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電晶體 規格書. 產品 (44,154) 規格書. 圖片. 最新產品. 電晶體的類型. 清單 圖片. Darlington 電晶體 (553) IGBT 電晶體 (1,720) IGBT 模組 (1,613) JFET (870) MOSFET (22,177) 射頻電晶體 (1,084) 數位電晶體 (3,405) 雙極結晶體管 - BJT (9,596) 結果: 28,129. 已用篩選: 未選擇任何選項 變更篩選器. 製造商： onsemi. 資料表部件編號: 1. 檢視. 下載. 製造商： IXYS. 資料表部件編號: 1. 檢視. 下載. 製造商： onsemi. 資料表部件編號: 1. 檢視. 下載. 製造商： Infineon. 資料表部件編號: 1. 檢視. 下載.
- 什麼是電晶體？
- 電晶體的運作原理為何？
- 挑選適合應用的電晶體
- 電晶體電路的範例
- 電晶體發明簡史
- 參考資料
電晶體也稱為雙極性接面電晶體 (BJT)，是一種由電流驅動的半導體元件，可用於控制電流流動；其中，基極引線中的少量電流可控制集極和射極之間較大的電流。電晶體可以用來放大微弱的訊號、當作振盪器或開關。 通常，這些電晶體元件是以矽晶體製成，其中的 N 與 P型半導體層互相堆疊。請參閱以下圖 1。 圖 1：圖 1a 為 2N3904 TO-92 的剖面圖，顯示接至矽晶的 E - 射極、B - 基極以及 C - 集極引線。圖 1b 取自 1958 年 5 月號 Radio-Electronics 雜誌2，顯示了 N 和 P 型切面及其排列情形 (當時使用鍺材質)。 電晶體採用全密閉結構，封裝在有三根引線的塑膠或金屬圓柱體內 (圖 2)。 圖 2：幾種常見的封裝類型及其尺寸比較。
我們將舉例說明 NPN 電晶體如何運作。要瞭解這類元件如何作為開關運作，方法很簡單：想像水流流過閥門控制的水管。水壓代表「電壓」，而流經水管的水流就代表「電流」 (圖 3)。大水管代表集極／射極接面且中間具有閥門，就像一個可開闔擋片 (在圖中以灰色橢圓型表示)，由代表基極的小水管內的電流推動。閥門會維持從集極流向射極的水壓。當水流過較小的水管 (基極) 時，會打開集極／射極接面間的閥門，讓水流經射極後流到地面，地面代表所有水 (即電壓／電流) 的回路。 圖 3：此圖說明電晶體的運作方式。當水流過較小的水管 (基極)時，會打開集極／射極接面間的閥門，讓水流經射極後流到地面。
若您只想要啟動電路或開啟負載，有些項目必須列入考量。要決定使用正或負電流 (即分別為 NPN 或 PNP 型) 對電晶體開關施加偏壓或通電。NPN 電晶體由基極施加偏壓的正電流所驅動 (或啟動)，以控制從集極到射極的電流流動。PNP電晶體由基極施加偏壓的負電流所驅動，以控制從射極到集極的電流流動。(請注意，PNP 的極性與 NPN 相反。)查看以下圖 4 瞭解詳情。 圖 4：各電晶體類型的線路圖符號。 決定偏壓後，需要考量的下一個變數是負載運作所需的電壓與電流值。這些值是電晶體的最低額定電壓與電流。下表 1 與 2 顯示了一些常見的電晶體與關鍵規格，包含其電壓與電流限制。 NPN 與 PNP 型、有引線及表面黏著電晶體 表 1.常見的引線式和表面黏著 NPN 與 PNP 電晶體。 NPN 與...
下圖 5 顯示的電路範例會將基極通電藉此開啟集極射極接面，或是透過滑動式開關對基極施加 5 V 的電壓，讓電晶體受到偏壓而開啟接面。在此範例中，負載是 LED，而 LED 會點亮。對基極施加偏壓時，需要適當使用電阻以避免過電流。本範例在麵包板中使用引線式零件，來測試範例電路。在預計上市的新產品設計中如有使用電晶體，絕大多數工程師都會採用表面黏著電晶體 (比 TO-92 封裝尺寸小很多)。此連結會顯示 3904 電晶體的不同封裝尺寸。 2N3904 屬於 NPN 電晶體，因此其基極需要施加正偏壓 (適當的電壓位準與電阻) 以打開集極射極接面，獲得適當的電流。此外，使用負載電阻 (R1) 也相當重要，這麼一來便不會有太多電流流經 LED 與電晶體。如需更多關於電晶體的相關資訊，請參閱 2N390...
一切是如何開始的？說來話長，我們先從電話的發明談起。關於誰發明了第一個可用的電話原型，許多人持不同意見；不過，第一個專利是由 Alexander Graham Bell 在 1876 年 3 月7 日3 獲得，且隨後創立了美國電話電報公司 (即 AT&T)。Bell 的專利在 1894 年1 前後到期。雖然 AT&T 一開始時獨占整個巿場，但到了 1900 年代初期，其他公司紛紛成立，並搶走 AT&T 的顧客。有鑑於此，AT&T 認為有必要繼續獨佔並拓展市場。到了 1909 年，AT&T 總裁 Theodore Vail1想要發展跨州的電話轉接服務 (從紐約到加州)。但要達此目標，需要良好的放大器或中繼器來增強長途傳輸的訊號。早在 1906 年，Lee De Forest 承襲了 John ...
Riordan, Michael and Lillian Hoddeson.1997.Crystal Fire: The Invention of the Transistor and the Birth of the Information Age.New York, NY: W.W. Norton & Company, Inc.Ryder, R.M. 1958.“Ten years of Transistors”, Radio-Electronics Magazine,May, page 35.Houghton Mifflin Harcourt Publishing Company.1991.“ALEXANDER GRAHAM BELL”.Retrieved Dec. 19, 2017.Riordan, Michael, Lillian Hoddeson, and Conyers Herring.1999.“The Invention of the Transistor”, Modern Physics, Vol 71, No. 2: Centenary.- John Leduc
電晶體在應用上有許多要注意的最大額定值，例如最大電壓、最大電流、最大功率。若在超額的狀態下使用，會破壞電晶體內部的結構。每種型號的電晶體還有像是直流放大率h FE、NF噪訊比等特性，可以藉由電晶體 規格表 （ 英語 ： Datasheet ） 得知。 重要性
規格書. 圖片. 最新產品. 電晶體的類型. 清單 圖片. Darlington 電晶體 (621) IGBT 電晶體 (1,782) IGBT 模組 (1,732) JFET (961) MOSFET (22,736) 射頻電晶體 (1,282) 數位電晶體 (3,414) 雙極結晶體管 - BJT (11,657) 結果: 44,185. 智能篩選. 已用篩選: 半導體 離散半導體 電晶體. 重置所有. 在結果中搜尋. 庫存量. 正常庫存. 有效. 新產品. 符合 RoHS. 1. 2. 3. 4. 5. » 電晶體 在Mouser Electronics有售。
電晶體 (BJT) 主表. 本公司的雙極接面電晶體 (BJT) 產品組合涵蓋絕大多數電晶體需求，電壓範圍從低於 30V 到超過 100V，同時還提供高效率飽和電壓效能、快速切換速度及小尺寸。 Find Parts. Export All Parts | Download Spice Models. 本公司的雙極接面電晶體 (BJT) 產品組合涵蓋絕大多數電晶體需求，電壓範圍從低於 30V 到超過 100V，同時還提供高效率飽和電壓效能、快速切換速度及小尺寸。
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判斷前：選擇電晶體～到打件前的流程 1. 選擇電晶體 從Web、簡易樣式型錄中選擇符合規格的電晶體。 前往電晶體產品介紹頁 2. 取得規格、樣品 部份樣品可從Web得到。 3. 在實際電路(評估電路)中安裝電晶體
電晶體. ( 一) 電晶體的結構與符號. 電晶體共有三端點、兩接面,其中三端點分別為射極(emitter ,簡稱E) 、基極(base ,簡稱B) 與集極(collector ,簡稱C), 兩接面分別為基- 射極接面(B-E 接面) 和基- 集極接面(B-C 接面),所以電晶體又稱為三極體或雙接合面電晶體(bipolar junction transistor,簡稱 BJT)。 因組合的半導體材料不同,共分 NPN 與PNP 兩大類,以NPN電晶體為例 : 在E、B、C三極中,射極負責發射電子,集極負責接收電子,至於基極則是控制電流大小的端子,其主要結構與符號如( 圖1a) 和 ( 圖1b)所示,圖中有箭頭的接腳為射極,在以箭頭方向表示電晶體的類型,箭頭朝外為NPN ,箭頭朝內為PNP。
