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極紫外光微影 （英語：extreme ultraviolet lithography，中國大陸稱為 極紫外光刻 ，簡稱「EUV」或「EUVL」）又稱作 超紫外線平版印刷術, 是一種使用 極紫外光 波長的 微影 技術，目前用於7 奈米 以下的先進製程，於2020年得到廣泛應用 [1] [2] [3] [4] 。 DUV微影製程 [ 編輯] 晶圓製造過程裡有一道程序是將設計好的電路圖案 (Pattern)縮小轉印到晶圓上，此道製程便稱之為 微影, 7奈米以前的製程使用248或193奈米波長的光做為光源來進行微影。
2020年4月22日 · 在台積電法說會上，EUV是近年不斷提到的微影製程名稱，也是現今能在晶片上畫出最精密線路的光罩技術，究竟微影技術是什麼？ 在神秘的半導體無塵室如何進行？ 這家全球最大微影設備供應商ASML用影像視覺揭露微影技術的真實樣貌。 ASML的EUV設備內部運作. ASML是荷蘭半導體微影設備供應巨頭，台積電也是客戶之一。 圖／ ASML. ASML指出，在半導體製程中微影（Lithography）是驅使晶片效能更高、成本更低的關鍵技術。 早期晶片可以容納數千個微米大小的電晶體（Transistor），目前最先進的晶片則是由數十億個電晶體組成的複雜網絡，其中最小的只有10奈米。 若想要想像10奈米有多小？ ASML舉日常生活例子，答案是：在閱讀剛剛那一句話的時候，你的指甲就大約生長了10奈米。
The use of phase-shift masks in EUV lithography has been studied but encounters difficulties from phase control in thin layers as well as the bandwidth of the EUV light itself. More conventionally, optical proximity correction (OPC) is used to address the corner rounding and line-end shortening.
極紫外光微影光罩檢測技術. 部分傳統光學材料( 如玻璃)吸收,不利於其穿透與折射式光學元件之性能, 圖1 Intel公司之EUV光罩剖面圖 [8] 技術於[3][4]有完整之介紹。 目前公認的關鍵之技術困難點依次包括高功率高可靠度之光源,光阻性能,無缺限光罩之可獲得性,光罩之保護,光學元件之壽命,與產量。 現今ASML已發表大於100 瓦之光源並且展示提升至250 瓦以上之可行性[5] ,配合具有13 奈米半間距性能之化學放大光阻(Chemical Amplified Resist),EUV微影已相當接近量產所需的規格,但隨著投入節點的延遲,EUV光罩所能容忍的缺陷尺寸變得更加嚴峻,因此光罩之製造問題又成為關鍵之問題點[6]。
极紫外光刻 （英语：extreme ultraviolet lithography，台湾称为 极紫外光微影 ，简称“EUV”或“EUVL”）又稱作 超紫外線平版印刷術, 是一种使用 極紫外光 波長的 光刻 技術，目前用于7 納米 以下的先進製程，于2020年得到廣泛應用 [1] [2] [3] [4] 。 DUV微影製程. 晶圓製造過程裡有一道程序是將設計好的電路圖案 (Pattern)縮小轉印到晶圓上，此道製程便稱之為 光刻, 7奈米以前的製程使用248或193奈米波長的光做為光源來進行微影。 早期市面上DUV微影製程機台的供應商以 Canon 以及 Nikon 為主, 浸润式光刻 （英语：Immersion lithography） 出現後DUV微影製程機台改由 艾司摩爾 所獨霸。
2018年6月1日 · EUV光罩結構最大的不同是反射層的存在。 其規格和製作的困難度卻與傳統光學微影光罩有極大的不同。 例如對於適用於波長13.5 奈米的反射面來說，只要有相當於1/4波長3.375 奈米的平坦度差別即會造成破壞性干涉，相對於適用於波長193 奈米的穿透式光罩，其困難度超過一個數量級。 也因此，EUV光罩的製作一直被認為是整個EUV微影技術是否具量產價值的困難關鍵點之一。 不過，近年來隨著相關製程設備與材料的逐漸改善至奈米等級，大部分問題的根源及解決對策已被研究提出，無缺陷EUV光罩的製作不再被認為是不可能的任務。 圖1 Intel公司之EUV光罩剖面圖 [8]
An EUV photomask is a patterned reflective mask used for EUV photolithography. At Toppan, we pioneered the commercialization of these reticles starting when the first full field EUV Litho tool was introduced in 2005.
