搜尋結果
2008年3月1日 · 闪存数据恢复原理与方法. 来源： 2008-03-01 00:00:00. U盘数据恢复主要包括： 不正常拔插导致的（提示要格式化、文件丢失）各种问题、误删除、误格式化、病毒破坏、出现物理坏道等，数据恢复率要看U盘是否识别，如果U盘无法识别，数据恢复很困难，其他情况数据恢复成功率很高。 闪存是一种非挥发性记忆可电擦除并重写,这意味着它不需要电力维持资料晶片. 此外,闪存提供更快捷阅读时代,进入比硬盘抗冲击。 闪存是由事先的EEPROM (电动擦写可编程只读存储器)允许多重记忆位置被抹去或写一个程式运作. 不像一个存储器 (电可编程只读存储器)的EEPROM可以编程和擦除成倍电.
2008年10月31日 · 1.固有坏块. 这是生产过程中产生的坏块，一般芯片原厂都会在出厂时都会将坏块第一个page的spare area的第6个byte标记为不等于0xff的值。 2.使用坏块. 这是在NAND Flash使用过程中，如果Block Erase或者Page Program错误，就可以简单地将这个块作为坏块来处理，这个时候需要把坏块标记起来。 为了和固有坏块信息保持一致，将新发现的坏块的第一个page的spare area的第6个Byte标记为非0xff的值。
2007年8月3日 · 1.先天性坏块. 这种坏块是在生产过程中产生的，一般芯片原厂都会在出厂时都会将坏块第一个page的spare area的第6个byte标记为不等于0xff的值。 2. 后天性坏块. 这种坏块是在NAND Flash使用过程中产生的，如果Block Erase或者Page Program错误，就可以简单地将这个块作为坏块来处理，这个时候需要把坏块标记起来。 为了和先天性坏块信息保持一致，将新发现的坏块的第一个page的spare area的第6个Byte标记为非0xff的值。 三、坏块的处理.
2008年10月7日 · NOR闪存同时使用上述两种方法，CHE用于数据写入，支持单字节或单字编程；FN法则用于擦除，但NOR不能单字节擦除，必须以块为单位或对整片区域执行擦除操作，由于擦除和编程速度慢、块尺寸也较大，使得NOR闪存在擦除和编程操作中所花费的时间很长，无法胜任纯数据存储和文件存储之类的应用，但它的优点是可支持代码本地直接运行；其次，NOR闪存采用随机存储方式，设备可以直接存取任意区域的数据，因此NOR闪存底部有大量的信号引脚，且每个单晶体管都需要辅助读写的逻辑，晶体管利用效率较低、容量不占优势。 而NAND闪存采用FN法写入和擦除，且采用一种“页面-块”寻址的统一存储方式，单晶体管的结构相对简单，存储密度较高，擦除动作很快，但缺陷在于读出性能平平且不支持代码本地执行。
2011年5月9日 · PCRAM的概念. 相变内存（PCRAM）的英文是“Phase Change Random Access Memory”，简称“PCM”，是一种非易失性的内存。. 相变内存是新世代内存（闪存）技术，国内外多家厂商都纷纷对此项技术进行开发。. 目前PCRAM技术合作及研究成果的厂商（机构）列表. PCRAM的优点 ...
2007年12月26日 · 黑片FLASH和白片FLASH的区别. 一个晶圆上有成百上千个芯片，在晶圆生产好后要经过测试并把不好的标记上；买裸片的厂家买回未切割的晶圆自己切割、邦定，标记为不好的芯片 (die)就会被丢弃；测试过的晶圆的另一个出路是被送去切割并封装，封装好后就是我们 ...
2008年6月19日 · 用Thaiphoon Burner这款软件就能做到。 当主板上插有新旧两条大小一致的内存导致系统不稳定，主板的BIOS又无法对两条内存的频率分别调整时，可以把性能弱的SPD刷到强的那条内存上，以提高稳定性。 注意：千万不要把内存大小不同的SPD互相刷！ DDR，DDR2，DDR3的SPD也不能混刷。 同BIOS的刷新一样是有风险的，如果需要请在刷新前备份被刷的内存spd。 专业人员常用专用设备或专用转接头配合编程器来刷新内存条的SPD数据，另外还可以利用软件刷新内存SPD参数。 如Thaiphoon Burner是一款内存SPD信息读写绿色软件，它可以在无需拆机的情况下直接读写内存条的SPD信息。 能识别由JEDEC分配的635个唯一生产ID，完全兼容DDR2内存。
