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碳化矽在半導體中的主要形式為何?
第三代半導體材料有哪些?
碳化矽晶片與矽成熟有何不同?
碳化矽器件有什麼優勢?
2 天前 · 福斯集團與安森美簽訂三年的碳化矽合約以確保產能，四月底又和中國電動車製造大廠吉利汽車簽訂第三代一二 伏特的EliteSic MOSFET，提高及利電動車品牌ZEEKR的電力系統效率，安森美持續與客戶簽訂高階電源相關產品組合，提高毛利率和獲利能力，維持
3 天前 · 美國已領先，國內少有研究. 根據《2021第三代半導體調研白皮書》，碳化矽長晶生產工藝主要包括物理氣相傳輸法（PVT）、高溫化學氣相沉積法（HTCVD），以及液相外延法（LPE）。 目前，主流碳化矽長晶工藝是採用PVT法，但新矽科技認為，受限於矽粉和碳粉的純度，PVT目前很難製備高純碳化矽晶片。 而傳統的HTCVD也有缺點。 由於它以三氯甲基矽烷或四氯化矽為原料，腐蝕性較強，對設備要求很高。 根據新矽科技的介紹，現在有一種新的CVD生長法，在製作碳化矽方面具有獨特優勢以甲基矽烷作為原料。 這種原料不含氯原子，無腐蝕性氣體，而且長晶溫度也較低。 此外，以甲基矽烷為原材料的CVD法 ，還可以製備更大尺寸（150mm或以上）、更厚（60mm以上）的碳化矽晶體。
4 天前 · 第三代半導體全球晶圓代工格局. 2024年05月22日 16:56. 其中，功率SiC/GaN代工目前仍處於起步階段，但著眼於未來功率半導體龐大市場需求，近來越來越多新玩家加入，包括傳統矽晶圓Foundry台積電/世界先進等。 而在射頻GaN代工領域，此前有GaAs模式深厚積累，故整體發展較快且相對成熟，且越來越多的新興射頻Fabless公司崛起同樣新增了代工需求。 首先來談第三代半導體代工與CMOS代工模式的差異。 CMOS代工：Foundry開發以線寬為基礎的工藝流程，客戶圍繞該基準流程設計晶片。 SiC/GaN代工：Fabless根據自身器件要求開發專有工藝，然後轉移到代工廠生產。 沒有相對標準的工藝流程，考驗的是Foundry的特色開發能力、技術經驗及客制化服務等綜合能力。
4 天前 · 該平台致力打造國內唯一磁性記憶體驗證試量產平台與生態系，已開發第三代SOT-MRAM技術，首獲美國國防部出資合作開發下一代磁性記憶體技術，未來可以整合成先進製程嵌入式記憶體，在AI人工智慧、車用電子、高效能運算晶片等領域具有非常棒的前景與市場應用潛力。 2.充電樁與車載充電器用碳化矽功率模組 快速充電帶動電動車產業新機. 該模組以最佳化設計與新封裝製程導入，投入快速充電應用1700V碳化矽功率模組開發，使熱阻值較國際大廠產品改善達20%以上，簡化系統散熱設計，降低製造成本，帶動國內電動車產業鏈的新機會。 3.氮化鎵射頻高電子遷移率電晶體 布局下世代B5G/6G應用. 此電晶體具有高頻率、低功耗、高功率的特點，特別適用於射頻 (RF)領域，如5G射頻設備、軍用雷達、光達Lidar等。
5 天前 · 目前電動車輛占汽車市場比例仍低，存在若干瓶頸，受矚目的兩種寬能隙 (Wide Band Gap)第三代化合物半導體元件—碳化矽 (SiC)與氮化鎵 (GaN)可能改善電動車電子元件的課題，SiC已被少數車廠 (如Tesla Model 3)應用採納，特別是電動車輛對應開發高效率和高功率元件所面臨的能源效率與成本挑戰。 四、功率元件於電動車輛技術發展與應用. (一)電動馬達驅控器. 近年來隨著新一代電動車 (xEV)加速普及，連帶開發具備更高效率，更小且更輕的電動系統，特別是驅動核心—電動馬達驅控器，不只重視小型化及高效率，功率元件跟著進化，為延長電動車續航距離，電池容量呈現日益增加趨勢。 (二)直流轉換器.
1 天前 · 台積電投入先進封裝製程，帶動台廠光通訊族群上漲。. （圖／報系資料照）. [周刊王CTWANT] 近來台積電不斷投入先進封裝製程，全系列晶圓代工流程也正式宣布納入矽光子，再攜手生態系夥伴整合3D Fabric，加上共同封裝光學元件（CPO）技術，提供晶片至封裝的 ...
2 天前 · 矽晶圓供應緊張的情況，自第三季已浮現，台勝科日前法說會指出，整年來看，今年全球十二吋矽晶圓雖是供需平衡，但第三季起，十二吋及八吋的需求已持續吃緊，整體而言已呈現供給無法滿足需求的情況，現貨價格並開始上漲，到了第四季，因晶圓代工及記憶體用矽晶圓供需持續吃緊，已無法滿足客戶增量的要求，八吋亦呈現供不應求現象。 台勝科預估，明年起，全球十二吋矽晶圓的需求量將開始大於供給量，二 二三年起，供需缺口則將進一步擴大，並將持續至二 二五年，預估半導體矽晶圓將進入長波段的景氣向上循環。 宣布擴產消息一出，台勝科股價一口氣大漲近六成，快速反應擴產及明年漲價利多，惟礙於設備取得關係，新廠預計要到二 二四年方能量產，大漲之後的台勝科，評價已不便宜。
