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2024年5月17日 · NPN Archives - 電子技術設計. 首頁 » NPN. 電力電子. 2023-12-29 - Marcello Colozzo. 電力電子科學筆記：PNP和NPN電晶體. … 訂閱EDN Taiwan電子報. 最新文章 最熱門文章. 2024-05-21. 台積電產能需求強勁 先進封裝好日子來了？ 2024-05-21. SMPS分析與校正：電感器不合規. 2024-05-20. 高效數位調節雙極電壓軌升壓器. 2024-05-20. 破解硬碟定位的三大迷思. 2024-05-17. 電力電子科學筆記：用運算區分半導體和金屬行為. 最新文章. 電壓. 2024-05-20. 高效數位調節雙極電壓軌升壓器. 硬碟. 2024-05-20. 破解硬碟定位的三大迷思. 半導體.
5 天前 · 鍺矽 (GeSi)、鍺 (Ge)、鍺錫 (GeSn) 等鍺基材料，具有優於矽的載子遷移率，可增加電晶體的驅動電流，並且與現今業界的矽半導體製程技術有良好的相容性，具有成為下世代通道材料的潛力。 其他非矽基的新穎材料，例如氧化物半導體 (Oxide Semiconductor) 與二維材料 (2D material)，作為電晶體通道使用的研究近年來大幅展開。 二維材料由於單層原子的特性，許多人對其微縮的潛力高度期待，在 Nature、IEDM、VLSI 上皆有相關的論文探討。 然而，二維材料面臨了大面積高品質的晶圓成長技術挑戰，以及高接觸電阻、低電流等諸多問題。 二維材料在元件製程上難與業界成熟之矽基材料相容，在元件效能的表現上也較四族材料電晶體有差距。
4 天前 · 半導體材料是現代電子產品的核心，目前主流的材料是矽（Silicon），佔據全球半導體市場約九成份額。 除了矽之外，還有其他類型的半導體材料，如第二類半導體製程所用的材料為砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP），主要應用於通訊和感測相關產品，產值和應用範圍相對較小。 而第三類半導體製程的主要材料則是碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN），在快充、電動車和通訊等領域廣泛應用。 然而，高純度的碳化矽（SiC）原料難以取得，主要應用於國防和軍用雷達等領域。 加上製造碳化矽磊晶需要經過切割、研磨和拋光等高難度加工步驟，這使得整個半導體製程變得相對複雜，因此具備生產能力的製造商極為稀少，進而導致市場呈現壟斷狀態。 〈延伸閱讀： 精密加工是什麼？ 3個方向讓你清楚了解！ 〈延伸閱讀： CMM三次元是什麼？
5 天前 · 台積電 今天 (23日)在新竹舉行技術論壇，台積電亞洲業務處長萬睿洋指出，將持續挑戰製程微縮極限，期待未來幾年，能在單晶片整合超過2,000億個電晶體，透過3D封裝，則能整合超過1兆個電晶體。...
5 天前 · 絕緣閘雙極電晶體 (IGBT)是一種三端功率半導體元件，主要用作電子開關，在較新的元件中以結合高效率和快速開關而聞名。. IGBT透過在單個元件中組合用於控制輸入的隔離閘極FET和作為開關的雙極功率電晶體，將MOSFET的簡單閘極驅動特性與雙極電晶體的高電流和 ...
6 天前 · 三星高級技術學院和首爾國立大學的研究人員成功將MoS 2 電晶體 整合至200毫米 晶圓 上，展示了基於MoS 2 的電晶體的可擴展性，強調了它們在未來開發更小、更靈活的設備方面的潛力，有望為兌現二維半導體材料潛力奠定良好基礎。 二維半導體與現今工業技術整合. 近年來，電子工程師所設計的電晶體越發複雜，尺寸更是不斷縮小。 考慮到傳統矽基 場效電晶體 （FET）的局限性，一些團隊一直在嘗試找尋電子遷移率更高的替代材料。 更多新聞: 廣泛運用的熱門材料 鈣鈦礦與二硫化物受關注. 二維半導體因其可擴展性、可轉移性、原子厚度和相對較高的載流子遷移率而成為製造薄膜電晶體的潛力替代材料。 其中，過渡金屬 二硫化物 （TMD）因長度小且良好的載流子遷移率個性，而成為開發可擴展FET最有前途的材料之一。
5 天前 · 台積電 資深副總暨副共同營運長張曉強今日在台積電技術論壇宣布，台積電已成功整合不同電晶體架構，在實驗室做出CFET（互補式場效電晶體），雖然他未透露未來會導入在哪個製程，但指出繼CFET可預見導入先進邏輯製程，下世代先進邏輯製程，台積電研發部門仍尋求導入新材料，實現讓單一邏輯 晶片 放入比現有逾2000億顆還更多的電晶體，推動 半導體 技術持續創新。...
