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2022年9月20日 · NOR flash記憶體在汽車和工業應用中的常見用途包括： 永久儲存程式碼、資料和影像以供啟動期間使用. EEPROM 模擬 (即安全關鍵資料的儲存) 在運行期間連續讀取，以及. 直接從快閃記憶體執行程式碼. 根據應用不同，這些工作負載的要求各不相同。 如要系統滿足高功能安全標準，需要採用新方法。 Semper NOR Flash記憶體架構結合ARM Cortex-M0 與多種安全功能。 (圖表來源：英飛凌科技) 不僅是常規記憶體. 英飛凌科技 (Infineon Technologies)專門針對功能安全需求開發了Semper NOR Flash快閃記憶體，包括一個嵌入式 ARM Cortex-M0以及用於診斷、資料完整性和可靠性的功能區塊。
- 為什麼現在選擇flash種類在個別應用上是更加重要
- Nor 製程微縮技術的瓶頸
- 一般nand Flash常見的故障模式
- 更適用於車用電子
- 高成本效益並且無性能損失
- Appendix: Image References
對於許多嵌入式應用 (embedded applications)來說, 使用串列式傳輸介面(SPI interface) 的NAND 來取代 NOR, 並不會有太多問題。但是在容量在256Mb以下, 幾乎很少發生, 因為在低容量的Flash, 周邊電路所佔在元件的面積比例較大, NAND不會在成本上有多大優勢。但在512Mb 和以上的容量, array面積佔用了元件的主要部份, 成本優勢就非常顯著。 然而, 對於現在越來越多的嵌入式應用, 256Mb 記憶體已經不敷使用, 尤其在汽車系統中最為明顯。從先進駕駛輔助系統 (ADAS) 到完全自動駕駛, 複雜的汽車應用將更需要高容量的記憶體(有些應用容量需求高達 2Gb (或 256MB)), 這對設計者而言, 成本的考量變得相對重要許多 。
製程微縮是半導體降低成本的不二法門, 對NOR FALSH而言, 在 1986年, 最領先的製程是1.5µm。經過二十多年後, 製程進步到65nm。然而NAND FLASH 進展更快, 如今最先進的 3D NAND 已經可以用 1x nm製造。 然而, NOR FLASH 製程微縮卻比NAND都要困難得多。英特爾在 2008年發佈的一篇論文, 已經介紹了45nm 製程。可是截至 2018年, 大約十年後的今天, 還是只有一兩個製造商可以提供45nm NOR FLASH產品。其他供應商的4x nm技術仍在開發中。這對車用電子系統製造商來說, 是一天大的壞消息, 由於安全裝備跟自動駕駛的發展, 需要容量越來越大的NOR Flash來做程式碼的儲存(code storage), 但是成本卻越來越高...
在正常使用Flash IC過程中, 會有兩種主要狀況容易發生壞點 (bit error): 1. 寫入 (program) 記憶體時產生bit error. 2. 快閃資料保持一段時間後, 由於漏電 (electron leakage), 造成資料移失而產生讀取錯誤。尤其在極端高溫下的操作, 更易於發生此種electron leakage, 進而縮短快閃記憶體的資料保持時間。 資料移失而產生讀取錯誤的風險, 可以藉由通過ECC(Error Correcting Code )校正來消除。 華邦電子46nm 的NAND Flash 僅需要1 bit ECC. 電子洩漏(electron leakage),是無法避免的。它的風險可以用可計算的機率來表示, 每個位元(cell)在寫入後, 裡面的電子...
華邦高品質serial NAND 的另一項保證是在100次寫入/擦除 (Program/Erase) 內不會有壞塊 (bad blocks) 產生, 這意味著無需在 SoC 或微控制器中使用壞塊管理 BBM (bad block management)機制。BBM 通常需要使用於傳統的serial NAND。另外, 華邦高品質serial NAND 還支援快速讀取(page0 is ready at power-up), 並且跟NOR Flash使用的讀取指令(command)相同, 更易於搭配在已經量產的SoC或應用處理器使用。 對於車用電子系統設計者而言, 256Mb 以下使用NOR Flash, 512Mb(含)以上使用相同腳位(pin out)的華邦高品質serial NAND, 可...
NOR Flash 在45nm製程以下微縮遇到瓶頸, 但是日新月異的車用市場又需要更高容量的儲存記憶體(code storage)來應付愈趨複雜的安全及自動駕駛要求, 華邦高品質低成本的serial NAND 能夠在 512Mb, 1Gb 和2Gb 的容量, 為汽車製造商提供了一個新的解決方案, 同時又能滿足嚴苛的車用電子規範。
Cell area graph: NOR Flash cell sizes drawn from ‘A 45nm NOR Flash Technology with Self-Aligned Contacts and 0.024µm2Cell Size for Multi-Level Applications’, Fastow et al., Intel Corporation, IEEE...Electron count graph: NOR Flash electron counts drawn from ‘Future Directions and Challenges for EToxFlash Memory Scaling’, Greg Atwood, Intel Corporation, IEEE Transactions On Device and Materials...2023年12月1日 · 本文將討論5G無線基礎架構應用中NOR Flash 記憶體的重要選擇標準. 為了在壓縮的上市時間內響應不斷變化的市場標準，現場可程式閘陣列（FPGA）以及互補式系統（SoC）在各種無線基礎設施應用中得到了廣泛的應用。 FPGA和SoC需要在每次系統啟動時進行配置。 FPGA和SoC可以透過各種類型的記憶體進行配置，例如Flash、eMMC、非託管型NAND和SD卡。 與NAND Flash（託管或非託管）和SD卡不同，NOR Flash記憶體可在初始回應和啟動時提供高可靠性，並具有低時延，同時能在市場上存活10年或更長的時間。 另外，與浮柵技術相比，MirrorBit技術（每個儲存單元儲存兩位）的進步支持更大的密度縮放。
2020年9月30日 · 常見的NOR Flash應用. 從上段的分析可以知道 NOR Flash 的特色，在這些特色下，我們接下來看看幾個 NOR Flash 最常見的應用： 1. 各式主板上的靭體（如 ROM、BIOS、UEFI、或是各種引導程式等）： 如下圖是任天堂 Switch 基座裡的主機板，橘色的就是旺宏提供的 2Mb NOR Flash，像這樣的晶片還可以在其他的遊戲機、主機板、筆電、AIO PC、顯示卡等各種主機板上找到（例如 Surface Pro X、iMac pro等），只是大小容量不一。 再以任天堂Switch為例，該產品的控制器（Joycon）有左右各一隻，每一隻控制器裡的主機板上也都有一顆，如下圖的黃框所示，也是旺宏提供的 4Mb NOR Flash。
2021年8月3日 · 2021-08-03 15:16. 更新： 2021-08-07 11:20. 產業研究報告. 收藏. 圖/Shutterstock. 結論. 旺宏21H2受惠Switch 銷售旺季帶動ROM放量及NOR/NAND Flash終端需求旺盛，且今年大廠並無新增產能下，可望量價齊揚，預估旺宏2021年營收485.26億元，YoY+21.92%，EPS 4.34元，YoY+49.65%，獲利可望創近年新高。 展望2022年，雖受到晶圓代工營收下降影響，但記憶體大廠未大幅產能擴張下，供需吃緊情況有望延續，加上打入車用供應鏈帶動NOR/NAND產品組合的優化有望填補缺口，使營收仍小幅增長，511.58億元，YoY 3.97%，毛利率進一步提升至40.77%，EPS 5.25元，再創歷史新高。
2021年4月27日 · 旺宏的產品主要以ROM（唯讀記憶體）、NOR Flash（NOR快閃記憶體）及NAND Flash（NAND快閃記憶體）為主，非揮發性記憶體的好處就是當電源關閉後，其資訊儲存內容不會消失，因此可當成是資訊儲存元件，如硬碟一般。 旺宏是NOR Flash大廠，應用在車電上比例也持續攀高。 圖／ 旺宏. 「在記憶體我們累積了20年經驗後，決定將觸角延伸到車用記憶體（Automotive）市場，」旺宏市場行銷處長林民正這樣說。 而選在2009年宣布跨足車用電子市場，除看好汽車市場的成長性，更重要原因是旺宏已經做好萬全準備。
2017年11月3日 · 2017-11-03. 作者 Gary Hilson. Adesto EcoXiP系列利用新的JEDEC標準，為系統開發和設計人員提供與週邊裝置、控制器的相容性，可望進一步加速標準採用。 JEDEC針對非揮發性記憶體 (NVM)裝置制定的xSPI新標準，旨在滿足「即時啟動」 (instant-on)應用的需求，同時讓位於SoC外部的NOR快閃記憶體 (flash)保有其性能標準。 專注於開發小型、超低功耗NVM產品的Adesto Technologies在過去三年來一直致力於該標準的合作與產品開發。
