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場效電晶體 （英語： field-effect transistor ，縮寫： FET ）是一種通過電場效應控制電流的電子元件。 它依靠 電場 去控制導電通道形狀，因此能控制 半導體材料 中某種類型 載子 的通道的 導電性 。 場效應電晶體有時被稱為「單極性 電晶體 」，以它的單載子型作用對比 雙極性電晶體 。 由於半導體材料的限制，以及曾經雙極性電晶體比場效應電晶體容易製造，場效應電晶體比雙極性電晶體要晚造出，但場效應電晶體的概念卻比雙極性電晶體早。 [1] 歷史 [ 編輯] 主條目： 電晶體的歷史. 場效應電晶體於1925年由Julius Edgar Lilienfeld和於1934年由Oskar Heil分別發明，但是實用的元件一直到1952年才被製造出來（ 結型場效應電晶體 ）。
一般場效電晶體(field effect transistor,簡稱 FET)和雙極電晶體一樣都有三隻接腳,不過工作原理卻完全不同。 FET 的控制接腳稱為閘極(gate,簡稱G 極),顧名思義閘極的功用就如同水壩的閘門;而水壩上方的水庫可以提供水,對應到FET 的另一接腳稱做源極(source ,簡稱S 極) ;水壩下方水的出口,對應到FET的第三隻腳稱為汲極(drain,簡稱D 極)。 水流呢?那就對應到電流嘍!不過半導體中的電流可以是電子流或電洞流,利 用電子流來工作的稱為n通道場效電晶體. (n-channel FET),利 用電洞流來工作的稱為p 通道場效電晶體(p-channel FET)。
金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為電子占多數的N通道型與 電洞 占多數的P通道型，通常被稱為N型金氧半場效電晶體（NMOSFET）與P型金氧半場效電晶體（PMOSFET）。 以金氧半場效電晶體（MOSFET）的命名來看，事實上會讓人得到錯誤的印象。 因為MOSFET跟英文單字「metal（ 金屬 ）」的第一個字母M，在當下大部分同類的元件裡是不存在的。 早期金氧半場效電晶體 閘極 使用金屬作為材料，但由於 多晶矽 在製造工藝中更耐高溫等特點，許多金氧半場效電晶體閘極採用後者而非前者金屬。 然而，隨著半導體特徵尺寸的不斷縮小，金屬作為閘極材料最近又再次得到了研究人員的注意。
場效應電晶體又分為 金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)和接面場效電晶體(junction FET,JFET) 如下( 圖1) ,其中MOSFET依其通道形成方式又可分成增強型( Enhancement-Type ) 與空乏型( Depletion-Type )兩種。 場效應電晶體的三個極則分別是源極 (Source)、 閘極(Gate) 和汲極(Drain)。 ( 圖1) 常見的電晶體分類. (二) 關於MOSFET. MOSFET 應該是人類使用最多的電晶體種類,特別是在電腦及通訊相關的電子設備中,大量的這種電晶體開關幫助我們處理、運算及記憶大量的數據。 由於MOSFET 的結構特別適合被縮小化,而且功率需求也小,在同一晶片上製作上千萬個電晶體開關變得可行。
2023年1月11日 · 場效電晶體（FET：Field Effect Transistor）是什麼？ 電晶體的種類很多，先從大家耳熟能詳的「MOS」來說明。 MOS的全名是「金屬氧化物半導體場效電晶體 (MOSFET：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)」， 構造如圖二所示，左邊灰色的區域叫做「源極 (Source)」，右邊灰色的區域叫做「汲極 (Drain)」，中間有塊金屬 (紅色)突出來叫做「閘極 (Gate)」，閘極下方有一層厚度很薄的氧化物 (黄色)，因為中間由上而下依序為金屬 (Metal)、氧化物 (Oxide)、半導體 (Semiconductor)，因此稱為「MOS」。 金屬氧化物半導體場效電晶體 (MOSFET)的結構與工作原理。
2021年10月4日 · 掌握FinFET 技術就是掌握市場競爭力簡而言之，鰭式場效電晶體是閘極長度縮小到10奈米以下的關鍵，擁有這個技術的製程與專利，才能確保未來在半導體市場上的競爭力，這也是讓許多國際大廠趨之若騖的主因，而在過去幾年台積電與三星的競爭中，台積電幾乎是完勝三星，與台積電擁有成熟的鰭式場效電晶體（FinFET）製程與專利密不可分，也使得台積電成為臺灣少數具有國際競爭力的世界級高科技公司。 (本文由教育部補助「AI報報─AI科普推廣計畫」取得網路轉載授權) (Visited 1,288 times, 6 visits today) 分享至.
2021年3月20日 · 場效電晶體的功能是「控制電流的開關與大小」，當我們透過訊號 施加不同電壓在閘極（gate electrode，中上）時，就可以改變汲極（drain，右）與源極（source，左）之間通道（channel）的狀態 ，並進而改變電流。 那麼一般科學家是如何讓電晶體越來越小呢？ 讓電晶體更迷你的重點就在於：讓汲極與源極之間的電流通道（channel）變小。 傳統場效電晶體示意圖。 圖／作者繪製. 開關失靈、耗電與漏電的技術挑戰. 但隨著電晶體的尺寸越來越小，科學家在技術的研發上遇到了三大難題。 首先，傳統電晶體的通道是以矽作為原料，而「閘極」作為電晶體的「工作開關」， 當它的尺寸越來越小時，控制通道電位的能力也會下降 ，也就是說，電晶體作為開關的能力會喪失，就好比一個關不起來的水龍頭。
金屬氧化物半導體場效電晶體 （簡稱：金氧半場效電晶體；英語：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，縮寫：MOSFET），是一種可以廣泛使用在 模擬電路 與 數字電路 的場效電晶體。 金屬氧化物半導體 場效應管 依照其 溝道 極性的不同，可分為電子占多數的N溝道型與空穴占多數的P溝道型，通常被稱為N型金氧半場效電晶體（NMOSFET）與P型金氧半場效電晶體（PMOSFET）。 基本介紹. 中文名 ：金屬氧化物半導體場效電電晶體. 外文名 ：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor. 簡稱 ：金氧半場效電晶體. 縮寫 ：MOSFET. 電路符號.
化物半導體場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET) 等。 其中MOSFET 電晶體廣泛應用在電腦、通訊相關ICT 電子裝置、功率電晶體電. 源開關、功率放大器、訊號放大器等等應用領域。 MOSFET 有三隻接腳,Gate( 閘極,簡稱G)、Source( 源極,簡稱S)、Drain(汲極, 簡稱D)[2][3][4]。 閘極(G) 的功用就如同水龍頭的閘門,控制水管是否可以供水( 源極,S), 對應水流出水龍頭就是汲極(D)。 利用閘極的電壓訊號,控制源極和汲極間的電流,
場效電晶體. 一. 實驗器材. 二. 預習作業. 以方塊圖表示n‐channel FET 結構。 以n‐channel 的FET 為例說明ID(Drain current )與VDS(Drain 與Source 之電壓差)的關係分別討論VGS = 0 及VGS < 0 兩情況時,ID‐VDS之關係。 當VDS 保持一定時,ID‐VGS的關係如何變化?試說明之。 三. 實驗步驟. ( 一) 利用三用電表判斷FET 的G、D、S端. 取一FET,記錄其編號。 三用電表旋至(R×1KΩ)檔,根據 ”參考資料 ( 一) ” 找出G極,並判斷其通道為p‐ 或n‐ channel ? ”參考資料 ( 二) ”, 找出D、S 極。
