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2021年11月5日 · 全球搶攻第三代半導體商機，也是台灣半導體產業重視的領域，但有專家指稱「第三代半導體」其實來自中國，且含中國對半導體產業的野心，所以建議台灣產官學界應該「正名」，但如果要改，該怎麼稱呼？ 中國取名為第三代半導體，主要是為了與第一代半導體、第二代半導體區分，並成為化合物半導體領域的佼佼者。 第一代半導體...
2021年10月5日 · 工研院電光所所長吳志毅表示， 「第三代半導體」其實是中國取的名稱，建議台灣產官學界應該將碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等正名為「化合物半導體」。 什麼是化合物半導體？ 隨著 電動車、5G、衛星通訊領域快速發展，砷化鎵（GaAs）、碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）等化合物半導體（Compound Semiconductor ）的戰略重要性大幅提升。 化合物半導體擁有耐高溫、高壓的特性，是帶領 5G、電動車、再生能源、工業 4.0 技術發展的下一步關鍵。 而透過化合物半導體材料製成的元件，可以讓電動車、5G 及綠色能源設備運作效率更加提升。 化合物半導體怎麼漸漸被叫成「第三代半導體」？
2022年1月3日 · 如今，進入第3類半導體領域，由於產業發展處於較初期階段，研發成本不像第1類半導體產業追逐先進製程，動輒斥資千億美元，而且大多數專利還都掌握在少數廠商手中，因此多由IDM公司主導，關鍵業者包括英飛凌（Infineon）、羅姆半導體（ROHM）、安森
2023年9月6日 · 上述都是 以矽為基礎的功率元件 ，而後來新一代的寬能隙 (Wide Band-gap)半導體材料、又稱為第三代半導體的 SiC (碳化矽) 和 GaN (氮化鎵)出現，由於能隙更大，這使它們具有耐高電壓、耐高溫、低電阻、低切換損失、適合高頻操作的優越特性，被看好一顆抵傳統功率元件4、5顆，文章開頭才會有取代中低壓MOFEST市場的說法。 那EPC (宜普)是誰？ 說話有份量嗎？ 全球氮化鎵大廠市占情況. 下表是IEK (工研院)統計2021年氮化鎵功率元件大廠市占情況，EPC (宜普)位列第四、擁有雙位數市占率，所以開頭說，對於氮化鎵未來發展與取代中低壓的說法的確有其參考性。
2021年6月17日 · 」 拓墣產業研究院分析師王尊民說，現在所稱的第3代半導體， 指的是氮化鎵（GaN）和碳化矽（SiC）這兩種材料 ，「這是2000年之後才開始投入市場的新技術」。 圖／ 財訊. 尤其，第3類半導體並不好做，以通訊晶片為例，要按照不同的通訊需求，選擇不同的材料，在原子等級的尺度下精確排好，難度有如給你各種不同形狀的石頭，堆出一座穩固的高塔，誰能用這些材料，生產出更省電、性能更好的電晶體，就是這個市場的勝利者。 目前，第3代半導體有3個主要應用市場。 延伸閱讀： 阿里巴巴達摩院公布10大趨勢觀察：第三代半導體應用大爆發、腦機接口突破生物極限. 第三代半導體應用1：高頻通訊如5G、衛星通訊. 第一個應用，是將氮化鎵材料用來製作5G、高頻通訊的材料（簡稱RF GaN） 。
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什麼是第三代半導體?
第3類半導體需要多少層?
第三代寬能隙半導體有什麼潛力?
台灣的半導體製程有哪些優勢?
2021年4月18日 · 第 3 個市場則是碳化矽供電晶片（SiC）。 碳化矽材料的特殊之處在於，如果要轉換接近 1,000 伏特以上的高電壓，就只有碳化矽能達到要求；換句話說，如果要用在高鐵，轉換風力發電，或是推動大型的電動船、電動車，碳化矽都能更有效率。 第三代半導體是未來各國搶占電動車、新能源，甚至國防、太空優勢，不能忽視的關鍵技術，誰在這個領域領先，誰就能在這個領域勝出。 （本文由 財訊 授權轉載；首圖來源： 台積電 ） 延伸閱讀： 「第三代半導體」台灣科技業下一場戰爭，5 大集團競逐新商機.
碳化矽 (SiC, Silicon Carbide) 及 氮化鎵 (GaN, Gallium Nitride) 簡稱第三代 (或稱第三類) SiC 與 GaN 個具優勢發展領域大不同. SiC (Silicon Carbide 碳化矽 SiC是由矽 (Si)與碳 (C)組成，擁有低損耗高功率的特性非常適合用於高電壓及高功率的應用場景，如電動車、充電樁、太陽能及風力發電等綠能設備。 GaN (Galliun Nitride 氮化鎵) GaN 擁有中等電壓 (900V以下工作電壓) 並擁有較高的工作頻率 (Mhz) 因此非常適用於如充電器，5G基地台，5G 通訊設備等應用。 磊晶技術使得SiC與 GaN 有天生上的應用差異.
