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  1. 2015年6月22日 · 知道奈米有多小之後還要理解縮小制程的用意縮 小晶體管的最主要目的就是可以在更小的芯片中塞入更多的晶體管 ,讓芯片不會因技術提升而變得更大;其次, 可以增加處理器的運算效率 ;再者,減 少體積也可以降低耗電量 ;最後, 芯片體積縮小後更容易塞入行動設備中 (比如手機),滿足未來輕薄化的需求。 尺寸縮小有物理限制. 不過,制程並不能無限制的縮小,當 我們將晶體管縮小到20奈米左右時,就會遇到量子物理中的問題 ,晶體管的漏電現象,抵销縮小L時獲得的效益。 作為改善方式,就是導 入FinFET(Tri-Gate)這個 概念,如右上圖。 在Intel以前所做的解釋中,可以知道借由導入這個技術,能減少因物理現象所導致的漏電現象。 更重要的是,藉由這個方法可以增加Gate端和下層的接觸面積。

  2. 2016年9月25日 · 它採用台積電的28nmHPC+製程相比28nm HPC來說能節能30%以上配合電路設計優化)。同時在基帶方面聯發科將首次支持LTE Cat.6而支持SRLTE也意味著基帶支持全網通定位上屬於中端晶片主打高性能與低功耗

  3. 2015年10月5日 · 不過台積16nm的後段製程(contact/metal/via)與20nm幾乎一樣所以其defect density也與20nm同一等級也就是說台積電16nm的後段製程早就已經成熟一般而言對半導體製程來說前段決定成敗後段決定良率既然兩者前段的FINFET都開發出來了良率就決定於後 ...

  4. 2015年7月26日 · 台積電233028日召開年度技術論壇由共同執行長暨總經理魏哲家針對先進製程進展發表演說他指出16奈米FinFET Plus製程目前已經開始生產下半年放量且按照台積了解該製程效能比對手好上10%應指三星)。

  5. 2015年9月30日 · 處於領先地位的四大芯片廠商Intel三星台積電和GlobalFoundries都擁有自己的製造工廠而許多小型半導體公司可沒這份運氣。 哈佛商學院教授David B. Yoffie說:”不過技術進步的放緩可能會給這些小廠帶來一絲喘息的機會,因為他們可以參與技術較低的市場競爭。

  6. 2019年11月1日 · 1. 林帝的 miniDP (母) 轉 DP (公) 測試結果---顯示錯誤 210:合成器中斷連線。 重新啟動 Vive Console 以解決此問題. 2. 林帝的 type-C 轉 DP (公) 測試結果---頭戴顯示有顯示畫面 但上下顛倒 Vive Console 顯示錯誤 211:確保您的GPU驅動程式已更新為最新版本 (我的顯示卡及intel 已全部更新到最新版) 3. 在大大們討論區內爬文 看到的價格 $650 PCHOME 購買 miniDP 公 對 公 測試結果---錯誤代碼:003 未連接DP OR 錯誤代碼 006: DP連線不穩定. 4. 看到有大大提出 到cmos 更改看DP顯示方式 但我這目前確定應該是不能改 但我很確定我主要顯示卡是1060這張.

  7. 2015年8月22日 · 高通7奈米 轉單回台積電 玉米的HTC U11小小性能評測 傳魅族高管確認 將不再發聯發科P10機型 公版八核A72跑分 Exynos 8895,S835,kirin 960,X30 geekbench4比較 高通s660跑分 驍龍835處理器規格全面曝光 三星 10 奈米製程不精?傳高通驍龍 835 跑分竟輸

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