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1950年，於半導體鍺單晶輸運現象實驗中，發現雜質能級上的導電現象，並提出半導體禁帶中雜質導電概念，此現象被半導體物理界稱之為「洪朝生效應」。 亦間接促進爾後「無序系統電子輸運現象」實驗研究的開端。 1953年，於中國科學院物理研究所組建國內第一所低溫實驗室，主持研製低溫研究設備。 陸續發現氫、氦的液化及相關技術的推廣。 1970年，領導低溫科研隊伍，完成大型空間模擬系統KM3與KM4低溫氦製冷系統的研製任務。 為衛星升空的環境模擬出試驗要件。 1985年，KM4大型航天環境模擬設備的研製，榮獲「 國家科技進步一等獎 」。 1989年，榮獲中國物理學會 胡剛復物理獎 。 2000年，榮獲國際低溫工程理事會門德爾松獎。 2011年，榮獲美國低溫工程和低溫材料大會賽謬爾·柯林斯獎。
1950年，於半導體鍺單晶輸運現象實驗中，發現雜質能級上的導電現象，並提出半導體禁帶中雜質導電概念，此現象被半導體物理界稱之為「洪朝生效應」。 亦間接促進爾後「無序系統電子輸運現象」實驗研究的開端。 1953年，於中國科學院物理研究所組建國內第一所低溫實驗室，主持研製低溫研究設備。 陸續發現氫、氦的液化及相關技術的推廣。 1970年，領導低溫科研隊伍，完成大型空間模擬系統KM3與KM4低溫氦製冷系統的研製任務。 為衛星升空的環境模擬出試驗要件。 1985年，KM4大型航天環境模擬設備的研製，榮獲「 國家科技進步一等獎 」。 1989年，榮獲中國物理學會 胡剛復物理獎 。 2000年，榮獲國際低溫工程理事會門德爾松獎。 2011年，榮獲美國低溫工程和低溫材料大會賽謬爾·柯林斯獎。 参考文献.
洪朝生先生是第三届全国人大代表，第五、六、七、八届全国政协委员，曾任中国物理学会副理事长，中国制冷学会副理事长，国际低温工程委员会副主席。 1978年获全国科技大会表彰的全国科技工作者，1989年获中国物理学会胡刚复物理奖，2000年获国际低温工程理事会门德尔松奖，2011年获美国低温工程和低温材料大会塞缪尔·科林斯奖。 洪朝生先生常说，他是一个选择了科研作为职业的科技工作者。 他坚持科研人员的职业精神，遵从和恪守科技工作者的职业法则，勤奋、严谨、求实。 洪朝生先生是一位具有强烈社会责任感的科学家。 他以国家富强、民族复兴为己任，以社会整体利益为价值取向，坚持道德正确的主张，坚持实践正义的原则。 洪朝生先生是一个具有独特精神气质的人，他清正刚直，为人低调，始终保持中国优秀知识分子的本真。
洪朝生. 国 籍. 中国. 出生地. 北京. 出生日期. 1920年10月10日. 逝世日期. 2018年8月19日. 毕业院校. 清华大学. 职 业. 教育科研工作者. 主要成就. 1980年当选为中国科学院学部委员2001年当选中国科学院资深院士. 目录. 1 人物生平. 2 主要成就. 科研成就. 人才培养. 荣誉表彰. 3 社会任职. 4 个人生活. 5 人物评价. 人物生平. 播报. 编辑. 1920年10月10日，洪朝生出生于北京。
2015年12月11日 · 洪朝生（1920年10月10日～） 物理学家，中国低温物理与低温技术研究的创始人之一，中国科学院院士。 1920年10月10日出生于北京，祖籍福建闽侯。 1940年毕业于清华大学电机工程系，后留校任助教。 1945年公费赴美留学，1948年获麻省理工学院博士学位。 后在美国普渡大学和荷兰莱顿大学实验室工作。...
低温世界的拓荒人——洪朝生. 在物理学的世界里，他成果累累；在教育事业上，他桃李满天下，是祖国栋梁的栽培者。 他一心为国，奋发图强。 他就是我国著名物理学家、我国低温物理和低温技术研究的开创者、中国科学院理化技术研究所研究员、中国科学院院士洪朝生。 1920年10月10日洪朝生出生于北京，父亲洪观涛是我国著名的铁路工程师，母亲则是近代著名出版家高梦旦之女。 良好的家庭教育氛围让洪朝生从小就养成了良好的学习习惯和学习兴趣，16岁便考上了清华大学电机工程系，毕业后在西南联大电机工程系担任电信课助教。 1945年，洪朝生前往美国麻省理工学院攻读博士学位。 当时的热门是微波和核物理，但是他没有盲目跟风，而是按照导师的思路踏实工作。
洪朝生先生1940年毕业于清华大学电机工程系，1945年赴美国留学，1948年获麻省理工学院博士学位，后在美国普渡大学和荷兰莱顿大学卡末林·昂纳斯实验室工作。 1951年回国，任中国科学院应用物理所（物理所）副研究员、研究员，兼清华大学、北京大学、中国科学技术大学物理系教授。 1978年任中国科学院物理研究所副所长，1982年任中国科学院低温技术实验中心主任。 1980年当选为中国科学院学部委员（院士）。 【详细】 讣告：中科院院士洪朝生逝世. 更多>> ·讣告：中科院院士洪朝生逝世. ·社会各界悼念送别洪朝生先生.
