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台積電（2330）、世界先進（5347）、漢磊（3707）、嘉晶（3016）、環球晶（6488）、閎康（3587）
- 隨第三代 半導體 材料的寬能隙（WBG）功率元件開始被大量應用在5G基地台、低軌道衛星、電動車、手機快充等市場， 台灣 半導體 生產鏈近年來在氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）領域布局已有不錯成果，法人看好台積電（2330）、世界先進（5347）、漢磊（3707）、嘉晶（3016）、環球晶（6488）、閎康（3587）等GaN及SiC概念股直接受惠，未來幾年相關業績將扶搖直上。
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氮化鎵是常開型元件嗎?
氮化鎵是什麼?
氮化鎵概念股， 是指「 第三代半導體 ─ 氮化鎵 (GaN) 」有關的產品開發、設備製造、技術服務及業務銷售等公司股票，包含半導體材料應用產業的上游、中游、下游廠商合稱的一種股市術語，也是投資人用來挑選 氮化鎵 (GaN)相關股票 的選股方式。 上游：IC設計、IDM、生產原料製造商、進出口貿易商。 中游：氮化鎵 (GaN)材料晶圓製造、代工、設備廠商。 下游：氮化鎵 (GaN)半導體封裝測試與產品應用，包括：電動車、太陽能、柴油車…等。 基本上，與「氮化鎵 (GaN)開發、生產與應用」有高度相關或佔據一定比例的公司或行業，相關個股價格和產業發展都會有密切關係，例如：半導體材料、碳化矽Sic、封測、電動車、再生能源、IC設計、晶圓代工…等。
- 應用範圍廣泛 進入門檻不低
- 聚焦晶圓代工廠 台積電領先布局
- 富采具轉機 太極子公司富潛力
- 延伸閱讀
根據工研院產科國際所統計，目前第 1 代半導體材料的市占率約九成，第 2、3 代合計約10%。化合物功率半導體（即第 2、3 代半導體）去年市場規模約 298 億美元，但 2025 年成長到 361.7 億美元，2030 年更可上看 435 億美元，成長潛力大。 國際氮化鎵元件供應商除 Cree 和 ROHM 等外，主要集中在上游 IC 設計及 IDM 廠，可歸類為三五族公司，如 Skyworks、Qorvo、Broadcom、MURATA，以及生產設計功率元件公司如英飛凌、STM、NXP、TI 等。此外，碳化矽供應鏈則可分為長晶／晶錠、晶圓加工、磊晶、IC 設計及晶圓製造等。 台灣相關業務主要集中在晶圓代工廠，包括台積電、穩懋、世界先進、漢磊，以及磊晶廠全新、嘉晶、環球晶。另外，太極能源子...
此外，台積電的子公司世界先進，在氮化鎵與碳化矽領域代工生產，已經布局 4 年，今年將可進入量產的前期商機。台積電集團高階封裝廠精材，也投入氮化鎵射頻功率放大器的商機，今年也將進入量產階段。 許豐祿指出，半導體上游長晶市占率世界第 4 的環球晶，今年斥資逾千億元公開收購德國世創（Siltronic）已經過關，未來市占率提升為世界第 2；該公司投入第 3 代半導體布局超過 4 年，其中 4 吋半絕緣產品已小量量產，6 吋導電型產品應用於 IGBT（絕緣柵雙極電晶體）等領域以及氮化鎵產品，都進入量產階段。環球晶結合下游相關公司，如宏捷科、強茂、朋程、台半、茂矽等公司，未來有可能成為世界第一的半導體上游長晶公司。 晶電及隆達合併的富采投控，今年最大轉機在量產 Mini LED 產品，第 2 季可大幅...
太極子公司盛新材料布局長晶，生產碳化矽基板送樣客戶測試，預計今年第 1 季即可通過，有機會進入量產階段。根據公司員工透露，生產的晶圓良率超過 3 成就能賺錢，今年公司內部希望良率突破 6 成，量產可能要等到第 2 季底。 嘉晶是台灣有能力量產 4 吋、6 吋碳化矽磊晶及 6 吋氮化鎵磊晶的公司，擁有磊晶相關專利技術，品質也獲得國際 IDM 大廠認可。集團運用漢磊晶圓代工，據悉氮化鎵良率達九成以上，由於嘉晶集團投入第 3 代半導體的研發已經 10 年，今年有機會展現成果，讓嘉晶與漢磊今年將轉虧為盈。 ▲漢磊嘉晶集團在榮譽董事長黃民奇的支持下，布局第三代半導體10年，今年開始收割成果。 此外，穩懋、宏捷科，在第 2 代半導體材料砷化鎵代工領域業務逐年提升中，目前也積極投入第 3 代半導體事業的布...
2023年3月15日 · 台廠第三類半導體發展 華冠投顧分析師劉烱德表示，第三類半導體碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）的特性是在高功率及耐高溫耐高壓，剛好就是全球發展電動車、充電樁、低軌衛星、5G 通訊、ESG 企業永續經營、綠能及儲能，所必須用到的新材料。
碳化矽，英文：silicon carbide，carborundum，化學式：SiC，它是目前最新的第三代半導體材料之一。 其中第三代的氮化鎵、碳化矽，相較於第1代半導體材料的矽、鍺，以及第2代半導體材料砷化鎵、磷化銦，各自有不同的特性及用途。
第三代半導體，不同於第一代半導體材料（矽 Si、鍺 Ge）與第二代半導體材料（砷化鎵 GsAs、磷化銦 InP），第三代半導體的主要材料則為碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）兩種，由於產品特性的不同，各代半導體也分別有不同領域的應用。
2023年9月6日 · 上述都是以矽為基礎的功率元件，而後來新一代的寬能隙(Wide Band-gap)半導體材料、又稱為第三代半導體的 SiC (碳化矽) 和 GaN (氮化鎵)出現，由於能隙更大，這使它們具有耐高電壓、耐高溫、低電阻、低切換損失、適合高頻操作的優越特性，被看好一顆抵
2023年11月9日 · 第三類半導體主要材料為碳化矽 （SiC）與 氮化鎵 （GaN）兩種，如果以市場來應用來看，又可分為高頻通訊元件及功率元件兩大類。 資策會MIC於第36屆MIC FORUM...
