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極紫外光微影（英語：extreme ultraviolet lithography，中國大陸稱為極紫外光刻，簡稱「EUV」或「EUVL」）又稱作超紫外線平版印刷術, 是一種使用極紫外光波長的微影技術，目前用於7納米以下的先進製程，於2020年得到廣泛應用 [1] [2] [3] [4] 。
極紫外輻射 （英語： Extreme ultraviolet radiation）又稱 極紫外光 或 高能紫外線輻射，簡稱 EUV 、 XUV，是 波長 在124 nm 到10nm之間的 電磁輻射，對應 光子 能量為10 eV 到124eV。 自然界中， 日冕 會產生EUV。 人工EUV可由 電漿 源和 同步輻射 源得到。 主要用途包括 光電子譜 、對日EUV成像望遠鏡及 光微影技術 等。 EUV是最易被空氣吸收的譜段，因此其傳輸環境需高度真空。 EUV的產生. [編輯] 中性原子或固體無法發射EUV。 產生EUV，首先要發生 電離。 只有被帶多個正電荷的 離子 束縛的 電子 才能夠發射EUV。 例如，把+3碳離子繼續剝除一個電子的過程需要65eV，其中的電子比普通價電子更受束縛。
2023年10月28日 · 如何將EUV光反射到矽晶片上 聽起來很簡單，但一樣是難到爆的事。 因為EUV波長接近X光線，這樣的波長很容易被許多材料給吸收，一般鏡子無法反射。
本文介紹了半導體製程如何從波長193奈米的深度紫外光跳到13.5奈米的極端紫外光，以及極端紫外光的產生方式和挑戰。極端紫外光是半導體製程的關鍵，但也是最難實現的光源，需要高能電漿和高能電漿燈泡。
產業只能再次更換波長更短的光源，如13.5 nm波長的極紫外光微影技術（EUVL ），或非OPL 技術，如電子束直寫微影技術（EBDWL）等無光罩曝光技術。最終，在產學研的合力研發下，EUVL 成功克服重重困難於7/5 nm 技術節點開始肩負起 ...
極紫外輻射（英語： Extreme ultraviolet radiation ）又稱極紫外光或高能紫外線輻射，簡稱EUV、XUV，是波長在124nm到10nm之間的電磁輻射，對應光子能量為10eV到124eV。 自然界中，日冕會產生EUV。人工EUV可由電漿源和同步輻射源得到。 主要用途包括 光電子譜、對日EUV成像望遠鏡及 光微影技術 等。
2021年2月15日 · 本文介紹了 ASML 如何從實驗室到量產的極紫外光（EUV）微影技術的挑戰和成就，以及台積電在 EUV 微影技術的應用和影響。EUV 微影技術是半導體製造的重要工具，可以延續摩爾定律，但也面臨各種技術難度和成本問題。
極紫外光大家可以理解為一種波長較短的紫外光，lithography最早是石版印刷的意思，現在也被用來稱呼為光刻技術，所以把他們兩者合起來就是“利用極紫外光來進行雕刻”的意思，那要雕什麼呢？
2020年12月4日 · EUV，全名為Extreme Ultraviolet，中文叫做「極紫外光」，是一種波長極短的紫外光，一般生活中要塗乳液防曬的紫外線波長約在100~400奈米，而極紫外光才13.5 奈米而已，可說是頻率更高、能量更強的光，不過因為這個波段的光很容易被空氣等介質吸收
2021年6月8日 · 半導體光刻膠根據曝光光源波長不同來分類，分別是紫外全譜(300～450nm)、G 線(436nm)、 I 線(365nm）、深紫外(DUV，包括248nm和193nm)和極紫外(EUV)，相對應於各曝光波長的光刻膠也由此而生。
