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2024年5月20日 · 在第三代半導體產業的戰場上，群雄逐鹿，硝煙瀰漫。各大廠商紛紛加碼，力圖在這片新興領域中佔據一席之地。然而，在這個快速發展和激烈競爭的時期，變數還有很多！誰能最終勝出，尚未可知。 股價暴跌、市場被蠶食、投資者施壓，SiC老大Wolfspeed的無奈 手握全球六成SiC襯底材料供應，是第一 ...
2024年5月26日 · 由於氮化鎵在材料製備環節仍有技術難度，當前具備大規模量產條件的可用於製備功率器件的第三代半導體材料僅有碳化矽。 4H 型碳化矽的禁帶寬度為 3.2eV，是矽材料禁帶寬度 1.1eV 的約 3倍，這使得其擊穿電場強度達到了矽的約 7 倍，非常適合用來製備功率器件。
2024年5月28日 · 第三代半導體為何跟AI及ESG大有關係. 2024-05-28 admin 發佈留言. 很高興 「用AI加持專利分析，前瞻布局ESG」研討會 已於上週順利舉辦完成，有許多聽眾在報名時就特別關注 AI技術倒底怎麼跟ESG議題產生連結，而我們當初設定研討會主題時，就是發現AI技術發展不是 ...
2024年5月26日 · 在半導體襯底材料領域，碳化矽襯底器件具有體積小、能量損失更小、應用空間廣闊等特點。「第三代半導體」目前主流器件形式為碳化矽基－碳化矽外延功率器件、碳化矽基－氮化鎵外延射頻器件，用以實現 AC->AC（變壓器）、AC->DC（整流器）、DC->AC（逆變器）、DC->DC（升降壓變換器），碳化矽器 ...
2024年5月28日 · （中央社記者潘智義新竹2024年5月28日電）台亞半導體(2340)今天股東會決議，將8吋氮化鎵（GaN）產品事業群分割，讓與子公司冠亞半導體。這是繼2年前台亞分割系統事業群予子公司星亞視覺(7753)後，再一次進行分割案。台亞董事長李國光在股東會後表示，星亞視覺即將於6月下旬掛牌興櫃，針對冠亞 ...
