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2021年7月21日 · To overcome the scaling limit of planar NAND flash arrays, various three-dimensional (3D) architectures of NAND flash memory and their process integration methods have been investigated in both industry and academia and adopted in commercial mass
- Geun Ho Lee, Sungmin Hwang, Junsu Yu, Hyungjin Kim
- 2021
3D NAND 快閃裝置可以使用 MLC、TLC 或 QLC 設計。 NAND 儲存格平均抹寫技術. NAND 儲存格並非為永久使用而設計。 與 DRAM 不同，它們的儲存格會隨著時間推移而磨損，因為寫入週期比讀取週期更為繁瑣。 NAND 儲存裝置的寫入週期數量是有限的，但始終保留在裝置上的快閃控制器所執行的磨損，可透過平均抹寫進行管理。 所有的 USB 隨身碟、SD 卡及 SSD 固態硬碟皆有 NAND 控制器，用來管理 NAND 快閃記憶體，並執行如平均抹寫及錯誤修正等功能。 為了延長 NAND 儲存裝置的壽命，NAND 快閃控制器確保寫入的所有資料平均分佈在裝置的所有實體區塊中，以避免 NAND 其中一個區塊比另一個更快地磨損。 固態硬碟 (SSD)
3D NAND is a type of non-volatile flash memory in which the memory cells are stacked vertically in multiple layers. The design and fabrication of 3D NAND memory is radically different than traditional 2D -- or planar -- NAND in which the memory cells are arranged in a simple two-dimensional matrix.
2022年12月26日 · 美光表示，全新 232 層堆疊 3D NAND Flash 快閃記憶體設計的基礎，就是過去美光成功且經實證考驗的 CuA（CMOS-under-array） 架構，藉此擴增容量、密度、性能及成本效益。 其中，將 NAND 位元記憶單元陣列進行更多層堆疊，可於 mm² 的矽晶上納入更多位元，使其提高位元密度，並降低每位元成本。 而這項獨步業界的 232 層堆疊技術，誕生出美光第六代進入量產階段的 NAND Flash 產品。 其 232 層堆疊 3D NAND Flash 快閃記憶體也是首款支援 NV-LPDDR4 的產品，此低電壓介面與過去 I／O 介面相較，可節省每位元傳輸逾 30%。
NAND Flash 在隨身碟、記憶卡與固態硬碟上都可看到。 3D NAND Flash [編輯] 將NAND快閃記憶體在垂直方向進行堆疊和互聯，藉以提高單位面積的記憶體容量。[7] 3D NAND會提高產品容量還有穩定性。 儲存單元電位階數劃分 [編輯]
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什麼是NAND flash?
什麼是3D NAND?
什麼是232層堆疊 3D NAND Flash 快閃記憶體解決方案?
Abstract: In the past 20 years, NAND flash has un der gone dramatic scaling, with 2D NAND feature size going from 400 nm in 1998 to 15 nm in 2012 and 3D NAND increasing from 24 layers to 128 layers in just the past seven years. NAND density, expressed in terms of gigabits per square millimeter, has increased 100,000 times in the past 22 years [1].
NAND flash memory industry has made significant progress in the density and technology since the introduction of 3D NAND flash memory. It took only a few years.
