以應用到5G、再生能源系統、電動車和國防工業領域，除了能達到節能減碳的目標，並能促進臺灣的第三代半導體產業發展，國防產業升級，催生新的產業和經濟模式，是國家發展的關鍵技術。 為了要節省能源，降低碳排放量，再生能源系統、電動車和軌道系統都致力於提升效率，降低功率消耗，在這些系統中，功率半導體元件（二極體和電晶體）扮演著相當重要的角色，因為在電能處理器（converter/inverter）的開與關之間，功率就會在高功率金氧半場效電晶體上被消耗掉，產生導通損和切換損。
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2022年4月8日 · 碳化矽功率模組提高至最大限度有源前端效率. 工程師在設計 UPS 時必須極為小心，以確保企業資料中心24/7全天候平穩運行，同時他們也意識到，他們的電源注定會成為美國每年耗電達 90 TWh 的這類設施的一部分，而這一耗電量足以達到 30 座大型有害燃煤電廠年發電量。 另一種設計思路的電力工程師正在努力確保他們的快速充電器能夠快速為 EV 充電，他們也意識到電力成本及發電對環境的影響。 任何應用領域的工程師都會關注效率、功率密度和成本這些因素。 即使還未展開具體設計，他們也意識到碳化矽（SiC）技術也許是一種可行的解決方案。 本文解決了這些問題，並通過並行比較，證明了碳化矽（SiC）是迄今為止在高功率應用中比矽基元件的更好選擇。
碳化矽(Silicon Carbide; SiC) 材料被視為未來將取代Silicon材料在高功率或高溫環境中應用的材料。 近十多年來,由於SiC 磊晶與基板品質的提升,降低了研究SiC功率元件的門檻,許多功率元件如Schottky Rectifiers、PiN Diodes、BJTs、MOSFETs、IGBTs等原型陸續出現在期刊或會議論文中。 本文將從SiC 材料的固態結構論起,述及SiC基板製作技術、磊晶成長技術、製程模組技術及SiC 功率元件發展現況,最後展望未來SiC電力電子的發展趨勢。 關鍵詞. 碳化矽(Silicon Carbide) ;功率(Power) ;元件(Devices)。 緒論.
2021年12月24日 · 雖然用數字來區分，但並無後代優於前代的說法，而是分別代表了人類世界三次產業的變革，第一代的矽主要應用在 CPU、GPU、記憶體等需要高度運算的邏輯元件，代表了 20 世紀中集成電路（IC）時代的到來，最具代表性的例子就是電腦的出現。 第二代半導體則應用在 RF 元件、光通訊、衛星、GPS、光電（LED、雷射） 等功率、通信及發光元件，代表了 20 世紀末移動通信和網際網路的快速發展。 （關於砷化鎵，可參考 <白話文看懂最新一代半導體和重點公司：宏捷科> 報告） 而第三代半導體碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）則主要應用在高頻通信、快充、電動車零件、充電樁等，宣示了 21 世紀初 5G、電動車產業的興起。
2020年3月9日 · 碳化矽 (SiC)技術可提供更高的效率、更小的尺寸及更低的成本，並且降低了更智慧的電源設計冷卻要求。 寬能隙 (WBG)半導體技術在功率電子元件中的應用越來越多。 與傳統的矽技術相比，SiC和氮化鎵 (GaN)半導體材料顯現卓越的性能，使功率元件能夠在高電壓尤其是高溫和高開關頻率下工作。 功率電子系統的設計人員正努力研究如何充分利用GaN和SiC元件的優勢。 矽早已是大多數電子應用中的關鍵半導體材料，但與SiC相比，則顯得效率低下。 SiC現在已開始被多種應用採納，特別是電動車 (EV)，以應對開發高效率和高功率元件所面臨的能源和成本挑戰。 先進駕駛輔助系統 (ADAS) 監控方案. SiC由純矽和碳組成，與矽相比具有三大優勢：更高的臨界雪崩擊穿電場、更大的導熱係數和更寬的能隙。
