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  1. EUV其實是媒體簡化後的結果,其實EUV lithography 才是比較完整的稱呼,EUV中文名稱是極紫外光,. 極紫外光大家可以理解為一種波長較短的紫外光,lithography最早是石版印刷的意思,現在也被用來稱呼為光刻技術,所以把他們兩者合起來就是“利用極紫外光來進行 ...

  2. 極光是在高緯度南極或北極的天空由於太陽風或磁場產生帶電的高能量粒子這些高能量粒子和高空中大氣層的氣體原子碰撞將能量轉移給氣體原子而產生電漿圖二c)>所示。 【注意】

  3. 台積電在 SEMICON Taiwan 2023 國際半導體展中表示,矽光子將成為半導體產業的關鍵技術,並認為其為能解決能源效率與 AI 運算問題,引發市場高度關注矽光子題材。究竟什麼是矽光子?矽光子概念股有哪些?矽光子未來展望與挑戰又是如何?本篇文章帶你一探究竟!

  4. 2024年3月25日 · 台積電在 SEMICON Taiwan 2023 國際半導體展聚焦矽光子題材,並稱其為能解決能源效率與 AI 運算問題,而 CPO 正是能完成矽光子願景的關鍵技術,使 CPO 成為近期市場最關注的題材之一。究竟什麼是 CPO?CPO 概念股有哪些?CPO 市場現況與未來展望又是如何?本篇文章帶你一探究竟!

    • 發光二極體的構造
    • 發光二極體的工作原理
    • 發光二極體的顏色
    • 發光二極體的中心波長

    發光二極體(LED:Light Emitting Diode)的構造如<圖一(a)>所示,外觀呈橢圓形,尺寸與一顆綠豆差不多,但是真正發光的部分只有圖中的「晶粒(Die)」而已,晶粒的尺寸與海邊的一粒砂子差不多,這麼小的一個晶粒就可以發出很強的光。由於發光二極體的晶粒很小,所以一片 3 吋的砷化鎵晶圓就可以製作數百個晶粒,切割以後再封裝,形成如<圖一(b)>的外觀,發光二極體的製程與矽晶圓的製程相似,都是利用黃光微影、摻雜技術、蝕刻技術、薄膜成長製作而成。 圖一、發光二極體(LED)的構造

    如果我們將<圖一>中的晶粒放大,如<圖二>所示,上下有金屬電極,中間有 N 型與 P 型的砷化鎵,當發光二極體與電池連接時,電子由電池的負極流入 N 型半導體,電洞由電池的正極流入 P 型半導體,電子與電洞在 P 型與 N 型的接面處結合,並且由晶粒的上方發光,經過橢圓形的塑膠封裝外殼,由於橢圓形的塑膠封裝外殼類似凸透鏡,具有聚光的效果,可以使發出來的光線「比較集中」。值得注意的是,真正能夠使發出來的光線集中成一束射出的半導體元件只有「雷射二極體(LD:Laser Diode)」,要讓光線集中成一束必須要有「共振腔(Cavity)」的結構才行。 圖二、發光二極體(LED)的工作原理

    當我們對不同的化合物半導體材料施加電壓時,會使化合物半導體發出「不同顏色的光」,科學家們利用這種原理可以製作出不同顏色的發光元件,如<表一>所示,簡單說明如下: ➤磊晶法:是指成長化合物半導體的方法,「液相磊晶(LPE:Liquid Phase Epitaxy)」是使用加熱法使化合物半導體熔化為液體,再緩慢冷卻形成固體單晶結構;「有機金屬化學氣相沉積(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)」,是使用有機金屬氣體,直接噴在砷化鎵晶圓上形成單晶薄膜(磊晶)。 ➤發光顏色:是指肉眼觀察發光二極體所放射出來的顏色,通常很接近中心波長的顏色。 ➤碳化矽(SiC):發光顏色為「藍綠色」,由於早期並沒有可以放射出藍光的發光二極體,所以大多使用碳化矽(S...

    「中心波長」是指發光二極體所放射出來的顏色相對的發光波長,由於不同顏色的光波長不同,所以發光二極體放射出不同的顏色就會有相對的發光波長。以「磷化鋁(AlP)」發光二極體為例,肉眼看到的顏色是「綠色」,但是其發光光譜如<圖三(a)>所示,由圖中可以看出,磷化鋁(AlP)發光二極體放射光的顏色由 0.45μm(藍綠色)~0.55μm(黃綠色)都有,所以並不是真正的綠色,而是許多波長混合起來的顏色,但是其中心波長 5.0μm(綠色)的光強度最高,所以肉眼看到的顏色是「綠色」,發光強度最強的波長稱為「中心波長」,換句話說,只要知道發光二極體放射光的中心波長,就知道肉眼看起來是什麼顏色了。 發光二極體放射出來的光譜具有一個波長範圍(0.45μm~0.55μm)的情形我們稱為「光不純」,真正可以放射出「...

  5. 有機電激發光顯示器的構造. 「有機電激發光顯示器(OEL:Organic Electrical Luminescence)」又稱為「有機發光二極體顯示器(OLED:Organic Light Emitting Diode)」,其構造如 <圖一> 所示,將可以發出紅光、綠光、藍光的「有機發光半導體(一種會發光的塑膠)」塗佈在 ...

  6. Micro LED 技術發展. 微發光二極體(Micro LED)目前主要有三種技術,各自有優缺點:. 晶片打線(Chip bonding):將製作完成的晶圓直接切割成 100 微米(μm)以下的晶粒,包含磊晶和晶圓基板,再利用表面黏貼技術(SMT:Surface Mount Technology)或 COB(Chip on Board)技術 ...

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