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2019年10月1日 · 儘管來源豐富，但是 積體電路產業中使用的矽純度要求達到九九．九九九九九九九九九％，因而需要熔煉和提純 。. 通常，矽提純工藝中將二氧化矽與焦煤在一千六百至一千八百℃的高溫環境中還原成純度為九十八％的冶金級單質矽，而後利用氯化氫 ...
- 化合物半導體成重要戰略元件！Semi：產能 2023 年登頂
- 2023 年中國將佔化合物半導體產能最大宗，台灣僅 11％
- 化合物半導體、矽基半導體差很大，台灣有什麼發展優勢？
- 半導體技術沒有「彎道超車」
根據 SEMI（國際半導體）今日（10/13）釋出的一份報告指出，全球疫情蔓延下，半導體供應鏈一度受影響，但疫後汽車電子產品不斷提升的需求即將復甦。 該份報告指出，全球功率暨化合物半導體元件晶圓廠產能 2023 年可望首次攀至千萬片晶圓大關，達 1,024 萬 WPM（月產能，8 吋晶圓），並於 2024 年持續增長至 1,060 萬WPM。 吳志毅接受《TechOrange》採訪時分析，中國是最大的化合物半導體市場，具有很大的優勢，比如可以制定規格，擁有較好價格控制能力，因此該國早在多年前就投入了化合物半導體的研發。
SEMI 的報告也指出，預計到了 2023年，中國將佔全球產能最大宗，達到 33%，其次是日本的 17%，歐洲和中東地區 16%，以及台灣 11%。 進入 2024 年後該產業將持續走強，月產能再增 36 萬 WPM，而各地區佔比則幾乎無變化。 ♦ TO 好文閱讀：自建供應鏈與美國抗衡，中國將賭注押在第三代半導體上！ 同時，2021 年到 2024 年期間 63 家公司月產將增加超過 200 萬 WPM（8 吋晶圓）。其中，英飛凌科技（德國）、華虹半導體（中國）、意法半導體（瑞士）和士蘭微電子（中國）將扮演這波漲勢的領頭羊，共增加達 70 萬 WPM。
台灣應該如何應對與布局化合物半導體領域？吳志毅坦言，台灣目前在這塊在全球領先地位不如矽半導體那麼高，「甚至不到全球前三名」。 吳志毅分析，發展化合物半導體的關鍵之一，就是要有掌握最上游材料端的能力，「到目前為止即使中國花了很多資源投入在發展化合物半導體，但現在最上游的材料，80% 至 90% 都還掌握在歐美與日本的手上。」 因此，台灣要發展自己的化合物半導體產業，就必須從原物料與設備開始，結合台灣本身具有優勢的晶片設計、製造、封裝等，才能讓台灣在化合物半導體這一領域進入至領先群。 ♦ TO 好文閱讀：富比世最神秘的半導體富豪！漢民科技黃民奇布局化合物半導體的 10 年之路
吳志毅認為，台灣必須有系統地建立生產上游原物料的設備，事實上，台灣的煉鋼廠、鋼鐵廠都有純碳的來源，關鍵其實在於「長晶」的技術。 「化合物半導體的長晶技術上來說，溫度和難度遠高於矽半導體的長晶！」 ♦ TO 好文閱讀：台灣護國神山優勢能持續多久？ 關鍵在如何布局「化合物半導體」 目前全球碳化矽由美日廠商寡占，關鍵因素就是因為美日廠掌握了基板料源，而在基板生產的過程中，又以長晶難度最高。 在傳統的矽材基板生產，約只需 3-4 天即能長出約 200-300cm 的晶棒，但碳化矽目前卻需要 2 個禮拜才能長出不到 10 公分長度。 而在溫度方面，傳統矽只需要約 1,500 度，但碳化矽所需溫度高達 2,500 度，也讓長晶難度更高，良率與產量都是發展瓶頸；而氮化鎵製造的成本，同樣的晶片面積更比矽製程...
2020年3月2日 · SOI（Silicon On Insulator）為絕緣層上覆矽技術，主要是在矽晶圓上做特殊材質處理，在矽基板上增加絕緣層，物理上由於多了一層材料，可使複雜的製程較易處理，不會因晶圓過薄影響良率，電性表現上較更節能省電，產出的晶片也會有較高的效能。
2020年12月2日 · 想將氮化鎵應用在 5G 基地台，就必須從基地台的功率放大器（PA）切入。宏遠投顧分析師翁浩軒指出，在現行 PA 市場，仍使用材料為矽的「橫向擴散金屬氧化物半導體技術」（LDMOS），由於 LDMOS 僅適用低頻段，5G 使用的 3.5 GHz 高頻段，已觸碰到
2020年10月26日 · Oxford PV 近期的目標，是在 2021 年初生產塗上鈣鈦礦的矽基太陽能板。 Oxford PV 估計，此新型太陽能板能為屋主省下 1000 美元（約新台幣 3 萬元）的太陽能板購買與建置費用。
2020年1月10日 · 分享本文. 半導體產品示意圖. 【為什麼我們要挑選這篇文章】半導體材料以「矽」為主，然而矽基半導體具有功耗高、切換頻率低等缺點，但 5G 產品又有高功耗、高頻等特性，為了提升 5G 效能，「氮化鎵」成為 5G 時代的重要材料，也是台灣代工廠的關鍵領域 ...
2021年10月6日 · 除了充電器，在碳化矽基板上長氮化鎵的技術（GaN-On-SiC），更能應用在光達、基地台甚至衛星通訊等高階應用，雷達系統公司創未來科技董事長王毓駒指出，因為高功率、低能耗的特性，因此創未來的雷達裡，已經有導入氮化鎵晶片的方案。
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