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F第三代半導體在近年逐漸成為市場焦點，放眼當今科技產業，諸如 5G 、綠能、電動車等重點市場，都需要用上這個「第三代半導體」。而「第三代半導體」究竟是什麼？為何各家廠商都搶著分食這塊餅？產業未來的發展方向又在哪裡？跟著本文一一揭曉！
2021年6月17日 · 財訊. 第3代半導體是目前高科技領域最熱門的話題，不只中國想要這個技術，從歐洲、美國到台灣，所有人都在快速結盟，想在這個機會裡分一杯羹。 為什麼第三代半導體這麼火熱？ 它的應用與商機在哪裡？ 過去30年，台積電、聯電擅長製造的邏輯IC，基本上都是以矽做為材料。 但矽也有一些弱點，如果用門做比喻，用矽做的半導體，就像是用木頭做的木門，輕輕一拉就能打開（從絕緣變成導電）。 用第2代或第3代化合物半導體就像是鐵門，甚至金庫的大門，需要很大的力氣，要施加大的電壓，才能讓半導體材料打開大門，讓電子通過。 因此，要處理高電壓、高頻訊號，或是在訊號的轉換速度上，第3代半導體都優於傳統的矽。 目前，坊間所稱的第2代半導體，指的是砷化鎵、磷化銦這兩種半導體材料，「這是1980年代發展出來的技術。
2023年11月9日 · 第三類半導體主要材料為碳化矽 （SiC）與 氮化鎵 （GaN）兩種，如果以市場來應用來看，又可分為高頻通訊元件及功率元件兩大類。 資策會MIC於第36屆MIC FORUM...
2021年9月22日 · 第三代半導體是目前高科技領域最熱門的話題，在 5G、電動車、再生能源、工業 4.0 發展中扮演不可或缺的角色，即使常聽到這些消息，相信許多人對它仍一知半解，好比第三代半導體到底是什麼？ 為何台積電、鴻海積極布局？ 台灣為什麼必須跟上這一波商機？ 對此，本系列專題將用最淺顯易懂、最全方位的角度，帶你了解這個足以影響科技產業未來的關鍵技術。 從這裡可透過《Google 新聞》追蹤 TechNews. 科技新知，時時更新. 科技新報粉絲團 加入好友 訂閱免費電子報. 關鍵字: 5G , GaN , SiC , 第三代半導體 , 電動車. Post navigation.
2021年10月5日 · 第三代半導體材料掀起全球投資熱潮，但是這個名稱其實是來自中國用語，而且與當地產業發展脈絡密切相關。 工研院電光所所長吳志毅表示， 「第三代半導體」其實是中國取的名稱，建議台灣產官學界應該將碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等正名為「化合物半導體」。 什麼是化合物半導體？ 隨著 電動車、5G、衛星通訊領域快速發展，砷化鎵（GaAs）、碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）等化合物半導體（Compound Semiconductor ）的戰略重要性大幅提升。 化合物半導體擁有耐高溫、高壓的特性，是帶領 5G、電動車、再生能源、工業 4.0 技術發展的下一步關鍵。 而透過化合物半導體材料製成的元件，可以讓電動車、5G 及綠色能源設備運作效率更加提升。 化合物半導體怎麼漸漸被叫成「第三代半導體」？
2021年4月18日 · 」拓墣產業研究院分析師王尊民說，現在所稱的第三代半導體，指的是氮化鎵（GaN）和碳化矽（SiC）這兩種材料，「這是 2000 年之後才開始投入市場的新技術」。 尤其，第 3 類半導體並不好做，以通訊晶片為例，要按照不同的通訊需求，選擇不同的材料，在原子等級的尺度下精確排好，難度有如給你各種不同形狀的石頭，堆出一座穩固的高塔，誰能用這些材料，生產出更省電、性能更好的電晶體，就是這個市場的勝利者。 目前，第三代半導體有 3 個主要應用市場。 第三代半導體應用 1》高頻通訊如 5G、衛星通訊. 第 1，是將氮化鎵材料用來製作 5G、高頻通訊的材料（簡稱 RF GaN）。 過去 20 年，許多人想用成熟的矽製程，做出可以用在 5G 高頻通訊上的零組件。
2021年9月4日 · 第三代半導體材料主要為「氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）」，由於帶隙寬大於一、二代材料，有更好的物理化學特性，像是高頻、高功率、低功耗，可耐高溫與高電壓等，適合應用在5G、電動車、光學雷達（LiDAR）、快充、風力發電等應用。 氮化鎵、碳化矽雙路線 第三代應用有哪些？ 根據工研院產科國際所統計，目前第二代與第三代半導體材料市占率合計約1成，去年市場規模約298億美元，但2025年有望成長至361.7億美元，2030年規模上看435億美元，成長力備受期待，而第三代半導體又分為氮化鎵（GaN）與碳化矽（SiC）兩大路線，主要的應用方向也有區別。 氮化鎵（GaN）－5G基地台與快充重要材料.
2022年1月3日 · 【第3類半導體】又稱寬能隙半導體（Wide Band Gap Semiconductors），中國稱第3代半導體，但第3代並不能取代第1代或第2代，各類半導體皆有適用的應用領域. 以氮化鎵和碳化矽為主的第3類半導體材料的優勢是，比起第1類和第2類半導體材料，能夠承受更高功率、高頻率（如毫米波），而且擁有極佳的散熱性能，因此可在特殊應用領域大展身手，例如基地台、電動車、低軌衛星、太陽能源等。 「碳化矽在高功率、高電壓的元件上性能優異，能提供更高效率的電子轉換能力、帶來更好的節能效果，延長電動車電池的續航力， 有機會部分取代原本以矽為基礎的功率元件 。 」中央大學副校長綦振瀛指出。
2021年5月11日 · 在半導體材料領域中，第一代半導體是矽（Si），第二代是砷化鎵（GaAs），而目前市場所談的第三代寬能隙半導體就是指碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）。 2021 年，可以說是第三代寬能隙半導體嶄露頭角的一年，已成為半導體先進材料的代表。 到底什麼是「寬能隙」（Wide Band Gap，WBG）？ 它又具有什麼特點？ 為何 5G、電動車、再生能源、工業 4.0 的產業趨勢來臨時會這麼需要它? 本期宜特小學堂，就讓我們帶您深入簡出了解第三代寬能隙半導體。 第三類寬能隙半導體到底在紅什麼?【宜特解你的痛EP.16】 Watch on. 一、為什麼需要用到第三代寬能隙半導體（Wide Band Gap，WBG）？
關於第三代半導體，首先需要了解半導體是什麼，同時含有運作原理以及原物料的適用，讓我們接著看下去! 半導體 (semiconductor)在字面上拆開來解讀便是「一半」的「導體」，也就是其有時候能夠成為導體，有時又能夠成為絕緣體，而在學理定義上，半導體為一種「電導率」在「絕緣體」以及「導體」之間的物質，是最適合當作資訊處理的元件材料，另外透過在半導體內添加其他物質，比如硼、磷等，透過化學元素內含的電子數量不同，更加精準的控制半導體的導電性，製作成半導體電子元件「電晶體 (Transiter)」。 而第三類半導體的主要成分為「氮化鎵 (GaN)」與「碳化矽 (SiC)」，以高功率、耐高壓高溫等特性，相當適合作為再生能源、電動車、通訊等應用! 第三類半導體材料.
