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  1. 2019年10月1日 · 石英砂是石英石經破碎加工而成的石英顆粒,主要成分為二氧化矽,是高純度金屬矽生產的重要基礎材料。 儘管來源豐富,但是 積體電路產業中使用的矽純度要求達到九九.九九九九九九九九九%,因而需要熔煉和提純 。 通常,矽提純工藝中將二氧化矽與焦煤在一千六百至一千八百℃的高溫環境中還原成純度為九十八%的冶金級單質矽,而後利用氯化氫提純出九十九.九九%的多晶片矽,進而通過進一步提純,形成形態一致的單晶矽(矽原子在三維空間中呈現規則有序排列,形成每個晶胞含有八個矽原子的「金剛石結構」,晶片體結構十分穩定)。 在超純矽領域,一九二六年成立的日本信越化學工業株式會社(Shin-EtsuChemical)是全球領先的企業 。

    • Soi 填補 MOSFET 與 FinFET 的尺寸空窗區域
    • Soi 晶圓具備特殊結構特性,可調整結構產生多種應用
    • 環球晶與格芯針對 RF Soi 領域合作,著眼行動裝置與 5G 應用

    半導體製程持續依循摩爾定律推進,相同晶圓面積下得填入更多電晶體管,閘極(Gate)線寬便是其中微縮重點。傳統平面構造的 MOSFET(金屬氧化物半導體場效電晶體)元件閘極線寬,已微縮至極限,當閘極線寬縮小至 20 奈米以下,需改變元件結構,才能持續推進摩爾定律,立體構造的 FinFET(鰭式場效電晶體)元件也因此問世。 雖然 FinFET 可符合微縮尺寸的需求,但閘極線寬必須在 16 奈米以下,才能有效控制從源極(Source)與汲極(Drain)間的電流開關,也就是說,在平面 MOSFET 構造與立體 FinFET 構造間,閘極線寬仍存在一段空窗尺寸區域,此缺口剛好由 FD-SOI 元件補上。 SOI(Silicon On Insulator)為絕緣層上覆矽技術,主要是在矽晶圓上做特殊材質...

    FD-SOI 則是為低功率處理而設計的製程,整合類比 / 射頻 / 混合訊號功能,可在低洩漏 / 休眠模式與高速運算中靈活切換,具備低功耗、製造週期短等優勢,製程技術較 FinFET 簡單、成本也較低,但元件尺寸較大、散熱也較慢。FinFET 技術則追求絕對高性能,但設計難度與製造成本不斷攀升。 FD-SOI 適合邏輯與類比電路使用,應用面為 SOI 技術中最廣泛,囊括物聯網、車用電子、機器學習等領域;隨著半導體線寬持續微縮,FD-SOI 與 FinFET 製程成為推進技術發展的兩大陣營。 不過,SOI 晶圓類型不只 FD-SOI,由於 SOI 晶圓具備特殊結構特性,元件應用可能性多元,依據不同的矽層厚度、絕緣層厚度,或額外添加的材料層,在結構上進行調整與設計,產生不同類型的 SOI 晶圓,...

    供應商方面,目前 SOI 晶圓龍頭為法國 Soitec 半導體,市占率囊括 7 成以上,其他供應商包括日本勝高(SUMCO)、信越(Shin-Etsu)、中國的上海新傲,台廠則有環球晶,其中,信越與上海新傲技術均授權自 Soitec。 晶圓代工廠方面,主要龍頭廠為美國格芯,其他包括韓廠三星、瑞士的意法半導體、以色列 TowerJazz,中國則有中芯國際與華虹宏力,台廠則有聯電。 從國內 SOI 晶圓廠佈局來看,環球晶 2016 年時,收購當時全球第四大晶圓廠 SEMI,取得 SOI 晶圓技術專利,為格芯 8 吋 SOI 晶圓長期供應商,基於雙方未來市場發展與穩定供應需求,環球晶與格芯日前簽署 MOU,將共同合作擴大 12 吋 SOI 晶圓產能,並簽訂長期供應協議。 環球晶與格芯的合作主要針對...

  2. 2013年12月25日 · 喬布斯最熱衷的題目之一是產品的厚度。 MacBook Air 問世時,它的厚度比同時期市面上的筆電薄 1/3 以上,這樣的超規格是否必要? 尋常的設計者如果跟喬布斯理論,他的標準回答是:你辦得到(You can do it)而不留餘地。 是否真能辦到? 喬布斯也不知道,但他知道不合理的限制(也可說是一種目標)常能激發創作者的潛能,產生跳躍式的創意。 結果由於超薄的要求,導致機殼、LCD 面板和 IC 封裝技術的連鎖式創新,創造出筆電市場裡的一個新品類。 無厘頭限制、逆向思考,都是找到成功創意的祕訣. 當年 Sony 及 Philips 爭相開發光學儲存技術的時候,曾經面臨一個問題:如何決定儲存容量的標準長度? 最後決定了 74 分鐘的播放時間,為什麼不是 60 分鐘?

  3. 2020年12月14日 · 全球約 90% 的半導體器件都是用當基底材料,目前還沒有其他半導體材料可以撼動在市場上的地位。 大致認識之後,接著帶大家來認識一下的最大用途,也就是「晶圓」的製造流程。

  4. 2020年12月2日 · 宏遠投顧分析師翁浩軒指出,在現行 PA 市場,仍使用材料為矽的「橫向擴散金屬氧化物半導體技術」(LDMOS),由於 LDMOS 僅適用低頻段,5G 使用的 3.5 GHz 高頻段,已觸碰到 LDMOS 製程的天花板。

  5. 2021年10月6日 · 放眼看去,除了原本就稱霸晶圓領域的台積電、日月光、環球晶等,均布局卡位第 3 代半導體一段時間;在第 2 代半導體砷化鎵(GaAs)領域深蹲已久的穩懋、宏捷科、全新等,也擺出對第 3 代半導體勢在必得的態勢。. 此外,功率元件供應鏈如強茂 ...

  6. 2022年1月3日 · 矽基半導體產業發展超過 60 年,在台積電創辦人張忠謀開創晶圓代工商業模式後,產業走向高度垂直分工。. SiC 半導體是 IDM 廠獨霸一方!. 台廠面臨巨大壓力. 不過,目前仍在起飛階段的 SiC 半導體,卻是由 IDM 廠獨霸一方, 其中美國的 Wolfspeed(原名為 ...

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