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感測器、資料處理與網路連結等技術的突破發展和微小化，加上低功耗運行與線上韌體即時更新 (OTA)等新功能需求，對於快閃記憶體需求不斷增加，同時要求必需具備小封裝、低功耗與快速讀寫的能力。. W25Q80RV 是由華邦自有12吋晶圓廠所生產，採用最新一代58nm ...
- 128Mb
- Not Recommended For New Design
- 104MHz
- 1.65V-1.95V
USON8 2X3mm. Temperature Range. -40℃ ~ 85℃. Feature List. SPI with Single, Dual, Quad I/O. UID & OTP Feature. Software and Hardware Write-Protect, Software Reset & Configurable Hardware/RESET Pin. 1mA Active Read Current, 0.5µA Power Down Current. Erase/Program Suspend & Resume, Programmable Output Driver Strength.
- 2Mb
- Mass Production
- 104MHz
- 1.65V-1.95V
- 顯著的節能效益
- 1.8V電壓產品
- V與1.5V延伸性電壓設計持續看好
NOR 快閃記憶體IC在低於1.8V 的工作電壓可有效節省能耗；當然，不同的應用場景下，節能的效果也不同。終端產品如手持式POS系統、智慧手錶、電子書與GPS導航系統皆是超低耗電量串列式快閃記憶體的最佳代言人。 圖2 顯示W25Q80NE在主動模式下，採行1.2V工作電壓比起1.8V的記憶體零件節省了33%的電源消耗。 圖說2：1.2V串列式NOR快閃記憶體在50MHz速度操作下的耗電情形 省電模式下的電源電流小於0.5µA，約略比1.8V W25Q80EW小了一半。 W25QxxNE的優點除了可節能以增加電池續航力外，同時也減少電池的尺寸與重量及減少雜訊耦合。 1.2V另一優點還有簡化電源電路設計。當系統單晶片、應用程式處理器和微控制器採用1.2V電壓標準，將可減少採用大而複雜的電源管理晶...
W25QxxNE和W25QxxND系列產品支援標準、雙通道與四通道SPI及QPI介面，資料傳輸速率最高可達每秒52MB，適用於傳統行動式、穿戴式與物聯網設備。 如同1.8V 串列式快閃記憶體一樣，1.2V和1.5V 延伸型串列式快閃記憶體將支援相同的功能和封裝類型，系統軟體毋須大幅更改，為工程師提供簡化電源電路設計的彈性以及節約電源的更多優點。除了標準封裝外，皆通過KGD品質測試，可以晶圓或晶粒的方式供貨。
1.2V電壓產品已導入至客戶設計並受到低耗能領域新晶片廠商的青睞與認可，如上海樂鑫信息科技(Espressif System)。Espressif Systems執行長張瑞安說：「華邦電子的低耗能串列式快閃記憶體產品已成為物聯網與智慧聯網設備的理想選擇，1.2V串列式快閃記憶體產品搭配我們超低功耗ESP32 WiFi與Bluetooth組合晶片，證明能進一步減少電源消耗，該產品已在我們的系統上測試成功，我們希望能盡快地以模組式的產品推向市場。」 快閃記憶體市場將會朝向標準化電壓，集中在1.2V與1.5V延伸電壓，華邦電子我們有信心讓系統設計師成功將產品的工作電壓設計規劃在約1.2V，以符合未來趨勢。 作者：華邦電子 產品行銷副處長William Chen、策略行銷資深處長K. C. Shek...
CUBE專為滿足邊緣AI運算裝置不斷增長的需求而設計，能利用 3D 堆疊技術並結合異質鍵合技術以提供高頻寬低功耗的單顆256Mb 至 8Gb記憶體。 除此之外，CUBE還能利用3D 堆疊技術加強頻寬降低資料傳輸時所需的電力。
Winbond Electronics Corporation Specialty Memory IC Company engaged in design, manufacturing and sales services
企業總部座落於台灣中部科學園區，在中科及南科各設有一座12吋高度智慧化和自動化晶圓廠。. 華邦電子為專業的記憶體積體電路公司，從產品設計、技術研發、晶圓製造到自有品牌行銷全球，致力提供全球客戶全方位利基型記憶體解決方案服務。. 核心產品 ...
SPI Nor flash快閃記憶體讀取不穩定的原因有哪些？. 讀取不穩定只是一個徵狀。. 可能的原因包括寫入資料時電壓不穩定或不足、擦除過程中意外斷電、或快閃記憶體位元可能已經損壞，需要進行FA故障分析才能確定。. 快閃記憶體尾碼 Q/N/M 有什麼區別？. 1. N 尾碼 ...
