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什麼是EUv光罩?
什麼是EUV?
EUV 技術有哪些困難點需要突破?
euv微影是什麼?
極紫外光微影（英語：extreme ultraviolet lithography，中國大陸稱為極紫外光刻，簡稱「EUV」或「EUVL」）又稱作超紫外線平版印刷術, 是一種使用極紫外光波長的微影技術，目前用於7奈米以下的先進製程，於2020年得到廣泛應用 [1] [2] [3] [4] 。
2020年4月22日 · 在台積電法說會上，EUV是近年不斷提到的微影製程名稱，也是現今能在晶片上畫出最精密線路的光罩技術，究竟微影技術是什麼？ 在神秘的半導體無塵室如何進行？ 這家全球最大微影設備供應商ASML用影像視覺揭露微影技術的真實樣貌。 The full EUV optical light path - Inside the TWINSCAN NXE:3400 EUV lithography machine | ASML. Watch on. ASML的EUV設備內部運作. ASML是荷蘭半導體微影設備供應巨頭，台積電也是客戶之一。 圖／ ASML. ASML指出，在半導體製程中微影（Lithography）是驅使晶片效能更高、成本更低的關鍵技術。
- 義無反顧，全力以赴，合作無間
- 打造一個全新的生態系統
- EUV 挽救了摩爾定律
ASML 從一開始就認知到開發 EUV 量產微影機台是個極高風險但又是高回報的事業。 而且延續摩爾定律是它的社會責任。 因為風險極高，所以 ASML 的競爭對手從一開始就沒有打算要開發量產的 EUV 技術。 它的社長對我說：「EUV 是不會成功的；ASML 會蝕掉所有的開發成本 」。 其實那時有這樣的想法是很正常的，持這樣觀點的人也很多。 但 ASML 不是一般的公司。 決定它在 EUV 微影機台技術上成功的因素有三個： 1. 決定開發 EUV 微影機台後，公司將全力以赴，投入了所有可能的資源來降低風險，使它成功。 2. 技術長 Martin van den Brink 親自掛帥，事無巨細，都一一過問。 3. 和像台積電這樣的重要客戶共同開發。 對台積電來說也一樣。 因為已經決定了，就要全方...
以上的工作是艱難的，但是還是不足的。 EUV 微影量產技術是到目前為止半導體工業最大的開發計劃，它的成功需要整個半導體業界的力量。為了說服 ASML 開發，從 2013 年起的五年內，台積電、三星、英特爾加在一起付給了 ASML 超過十億歐元研發費用來共襄盛舉。為了達成此任務，ASML 援助它的供應商：2012 年，它花了二十五億美元收購了美國 Cymer 公司；2016 年，它花了十億歐元入股德國 ZEISS 公司，並在之後的六年內提供 ZEISS 七點六億歐元研發費用。 這些舉動都是為了確保 EUV 微影技術的成功。 要成功將 EUV 技術導入晶片的量產階段，除了微影機台外，還需要開發一個 EUV 微影技術專門的生態系統。 這個系統包括光阻與光罩。 其實光罩本身就是一個子系統，它在台積電...
二十多年的前期研發不算，僅量產用的 EUV 微影技術的開發就走了足足十二年。 ASML 更是直接投入了大量人力物力，這還不算 ASML 在微影機台方面多年的技術積累和產業界的全力合作。所以大事業的成功是成年累月不懈的努力。 是不可能一步登天，一蹴而就的。 EUV 微影技術最終是成功了。摩爾定律的生命被延續了。不然，積體電路的進步會在 2018 年量產的 7 奈米那代就嘎然而止了。而現在呢，EUV 微影技術已經應用於 7 及 5 奈米世代的量產。2020 年十月，台積電魏哲家執行長宣布：3 奈米世代將於 2022 年下半年投入量產。正如 193 奈米浸潤式微影技術讓摩爾定律延續了十年（五個世代的積體電路），EUV 微影技術也將會讓摩爾定律至少延續再一個十年。屆時，積體電路製造已經走到了埃米世代...
极紫外光刻（英语：extreme ultraviolet lithography，台湾称为极紫外光微影，简称“EUV”或“EUVL”）又稱作超紫外線平版印刷術, 是一种使用極紫外光波長的光刻技術，目前用于7納米以下的先進製程，于2020年得到廣泛應用 [1] [2] [3] [4] 。
2020年12月4日 · EUV，全名為Extreme Ultraviolet，中文叫做「極紫外光」，是一種波長極短的紫外光，一般生活中要塗乳液防曬的紫外線波長約在100~400奈米，而極紫外光才13.5 奈米而已，可說是頻率更高、能量更強的光，不過因為這個波段的光很容易被空氣等介質吸收，反而不如紫外光對人體有那麼多影響哦！ 在上一篇 《打造IC裡的樂高世界 — 微影製程》 裡我們提到微影製程...
半導體製程的原理是「差異蝕刻」：半導體基板上被光照射的區域會發生化學變化，使其化學成分或是硬度和其他部分不同。 在蝕刻的過程，硬度低的區域將消失，硬度高的區域將留下。
極紫外輻射 （英語： Extreme ultraviolet radiation ）又稱 極紫外光 或 高能紫外線輻射 ，簡稱 EUV 、 XUV ，是 波長 在124 nm 到10nm之間的 電磁輻射 ，對應 光子 能量為10 eV 到124eV。 自然界中， 日冕 會產生EUV。 人工EUV可由 電漿 源和 同步輻射 源得到。 主要用途包括 光電子譜 、對日EUV成像望遠鏡及 光微影技術 等。 EUV是最易被空氣吸收的譜段，因此其傳輸環境需高度真空。 EUV的產生 [ 編輯] 中性原子或固體無法發射EUV。 產生EUV，首先要發生 電離 。 只有被帶多個正電荷的 離子 束縛的 電子 才能夠發射EUV。 例如，把+3碳離子繼續剝除一個電子的過程需要65eV，其中的電子比普通價電子更受束縛。
