熱顯像儀原理 相關
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2017年11月27日 · 在半导体中还存在少子，内电场的电场力会对少子产生作用，促使少数载流子产生漂移运动。 我们称从N区指向P区的内电场为PN结，简单的描述为：N型半导体中含有较多的空穴，而P型半导体中含有较多的电子，这样，当P型和N型半导体结合在一起时，就会在接触面形成电势差，这就是PN结。
2017年12月11日 · 一、切片的原理. 线切割是通过使用一条高速运行的金属线携带砂浆，把硅块切割成薄片的。 系统中，金属线缠绕一组导轮形成一个切割线网。 硅块被顶起推在金属线网上，同时金属线网向一个方向（单线切割）或来回（双向切割）运动。 SiC主要用于切割，切割液用于悬浮，钢线用于承载。 二、三大辅料. 1.刚线. 钢线是线切割中的重要耗材之一，钢线在拉制过程中表面都会镀上一层很薄的铜，因此新钢线都是呈金黄色，钢线的密度为7.8kg/L，钢线的主要参数为钢线直径、钢线长度、拉伸强度、破断力、伸缩率等。
2020年5月18日 · 检验原理 热探针和N型半导体接触时，传导电子将流向温度较低的区域，使得热探针处电子缺少，因而其电势相对于同一材料上的室温触点而言将是正的。
2019年11月12日 · 1.LeTID定义. LeTID是 光伏组件 功率衰减的一种形式，具有几个独特的特点： LeTID通常影响最新的电池技术，如PERC、PERT，不管是单晶或多晶，对传统电池技术的功率衰减影响较小； 目前实验室研究发现组件LeTID衰减率能高达10%； 当电池发电达到高温（超过50°C）时更容易发生； 衰减最终稳定，效率或能恢复，但恢复速度不同，恢复机理不清楚； 2.LeTID测试的重要性. LeTID常常发生在新型电池技术如PERC、PERT等，这些技术近年来正在成为行业主导技术。 据统计，PERC电池现在占据了全球市场的40%以上，预计其市场份额还将大幅增长.
2018年2月9日 · 此中原理，给您娓娓道来。 弱光响应的影响因素. 1.并联电阻。 弱光就是入射光强比较弱。 虽然不影响短路电流，但是会影响开路电压。 理想情况下，开路电压跟入射光强成一个对数关系。 实际上考虑串并联电阻的影响，在弱光条件下，复合电流和通过并联电阻流走的电流就非常重要了，并联电阻越低，开压掉的越厉害，当然填充因子也掉的厉害了。 （Grunow，EUPVSEC，2004） 2.理想因子ideality factor。 和上面的阐述类似，越是结间耗尽层复合越厉害，双二极管模型n=2的部分越多，或者单二极管模型里面n的值越大，弱光响应就越差。 3.串联电阻。 影响没有1，2两个因素大，导致了这是经常被忽略的部分。 趋势是，串联电阻越大的话，弱光响应越好！
2017年12月1日 · 1、备料. 对多晶硅的原硅料和回收料使用PN测试仪和电阻率进行分档分类，直到达到配比质量，最后计算出需要的掺杂剂质量。 硅料的种类大致有多晶原硅料、多晶碳头硅料、多晶硅锭回收的硅料、单晶棒或单晶头、尾料、单晶锅底料、单晶碎硅片、其他半导体工业的下脚料等。 2、装料. 装料时操作工戴上PVC手套和防护服，轻拿轻放防止氮化硅涂层被破坏。 形状不规则的片料或大块硅料在指定区域砸碎，对片料进行破碎，使用专用砸料箱，注意此过程必须戴PVC手套、护目镜，防止危害人体。 挑选“硅料表面比较光滑的面” 。 大小块料要尽量均匀，碎料尽量用来填缝隙。 8.在装料过程中，一定不能碰到坩埚内壁，发现破坏要取出硅料，重新喷涂，直至符合要求再用。 一半的硅料装完后，领取掺杂剂，用电子天平称重后均匀的放置到硅料的表面。
2017年11月2日 · 理论上采用多层氮化硅减反射膜层通过不断降低折射率,能够更好的钝化太阳电池表面和降低表面反射率 [2]。 本文研究的是利用PECVD制作三层氮化硅膜以及其对多晶太阳电池的影响。 1实验. 本实验采用156×156多晶硅片,电阻率1～3Ω˙cm,厚度180um的P型硅片,所有硅片除PECVD工艺外,其它都经过相同的处理过程。 首先硅片经过HF和HNO3的混合溶液进行制绒,然后经过820℃～870℃的POCl3扩散,接着进行湿法刻蚀去背结。 再经过管式PECVD制作氮化硅减反射膜,PECVD过程中分别采用传统双层膜工艺和本文设计的三层膜工艺各做一组实验,采用Sentech的SE400测试监控氮化硅膜的折射率以及厚度。
