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氮化鎵概念股， 是指「 第三代半導體 ─ 氮化鎵 (GaN) 」有關的產品開發、設備製造、技術服務及業務銷售等公司股票，包含半導體材料應用產業的上游、中游、下游廠商合稱的一種股市術語，也是投資人用來挑選 氮化鎵 (GaN)相關股票 的選股方式。 上游：IC設計、IDM、生產原料製造商、進出口貿易商。 中游：氮化鎵 (GaN)材料晶圓製造、代工、設備廠商。 下游：氮化鎵 (GaN)半導體封裝測試與產品應用，包括：電動車、太陽能、柴油車…等。 基本上，與「氮化鎵 (GaN)開發、生產與應用」有高度相關或佔據一定比例的公司或行業，相關個股價格和產業發展都會有密切關係，例如：半導體材料、碳化矽Sic、封測、電動車、再生能源、IC設計、晶圓代工…等。
2021年4月6日 · 國際氮化鎵元件供應商除 Cree 和 ROHM 等外，主要集中在上游 IC 設計及 IDM 廠，可歸類為三五族公司，如 Skyworks、Qorvo、Broadcom、MURATA，以及生產設計功率元件公司如英飛凌、STM、NXP、TI 等。 此外，碳化矽供應鏈則可分為長晶／晶錠、晶圓加工、磊晶、IC 設計及晶圓製造等。 台灣相關業務主要集中在晶圓代工廠，包括台積電、穩懋、世界先進、漢磊，以及磊晶廠全新、嘉晶、環球晶。 另外，太極能源子公司盛新材料布局長晶，生產碳化矽基板，目前也已進入產品送樣階段。
2023年3月15日 · 台廠第三類半導體發展 華冠投顧分析師劉烱德表示，第三類半導體碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）的特性是在高功率及耐高溫耐高壓，剛好就是全球發展電動車、充電樁、低軌衛星、5G 通訊、ESG 企業永續經營、綠能及儲能，所必須用到的新材料。
碳化矽，英文：silicon carbide，carborundum，化學式：SiC，它是目前最新的第三代半導體材料之一。 其中第三代的氮化鎵、碳化矽，相較於第1代半導體材料的矽、鍺，以及第2代半導體材料砷化鎵、磷化銦，各自有不同的特性及用途。
第三代半導體，不同於第一代半導體材料（矽 Si、鍺 Ge）與第二代半導體材料（砷化鎵 GsAs、磷化銦 InP），第三代半導體的主要材料則為碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）兩種，由於產品特性的不同，各代半導體也分別有不同領域的應用。
2023年9月6日 · 上述都是以矽為基礎的功率元件，而後來新一代的寬能隙(Wide Band-gap)半導體材料、又稱為第三代半導體的 SiC (碳化矽) 和 GaN (氮化鎵)出現，由於能隙更大，這使它們具有耐高電壓、耐高溫、低電阻、低切換損失、適合高頻操作的優越特性，被看好一顆抵
2023年11月9日 · 第三類半導體主要材料為碳化矽 （SiC）與 氮化鎵 （GaN）兩種，如果以市場來應用來看，又可分為高頻通訊元件及功率元件兩大類。 資策會MIC於第36屆MIC FORUM...
