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2021年11月5日 · 全球搶攻第三代半導體商機，也是台灣半導體產業重視的領域，但有專家指稱「第三代半導體」其實來自中國，且含中國對半導體產業的野心，所以建議台灣產官學界應該「正名」，但如果要改，該怎麼稱呼？
2021年10月5日 · 工研院電光所所長吳志毅表示， 「第三代半導體」其實是中國取的名稱，建議台灣產官學界應該將碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等正名為「化合物半導體」。 什麼是化合物半導體？ 隨著 電動車、5G、衛星通訊領域快速發展，砷化鎵（GaAs）、碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）等化合物半導體（Compound Semiconductor ）的戰略重要性大幅提升。 化合物半導體擁有耐高溫、高壓的特性，是帶領 5G、電動車、再生能源、工業 4.0 技術發展的下一步關鍵。 而透過化合物半導體材料製成的元件，可以讓電動車、5G 及綠色能源設備運作效率更加提升。 化合物半導體怎麼漸漸被叫成「第三代半導體」？
2021年6月17日 · 財訊. 第3代半導體是目前高科技領域最熱門的話題，不只中國想要這個技術，從歐洲、美國到台灣，所有人都在快速結盟，想在這個機會裡分一杯羹。 為什麼第三代半導體這麼火熱？ 它的應用與商機在哪裡？ 過去30年，台積電、聯電擅長製造的邏輯IC，基本上都是以矽做為材料。 但矽也有一些弱點，如果用門做比喻，用矽做的半導體，就像是用木頭做的木門，輕輕一拉就能打開（從絕緣變成導電）。 用第2代或第3代化合物半導體就像是鐵門，甚至金庫的大門，需要很大的力氣，要施加大的電壓，才能讓半導體材料打開大門，讓電子通過。 因此，要處理高電壓、高頻訊號，或是在訊號的轉換速度上，第3代半導體都優於傳統的矽。 目前，坊間所稱的第2代半導體，指的是砷化鎵、磷化銦這兩種半導體材料，「這是1980年代發展出來的技術。
2022年1月3日 · 【第3類半導體】又稱寬能隙半導體（Wide Band Gap Semiconductors），中國稱第3代半導體，但第3代並不能取代第1代或第2代，各類半導體皆有適用的應用領域. 以氮化鎵和碳化矽為主的第3類半導體材料的優勢是，比起第1類和第2類半導體材料，能夠承受更高功率、高頻率（如毫米波），而且擁有極佳的散熱性能，因此可在特殊應用領域大展身手，例如基地台、電動車、低軌衛星、太陽能源等。 「碳化矽在高功率、高電壓的元件上性能優異，能提供更高效率的電子轉換能力、帶來更好的節能效果，延長電動車電池的續航力， 有機會部分取代原本以矽為基礎的功率元件 。 」中央大學副校長綦振瀛指出。
2021年4月18日 · 第 3 個市場則是碳化矽供電晶片（SiC）。 碳化矽材料的特殊之處在於，如果要轉換接近 1,000 伏特以上的高電壓，就只有碳化矽能達到要求；換句話說，如果要用在高鐵，轉換風力發電，或是推動大型的電動船、電動車，碳化矽都能更有效率。 第三代半導體是未來各國搶占電動車、新能源，甚至國防、太空優勢，不能忽視的關鍵技術，誰在這個領域領先，誰就能在這個領域勝出。 （本文由 財訊 授權轉載；首圖來源： 台積電 ） 延伸閱讀： 「第三代半導體」台灣科技業下一場戰爭，5 大集團競逐新商機.
2022年1月3日 · 第3類半導體製程. 世界先進董事長方略指出，第3類半導體與第1類半導體生產管理、製造流程通用，部分技術也有重疊。 像是氮化鎵可以整合現在相對成熟、有部分CMOS（互補式金屬氧化物半導體）技術應用於高頻率元件產品。
半導體 （德語： Halbleiter, 英語： Semiconductor, 法語： Semi-conducteur ），是一种 电导率 在 绝缘体 至 导体 之间的物质或材料。 半导体在某个温度范围内，随温度升高而增加电荷 载流子 的浓度，使得电导率上升、 电阻率 下降；在绝对零度时，成为绝缘体。 依有无加入 掺杂剂 ，半导体可分为： 本征半导体 、 杂质半导体 （n型半导体、p型半导体）。 电导率 容易受控制的半导体，可作为資訊处理的元件材料。 从科技或是经济发展的角度来看，半导体非常重要。 很多电子产品，如 電腦 、 移动电话 、数字录音机的核心单元都是利用半导体的电导率变化来处理資訊。
2021 年展露頭角的第三代寬能隙半導體在高功率的應用裡引起各方注意，就連晶圓代工大 廠都搶先佈局， 由此可見寬能隙(WBG) 在新的應用場域存在著無窮的潛力。
2021年9月22日 · 隨著全球進入 IoT、5G、綠能、電動車時代，能徹底展現耐高壓、高溫、高頻能耐，並滿足當前主流應用對高能源轉換效率要求的寬能隙（Wide Band Gap，WBG）半導體開始成為市場寵兒，半導體材料於焉揭開第三代半導體新紀元的序幕。
2023年9月6日 · 上述都是以矽為基礎的功率元件，而後來新一代的寬能隙(Wide Band-gap)半導體材料、又稱為第三代半導體的 SiC (碳化矽) 和 GaN (氮化鎵)出現，由於能隙更大，這使它們具有耐高電壓、耐高溫、低電阻、低切換損失、適合高頻操作的優越特性，被看好一顆抵
