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    • 概览
    • 1.背景:
    • 2.Mn3Sn材料特点
    • 3.单相Mn3Sn薄膜的制备
    • 4.反常霍尔:

    Anomalous Hall effect in thin films of the Weyl antiferromagnet Mn3Sn

    外尔反铁磁Mn3Sn薄膜的反常霍尔效应

    反铁磁无杂散场,超快动力学响应。另一方面,磁场的确实使得很难控制或者响应信号很微弱。

    1.3m\mu _B/Mn

    2.奈尔温度: 420^{\circ}C

    3.反三角几何阻挫

    4.双层Kagome ,八极矩团簇

    Si/SiO_2 基底

    Mn_{2.5}Sn 靶材(通常是富锰靶材)

    氩气保护气0.3Pa

    直流电源 电源功率60W——通过测量沉积速度是0.2nm/s

    室温沉积, 500^{\circ}C 退火1小时 (非晶薄膜以多晶薄膜结晶)多晶薄膜40和400nm

    Mn_{3.05}Sn_{0.95}——Mn_{3.15}Sn_{0.85}

    •测量方法:标准四探针(霍尔棒)分横纵电阻率 \rho_{yx}=V_y*d/I_x

    •随着温度的变化,Mn3Sn在 260^{\circ}C 存在一个磁相变,从反三角转变为螺旋型。

    •100K自发磁化几乎为零——样品无铁磁杂质。

    •0-5T室温磁场中,磁化存在滞回。0T时自发磁化分量为 6m\mu_B/Mn ,与多晶近似。

    •零场 \rho_{yx} :在 260^{\circ}C 存在骤降——逆三角自选结构在低温下变为螺旋形

    •300K,磁场垂直与薄膜表面。矫顽场约0.6T,与自发磁化曲线一致。(相互佐证)

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