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2007年5月27日 · 常用内存名词术语中英文对照表. 来源： 2007-05-27 00:00:00. 和内存相关的名词和术语有很多，为了便于大家理解对照特将一些常用的名词汇总介绍。. ROM：只读存储器. Cache：高速缓存. Clock：时钟信号. Register：缓存器. PLL： 为锁相回路. Self-Refresh：自我充电.
2024年7月1日 · 全球半导体观察丨DRAMeXchange是国际性半导体产业调研机构，提供芯片、内存、闪存、DRAM等半导体行业资讯与市场价格行情。 先进封装迎来最强风口；内闪存产品合约价预测；集成电路基金落地 11小时前分享 6月21日，日月光投控旗下日月光半导体日宣布，与日月光旗下宏璟建设在高雄兴建K28厂，预计 ...
2019年2月28日 · 根据Mark de Clercq介绍，以DA14699为例，其能够为客户节省超过1美元的成本，以及30-40平方毫米的占板空间。 而在物联网市场，有些应用的开发空间已经严重受限，30-40平方毫米占板空间的节省是非常可观的。 当然，除了解决上述痛点以外，DA1469x系列蓝牙低功耗无线MCU还集成了寻向定位、音频输入输出、触觉反馈等多方面的功能。 如今，消费者对连网设备的需求随着每个新产品周期的变化都在不断提高。 而与之前的产品相比，DA1469x系列的处理能力提高了1倍、可用资源增加了4倍、电池续航能力增加了1倍，相信这样的现产品一定能满足其用户所需。 微信. 精彩资讯扫码关注. 新浪. 成为我们的小粉丝. 领英.
2007年4月17日 · ETT、UTT、TCCC等DRAM颗粒解析. 来源： 2007-04-17 00:00:00. 不论是在集邦、DRAMeXchange网站观看DRAM芯片的交易信息，还是在观察内存颗粒相关信息时，我们常会发现内存颗粒有类似DDR2 512Mb 64Mx8 ETT UTT的字样，前面的信息多半能了解，但所谓的ETT、UTT，究竟意味着 ...
2008年6月26日 · 第一地址字由原始地址选通（RAS）锁存在DRAM芯片。 紧随RAS命令之后，列地址选通（CAS）锁存第二地址字。 经过RAS和CAS，存储的数据可以被读取。
全球半导体观察网一周热点栏目提供半导体产业热点资讯深度报道和解读，涵盖内存、闪存等存储器产业、集成电路产业等领域。 国产“芯”突破；12英寸晶圆厂启用；存储器合约价最新预测 2024-05-13 近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所科研团队在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片 ...
2011年5月9日 · PCRAM的概念. 相变内存（PCRAM）的英文是“Phase Change Random Access Memory”，简称“PCM”，是一种非易失性的内存。 相变内存是新世代内存（闪存）技术，国内外多家厂商都纷纷对此项技术进行开发。 目前PCRAM技术合作及研究成果的厂商（机构）列表. PCRAM的优点. 组件特性方面，PCRAM融合了DRAM内存的高速存取及flash闪存在关闭电源后保留数据的特性，被视为未来内存闪存的替代品。 制程方面，PCRAM属于后段制程，容易与CMOS逻辑制程整合，不受组件微小化的规范，可以跨越制程可缩性的鸿沟，对于SoC与独立内存（Standalone）都有优异的发展空间。
