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碳化矽在半導體中的主要形式為何?
第三代半導體材料有哪些?
碳化矽晶片與矽成熟有何不同?
碳化矽器件有什麼優勢?
2024年5月3日 · 第三代半導體SiC、GaN在廠商競合關係中持續滲入功率半導體市場，在市場追求高壓、高功率應用需求下，GaN-on-Si HEMT已可於1.2kV下應用；SiC元件則是在2024～2025年陸續導入8吋晶圓量產，以降低元件單位成本。 此外，許多廠商透過新技術和材料，有望大幅減少SiC和GaN元件成本，預計2025～2026年導入量產；其中，若得以實現平價的GaN基板，將有望許多GaN元件廠不僅研發HEMT元件產品，亦得以導入GaN垂直元件的研發。 透過垂直元件架構可使GaN元件的耐受電壓和功率表現達到水平式HEMT無法觸及的境界。 鑒於GaN和SiC在電壓應用重疊範圍的擴大，預計可陸續看到結合2種半導體特性優勢的新產品，呈現更優異的功率元件表現。 請輸入您的會員帳號與密碼，即可瀏覽全文. 帳號
1 天前 · 放眼至2030年，全球半導體產業產值估將達到1兆美元，晶圓代工則佔其中的25%，約2500億美元。 延伸閱讀： 台積電A16技術亮相，半導體進入埃米時代！ 7大新技術搶先看：CoWoS、矽光子進度到哪了？
2024年4月29日 · 碳化矽（SiC）半導體材料由於其優異的電氣特性和高溫耐性，正在被廣泛應用於高效能電子和電力應用領域，SiC功率模組自2020年起因伺服器電源、數據通訊設備、太陽能發電等能源領域，以及汽車和電氣設備的需求增長而市場迅速擴大。 隨著汽車電動化的深入以及電氣設備需求的持續增長，市場將從2023年開始進入一個中長期的擴張期。 根據富士經濟與IEK工研院產科國際所預估，2030年SiC功率模組的市場規模有望達到近90億美元，2022~2030年複合增長率29.7%。 在全球範圍內，包括安森美Onsemi (ON-US)、Wolfspeed (WOLF-US)、羅姆（Rohm） 和 博世 等海外大廠也在積極擴張產能。
2024年5月17日 · 第三類半導體，也就是寬能隙半導體的優勢眾所皆知，在高壓或高頻應用中，可減少磁性元件，進而縮小系統尺寸與降低系統整體成本，最重要的是提升系統節能與功率轉換效果。 安森美 (onsemi)產品經理陳建名表示，新冠疫情、全球政經不穩等因素導致全球景氣不若預期的好，但這股衰退的風潮並未影響到寬能隙元件市場。 原因在於，全球邁向節能減碳的步伐並未因外在環境影響而停歇，諸如電動車、AI伺服器/資料中心…等應用也開始從400V系統往更高壓的800V挺進，此時SiC元件的優勢盡顯，市場對SiC MOSFET、IGBT等元件的需求也隨之大幅成長。 與矽元件相比，SiC可提高功率密度。 (來源：安森美) 事實上，從市調單位所做的預測也可了解，各種高壓應用市場不斷推動著SiC市場擴展。
2024年5月15日 · 至於矽光子整合方面，台積電指出，目前正在研發緊湊型通用光子引擎（COUPE）技術，COUPE使用SoIC-X晶片堆疊技術，將電子裸晶堆疊在光子裸晶之上， 相較於傳統的堆疊方式，能夠為裸晶對裸晶介面提供最低的電阻及更高的能源效率。 台積電預計2025年完成支援小型插拔式連接器的COUPE驗證，2026年整合CoWoS封裝成為共同封裝光學元件（CPO），將光連結直接導入封裝中。 矽光子是什麼？ 重要在哪？ AI 商機持續發酵，高速傳輸也在加速運算趨勢下成為焦點。 台積電董事長劉德音曾指出，矽光子將成為半導體產業的關鍵技術。 不僅如此，日月光執行長吳田玉更直言： 「矽光子會是半導體產業5到10年後的突破點。
4 天前 · 碳化矽功率元件領域規模則約6.8億美元，年增32%。 資深分析師王建文. 全球對第三代半導體的投資熱潮，帶動相關公司股價表現熱絡，資深分析師王建文表示，台廠當中除了台積電 (2330)、環球晶 (6488)積極佈局之外，漢磊 (3707)集團亦深耕多年，除此之外，值得注意的是，封裝當中的導線架大廠界霖 (5285)，已經領先同業量產第三代半導體-氮化鎵（GaN）導線架，並已供貨歐美日系汽車大廠，外傳特斯拉也是採用界霖的導線架，代表界霖已經成功率先卡位第三代半導體市場，特別是氮化鎵導線架產品售價是原先的十倍以上，界霖今年前兩月的營收9.35億元，年增率達52%，隨著大廠加速導入第三代半導體，市場規模持續擴大，界霖長線成長動能相當強勁，儼然成為半導體投資的新星。
5 天前 · 催生碳化矽第二供應商. 「客戶非常高度期待跟鼓勵有Second Source出現，因為市場太過寡占」，環球晶 (6488)發言人陳偉文口中的寡占廠，正是全球碳化矽 (SiC)基板市占超過六成的Cree (Cree.US)。 徐秀蘭說，化合物半導體後段製程的成熟度很高，但前段製程的二大困難，一個是貴、一個是少，SiC基板的供應量不足，市場因而尋求包括QST基板或SOI基板的替代可能性。 但在各類的基板中，SiC基板發展出來的半導體元件，能耐高溫、高壓外，還具有電阻小、電流大與低耗電等特性，在電動車及需要高頻傳輸的5G、甚至是6G基地台，SiC基板的導入還是最被期待的。
