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羅伯特·諾頓·諾伊斯 （英語： Robert Norton Noyce，1927年12月12日—1990年6月3日），是 仙童半導體公司 （1957年創立）和 英特爾 （1968年創立）的共同創始人之一，他有「矽谷市長」或「矽谷之父」（the Mayor of Silicon Valley）的綽號。. 諾伊斯也是電子元件 積體電路 的 ...
罗伯特·诺頓·诺伊斯（英語： Robert Norton Noyce，1927年12月12日—1990年6月3日），是仙童半导体公司（1957年创立）和英特尔（1968年创立）的共同创始人之一，他有“硅谷市长”或“硅谷之父”（the Mayor of Silicon Valley）的绰号。 诺伊斯也是电子元件積體电路的发明者之一，[1] 他的发明对个人电脑的普及 ...
- 小小的電晶體是怎麼做出來的？
- 化學氣相沉積是現今最常見的沉積技術
- 原子層沉積是什麼？
- ASM 與 Ald、半導體產業攜手前進
蓋房子的第一步是什麼？沒錯，就是畫設計圖。只不過，在半導體的世界裡，我們不需要大興土木，就能將複雜的電路設計圖直接印到晶圓沉積的材料上，形成錯綜複雜的電路 — 這就是晶片製造的最重要的一環「微影製程」。 首先，工程師會在晶圓上製造二氧化矽或氮化矽絕緣層，進行第一次沉積，放上我們想要的材料。接著，為了在這層材料上雕出我們想要的電路圖案，會再塗上光阻劑，並且透過「曝光」，讓光阻劑只留下我們要的圖案。一次的循環完成後，就會換個材料，重複沉積、曝光、蝕刻的流程，這就像蓋房子一樣，由下而上，蓋出每個樓層，最後建成摩天大樓。 薄膜沉積是關鍵第一步，基底的品質決定晶片的穩定性。但你知道嗎？不只是堆砌磚塊有很多種方式，薄膜沉積也有多樣化的選擇！在「薄膜製程」中，材料學家開發了許多種選擇來處理這項任務。薄膜製...
二氧化矽、碳化矽、氮化矽這些半導體材料，特別適合使用化學氣相沉積法（CVD, Chemical Vapor Deposition）。CVD 的過程也不難，氫氣、氬氣這些用來攜帶原料的「載氣」，會帶著要參與反應的氣體或原料蒸氣進入反應室。當兩種以上的原料在此混和，便會在已被加熱的目標基材上產生化學反應，逐漸在晶圓表面上長出我們的目標材料。 如果我們想增強半導體晶片的工作效能呢？那麼你會需要 CVD 衍生的磊晶（Epitaxy）技術！磊晶的過程就像是在為房子打「地基」，只不過這個地基的每一個「磚塊」只有原子或分子大小。透過磊晶，我們能在矽晶圓上長出一層完美的矽晶體基底層，並確保這兩層矽的晶格大小一致且工整對齊，這樣我們建造出來的摩天大樓就有最穩固、扎實的基礎。磊晶技術的精度也是各公司技術的重點。...
並不是說 CVD 不能用，實際上，不管是 CVD 還是其他薄膜製程技術，在半導體製程中仍占有重要地位。但重點是，隨著更小的半導體節點競爭愈發激烈，電晶體的設計也開始如下圖演變。 看出來差別了嗎？沒錯，就是構造越變越複雜！這根本是對薄膜沉積技術的一大考驗。 舉例來說，如果要用 CVD 技術在如此複雜的結構上沉積材料，就會出現像是清洗杯子底部時，有些地方沾不太到洗碗精的狀況。如果一口氣加大洗碗精的用量，雖然對杯子來說沒事，但對半導體來說，那些最靠近表層的地方，就會長出明顯比其他地方厚的材料。 該怎麼解決這個問題呢？ 材料學家的思路是，要找到一種方法，讓這層薄膜長到特定厚度時就停止繼續生長，這樣就能確保各處的薄膜厚度均勻。這種方法稱為 ALD，原子層沉積，顧名思義，以原子層為單位進行沉積。其實，A...
你知道 ALD 領域的龍頭廠商是誰嗎？這個隱形冠軍就是 ASM！ASM 是一家擁有 50 年歷史的全球領先半導體設備製造廠商，自 1968 年，Arthur del Prado 於荷蘭創立 ASM 以來，ASM 一直都致力於推進半導體製程先進技術。2007 年，ASM 的產品 Pulsar ALD 更是成為首個運用在量產高介電常數金屬閘極邏輯裝置的沉積設備。至今 ASM 不僅在 ALD 市場佔有超過 55% 的市佔率，也在 PECVD、磊晶等領域有著舉足輕重的重要性。 ASM 一直持續在快速成長，現在在北美、歐洲、及亞洲等地都設有技術研發與製造中心，營運據點廣布於全球 15 個地區。ASM 也很看重有「矽島」之稱的台灣市場，目前已在台灣深耕 18 年，於新竹、台中、林口、台南皆設有辦公室，並...
基本介紹. 中文名 ：羅伯特·諾伊斯. 外文名 ：Robert Norton Noyce. 出生地 ：美國 愛荷華州 柏林頓. 出生日期 ：1927年12月12日. 逝世日期 ：1990年6月3日. 主要成就 ：矽谷之父， 積體電路 之父， 仙童半導體公司 和 英特爾 創始人。 獲獎 ：IEEE榮譽獎章（1978） 基本信息. 機構與職務：英特爾主要創始人。 教育背景：1953年，獲麻省理工學院（MIT）博士學位1949年，獲格林尼學院 文學學士學位 。 職業背景：1968年創辦英特爾公司、1957年創辦仙童半導體公司。 2011年12月12日羅伯特·諾伊斯誕辰84周年。 為了紀念這位偉大發明家的誕辰谷歌網站刊登圖片。 Google主頁. 人物介紹.
羅伯特·諾頓·諾伊斯（英語：Robert Norton Noyce，1927年12月12日—1990年6月3日），是仙童半導體公司（1957年創立）和英特爾（1968年創立）的共同創始人之一，他有「矽谷市長」或「矽谷之父」（the Mayor of Silicon Valley）的綽號。 諾伊斯也是電子元件積體電路的發明者之一，[1]他的發明對個人電腦的普及起到關鍵性的作用。 此條目需要補充更多來源。 (2017年5月7日) Quick Facts羅伯特·諾伊斯, 出生 ... 羅伯特·諾伊斯. 出生. (1927-12-12)1927年12月12日. 美國愛荷華州伯靈頓. 逝世. 1990年6月3日(1990歲—06—03)（62歲） 美國德克薩斯州奧斯丁. 母校. 格林內爾學院.
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Website. www.ncfp.org /people /the-noyce-foundation /. Robert Norton Noyce (December 12, 1927 – June 3, 1990), nicknamed "the Mayor of Silicon Valley", was an American physicist [dubious – discuss] and entrepreneur who co-founded Fairchild Semiconductor in 1957 and Intel Corporation in 1968.
罗伯特·诺頓·诺伊斯 （英語： Robert Norton Noyce，1927年12月12日—1990年6月3日），是 仙童半导体公司 （1957年创立）和 英特尔 （1968年创立）的共同创始人之一，他有“硅谷市长”或“硅谷之父”（the Mayor of Silicon Valley）的绰号。. 诺伊斯也是电子元件 積體电路 的 ...
