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  2. 蕭特基能障(英語: Schottky barrier ),是指具有整流特性的金屬-半導體界面,就如同二極體具有整流特性。 蕭特基能障(障壁)相較於PN接面最大的區別在於具有較低的 接面電壓 ,以及在金屬端具有相當薄的(幾乎不存在) 空乏層 寬度。

  3. 蕭特基堅強二極體是利用大順向電流來發熱。 發熱後漏電流(I R )變大,同時外殼溫度和環境溫度也會跟著上升。 一但散熱設計失常,就會造成發熱超過散熱,無法達到熱平衡,因而持續發熱。

  4. 2009年8月30日 · 蕭特基能障(Schottky effect). 國立彰化師範大學光電科技研究所張淑貞研究生/國立彰化師範大學洪連輝教授責任編輯. 大部分p-n接面有用的特性可以簡單的經由形成一個適當的金屬半導體接點而得到,這樣的趨勢深具吸引力。. 而當需要高速整流時,金屬 ...

  5. 蕭特基二極體(英語: Schottky diode ),又譯肖特基二極體,一種導通電壓降較低、允許高速切換的二極體,利用蕭特基能障特性而產生的電子元件,其名稱為了紀念德國物理學家華特·蕭特基(Walter H. Schottky)。

  6. Si-SBD的特徴. 上次已經說明,Si-SBD並非PN接面,而是利用矽與所謂阻金屬層﹙barrier metal﹚之金属接合(蕭基特接面)形成蕭基特壁的二極體。. Si-SBD的特性取決於阻金屬層﹙barrier metal﹚的種類。. 而且,其特性的差異決定應用程式的合不合適。. 下表彙整了 ...

  7. www.wikiwand.com › zh-tw › 肖特基势垒蕭特基能障 - Wikiwand

    蕭特基能障 (英語: Schottky barrier ),是指具有整流特性的 金屬 - 半導體 界面,就如同 二極體 具有整流特性。 蕭特基能障(障壁)相較於PN接面最大的區別在於具有較低的 接面電壓 ,以及在金屬端具有相當薄的 (幾乎不存在) 空乏層 寬度。 並非所有的金屬-半導體接面都是具有整流特性的,不具有整流特性的金屬-半導體接面則稱為 歐姆接觸 。 整流屬性決定於金屬的 功函 、固有半導體的 能隙 ,以及半導體的 摻雜 類型及 濃度 。 在設計半導體元件時需要對 蕭特基效應 相當熟悉,以確保不會在需要歐姆接觸的地方意外地產生蕭特基能障。 蕭特基能障命名自德國物理學家 華特·蕭特基 ( Walter Hermann Schottky )。

  8. 蕭特基二極體 (英語: Schottky diode ),又譯 肖特基二極體 ,一種導通電壓降較低、允許高速切換的 二極體 ,利用 蕭特基能障 特性而產生的電子元件,其名稱為了紀念德國物理學家 華特·蕭特基 (Walter H. Schottky)。. 蕭特基二極體的符號. 各種不同的 ...