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2021年11月5日 · 全球搶攻第三代半導體商機，也是台灣半導體產業重視的領域，但有專家指稱「第三代半導體」其實來自中國，且含中國對半導體產業的野心，所以建議台灣產官學界應該「正名」，但如果要改，該怎麼稱呼？ 中國取名為第三代半導體，主要是為了與第一代半導體、第二代半導體區分，並成為化合物半導體領域的佼佼者。 第一代半導體...
2021年10月5日 · 工研院電光所所長吳志毅表示， 「第三代半導體」其實是中國取的名稱，建議台灣產官學界應該將碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等正名為「化合物半導體」。 什麼是化合物半導體？ 隨著 電動車、5G、衛星通訊領域快速發展，砷化鎵（GaAs）、碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）等化合物半導體（Compound Semiconductor ）的戰略重要性大幅提升。 化合物半導體擁有耐高溫、高壓的特性，是帶領 5G、電動車、再生能源、工業 4.0 技術發展的下一步關鍵。 而透過化合物半導體材料製成的元件，可以讓電動車、5G 及綠色能源設備運作效率更加提升。 化合物半導體怎麼漸漸被叫成「第三代半導體」？
2022年1月3日 · 【第3類半導體】又稱寬能隙半導體（Wide Band Gap Semiconductors），中國稱第3代半導體，但第3代並不能取代第1代或第2代，各類半導體皆有適用的應用領域. 以氮化鎵和碳化矽為主的第3類半導體材料的優勢是，比起第1類和第2類半導體材料，能夠承受更高功率、高頻率（如毫米波），而且擁有極佳的散熱性能，因此可在特殊應用領域大展身手，例如基地台、電動車、低軌衛星、太陽能源等。 「碳化矽在高功率、高電壓的元件上性能優異，能提供更高效率的電子轉換能力、帶來更好的節能效果，延長電動車電池的續航力， 有機會部分取代原本以矽為基礎的功率元件 。 」中央大學副校長綦振瀛指出。
2021年4月18日 · 第 3 個市場則是碳化矽供電晶片（SiC）。 碳化矽材料的特殊之處在於，如果要轉換接近 1,000 伏特以上的高電壓，就只有碳化矽能達到要求；換句話說，如果要用在高鐵，轉換風力發電，或是推動大型的電動船、電動車，碳化矽都能更有效率。 第三代半導體是未來各國搶占電動車、新能源，甚至國防、太空優勢，不能忽視的關鍵技術，誰在這個領域領先，誰就能在這個領域勝出。 （本文由 財訊 授權轉載；首圖來源： 台積電 ） 延伸閱讀： 「第三代半導體」台灣科技業下一場戰爭，5 大集團競逐新商機.
2021年6月17日 · 」 拓墣產業研究院分析師王尊民說，現在所稱的第3代半導體， 指的是氮化鎵（GaN）和碳化矽（SiC）這兩種材料 ，「這是2000年之後才開始投入市場的新技術」。 圖／ 財訊. 尤其，第3類半導體並不好做，以通訊晶片為例，要按照不同的通訊需求，選擇不同的材料，在原子等級的尺度下精確排好，難度有如給你各種不同形狀的石頭，堆出一座穩固的高塔，誰能用這些材料，生產出更省電、性能更好的電晶體，就是這個市場的勝利者。 目前，第3代半導體有3個主要應用市場。 延伸閱讀： 阿里巴巴達摩院公布10大趨勢觀察：第三代半導體應用大爆發、腦機接口突破生物極限. 第三代半導體應用1：高頻通訊如5G、衛星通訊. 第一個應用，是將氮化鎵材料用來製作5G、高頻通訊的材料（簡稱RF GaN） 。
碳化矽(SiC, Silicon Carbide) 及 氮化鎵(GaN, Gallium Nitride) 簡稱第三代( 或稱第三類) SiC 與 GaN 個具優勢發展領域大不同. SiC(Silicon Carbide 碳化矽) SiC 是由矽(Si) 與碳(C) 組成,擁有低損耗高功率的特性非常適合用於高電壓及高功率的應用場景, 如電動車、 充電樁、 太陽能及風力發電等綠能設備。 GaN(Galliun Nitride 氮化鎵) GaN 擁有中等電壓(900V 以下工作電壓) 並擁有較高的工作頻率(Mhz) 因此非常適用於如充電器,5G 基地台,5G 通訊設備等應用。 磊晶技術使得SiC與 GaN 有天生上的應用差異.
低電壓消費性電子產品的電源供應器也是目前第三代半導體最熱門的應用，利用氮化鎵 (Gan)所製造的電源轉換器 (Power GaN)，又能夠稱為「氮化鎵充電器」，不過在第三類半導體發展之前，想要製造電源供應器的產品，重要原料「碳化矽基板」的成本問題相當令人頭疼。 後續第三類半導體的新技術問世，透過將氮化鎵 (Gan)堆疊在矽基板上，相當有效的降低原本化合物半導體的成本，且通過技術改良，使得面積範圍較大的充電器、電腦可以變得更小且輕便，讓終端對於第三類半導體的需求量大幅提升，讓低電壓的消費性電子產品成為第三代半導體最熱門的應用。 高頻通訊. 這是第三類半導體於近幾年發展出的終端應用產品，以「氮化鎵 (Gan)」為原料，所製作成的高頻通訊材料。
