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2 天前 · 全球半导体观察丨DRAMeXchange是国际性半导体产业调研机构，提供芯片、内存、闪存、DRAM等半导体行业资讯与市场价格行情。 全球芯片竞赛白热化，美欧日韩掀起补贴狂潮 6小时前分享 据彭博社统计，以美国与欧盟为代表的大型经济体已投入数百亿美元，用于研发与量产下一代半导体，这还只是首批 ...
2023年10月27日 · 作为第三代半导体代表材料之一，碳化硅具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率等性能优势，在高温、高压、高频领域表现优异，已成为半导体材料技术领域的主要发展方向之一。 随着下游需求的带动，碳化硅正处于高速增长期，据TrendForce集邦咨询分析2023年整体SiC功率元件市场规模达22.8亿美元，年成长41.4%，并预估至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元。 从产业链结构上看，SiC器件的成本主要由衬底、外延、流片和封测等环节形成，衬底在SiC器件成本中占比高达~45%。 业界认为，为了降低单个器件的成本，进一步扩大SiC衬底尺寸，在单个衬底上增加器件的数量是降低成本的主要途径。 8英寸SiC衬底将比6英寸在成本降低上具有明显优势。
2018年3月16日 · 来源：中央社 原作者：钟荣峰 2018-03-16 09:38:00. 中国台湾南茂董事长郑世杰表示，今年营运可逐月逐季增加，目前车用比重已达10%，中国大陆上海宏茂微电子先朝存储器封测发展。. 法人估南茂今年业绩看增1成。. 封测大厂南茂昨天下午举办线上法人说明 ...
2022年3月17日 · 世界上最大的超6英寸GaN籽晶问世！. 3月15日，日本丰田合成宣布与日本大阪大学（OsakaUniversity）成功研制出尺寸超6英寸的GaN籽晶，有助于GaN功率器件的低成本化。. Source：丰田合成. 据介绍，为制造超过6英寸的GaN 衬底，丰田合成与大阪大学采用了钠助熔剂法 ...
2021年9月7日 · 台积电持续扩大在台投资，传出下一个重大投资案将南下高雄，已选定中油高雄炼油厂五轻旧址，打造在中国台湾地区的另一生产重镇，主要以目前“打遍天下无敌手”的7纳米切入，初步规划在当地盖六个厂，业界评估总投资额将高达数千亿元，最快2023年启动。 对外传将在高雄设厂，台积电昨（6）日未做任何评论，强调一切以公司对外公告为主。 台积电强调，以中国台湾地区作为主要基地，设厂地点选择有诸多考量因素，不排除任何可能性，维持过去扩厂步调，持续与管理局合作评估在新竹、台中及高雄等适合半导体建厂用地。 台积电过去在中国台湾地区投资最南仅到台南，如今传出将落脚高雄，高雄市长陈其迈昨（6）日不愿回应此事，忧心消息见光影响彼此互信。 主责招商副市长罗达生说，这攸关厂商产业布局，市府不宜谈论，若有明确进度应由台积电宣布。
2021年5月25日 · NAND FLASH. DRAM. 存储器大厂美光科技（Micron）执行长桑杰 · 梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）指出，美光台湾地区今年将正式启用台中后里A3新厂...
2023年8月9日 · 首页 资讯 存储器. SK海力士展示全球最高层321层NAND闪存样品. 来源：全球半导体观察 2023-08-09 07:14:27. · SK海力士在美国圣克拉拉举行的2023闪存峰会（Flash Memory Summit 2023）上，首次展示了全球首款321层NAND闪存. · 峰会上还介绍了包括PCIe Gen 5及UFS 4.0相关的新一代NAND解决方案. · “持续创新，开发满足AI时代需求的高性能NAND” 2023年8月9日，SK海力士今日宣布，通过321层4D NAND样品的发布，正式成为业界首家正在开发300层以上NAND闪存的公司。
