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2020年5月26日 · 1. 首先在链式设备中进行背面酸洗，硅片在常温经过背面酸洗设备，酸槽中HF浓度3％～20％，用于去除扩散后硅片背面及边缘PSG。 2.其次在槽式设备中进行碱抛光，背面抛光使用TMAH、抛光液以及水混合所配溶液对硅片背表面进行抛光，硅片背面及边缘被无机碱抛光，用于将背面以及边缘PN结通过刻蚀抛光去除。 3. 在槽式碱抛光过程中，由于硅片正面存在PSG，将保护硅片正面的PN结不被无机碱腐蚀抛光，在碱抛光后通过HF溶液再去除正面的PSG，完成整个刻蚀过程。 2.4碱刻蚀抛光优点. 3. 碱刻蚀抛光设备. 3.1 捷佳创槽式碱抛光设备. 3.2设备槽体功能. 3.3设备性能优势. 1. 使用无机碱体系做抛光，无高浓度F、N元素，大幅度降低废水处理成本，更环保； 2.
2020年5月18日 · 边缘刻蚀原理反应方程式： 3Si +4HNO3+18HF =3H2 [SiF6] + 4NO2↑ +8H2O. 去PSG原理： SiO2+4HF=SiF4+2H2O. SiF4+2HF=H2 [SiF6] SiO2+ 6HF=H2 [SiF6]+2H2O. 去PSG工序检验方法： 当硅片从HF槽出来时，观察其表面是否脱水，如果脱水，则表明磷硅玻璃已去除干净；如果表面还沾有水珠，则表明磷硅玻璃未被去除干净，可在HF槽中适当补些HF。 RENA InOxSide 工艺流程. RENAInOxSide的主体分为以下七个槽，此外还有滚轮、排风系统、自动及手动补液系统、循环系统和温度控制系统等。 刻蚀槽.
2020年7月21日 · 爱旭新能源投建天津二期年产5.4GW高效晶硅电池项目. 制绒、扩散、后清洗 (刻蚀/去PSG)工艺与异常处理制绒的目的是在硅片表面形成绒面面，以减少电池片的反射率，绒面凹凸不平可以增加二次反射，改变光程及入射方式。. （来源：微信公众号“摩尔光伏 ...
2017年11月22日 · 当电池片经过刻蚀机台出来时，首先检查硅片表面，绒面是否明显斑迹，是否有药液残留。. 该工序一般要求面腐蚀深度控制在0.8～1.6μm范围内,同时硅片表面刻蚀宽度不超过2mm, 刻蚀边缘绝缘电阻大于1K欧姆。. 对于刻蚀程度可以通过刻重来衡量——刻蚀前重量 ...
2020年2月12日 · EL测试的机理是电致发光成像，利用少数载流子的电致辐射复合发光，对光伏组件在外加偏压时发出的荧光进行收集成像，可迅速检测出太阳电池中肉眼无法识别的复合缺陷。 EL图片中的明暗差异可以反映复合发光的情况，其中，黑斑是由于在通电情况下电池中的该位置未发出1150nm的红外光导致的，电池中的黑斑、明暗差异还与少数载流子的浓度有关。 二、EL测试中明暗差异的原因分析. 通过返工拆片后复测电池效率、电池分类后重新组装实验组件等方法，得出EL 测试中明暗差异大的混档问题产生的原因，主要有以下几方面。 2.1 电池效率差异导致的明暗差异. 对组件进行EL测试，测试结果如图1所示。 从图中可以看出，此组件为混档组件。 拆下混档组件的电池 ( 带焊带)，从中选取2片明片和2片暗片测试其效率。
2018年2月9日 · 在同样的铭牌发电功率下，弱光响应较好的组件自然能够在实际应用中发出更多的电能来。. 此中原理，给您娓娓道来。. 弱光响应的影响因素. 1.并联电阻。. 弱光就是入射光强比较弱。. 虽然不影响短路电流，但是会影响开路电压。. 理想情况下，开路电压跟 ...
2020年6月2日 · 受试光伏组件被放在一个环境室里，温度冷却至-40°C，停留，然后加热至85°C，然后再次停留。 当温度升高时组件也受到最大功率电流的影响。 对于PVEL PQP，循环在三个周期内重复200次，总共600个周期，相当于在气候室中的84天。 这个程序比IEC 61215严格得多，IEC测试总共只需要200个周期。 2020年，多种组件技术显示出强劲的TC效果，包括许多全片和半片类型，以及薄膜、叠瓦、多主栅和异质结组件。 测试结果显示，其中双面和双玻组件达到了最高水平，在PVEL的TC测试中正反面功率降低一致。 虽然TC的性能总体上有所提高，PVEL仍观察到一些产品的重大故障。
